Descatalogado (Descatalogado) IN2270 Oblea de antimonio de indio

Catálogo No.	IN2270
Material	InSb
Espesor	500 um - 625 um
Diámetro	Ø 2" Ø 3"

Stanford Advanced Materials (SAM) ofrece una amplia gama de obleas compuestas, incluidas obleas de GaAs, obleas de GaP, obleas de GaSb, obleas de InAs y obleas de InP.

Productos relacionados: Oblea denitruro de galio, Oblea dearseniuro degalio, Oblea de germanio (Ge wafer), Oblea de fosfuro de galio, Oblea de arseniuro de indio.

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(Descatalogado) IN2270 Oblea de antimonio de indio

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Material

InSb

Espesor

500 um - 625 um

Diámetro

Ø 2" Ø 3"

ITO0491 Cátodos para sputtering de óxido de indio y estaño (ITO)

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Material

90% In2O3+10% SnO2 / 95% In2O3+5% SnO2

Pureza

>=99.99%

Densidad

7,1 g/cm3

VD0691 Gránulos de óxido de indio y hierro (InFe₂O₄) — Materiales para evaporación

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Material

Óxido de indio y hierro (InFe2O4)

Pureza

99.9%%

Forma

Polvo/ Granulado/ A medida

VD0692 Gránulos de óxido de indio (In₂O₃) — Materiales para evaporación

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Material

Óxido de indio (In2O3)

Pureza

99.9% ~ 99.99%

Forma

Polvo/ Granulado/ A medida

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Crecimiento	LEC
Diámetro	Ø 2" / Ø 3
Espesor	500 um - 625 um
Orientación	(100)+/- 0.5°
Orientación Off	Desplazamiento de 2° a 10
Superficie	Una cara pulida o dos caras pulidas
Opciones planas	EJ o SEMI. Estándar
Movilidad	(5,0-3,5)E5 cm2/Vs
EPD	<= 200 cm-2
Grado	Grado pulido epi / grado mecánico
Envase	Envase de oblea individual

Crecimiento	LEC
Diámetro	Ø 2" / Ø 3
Espesor	500 um - 625 um
Orientación	(100)+/- 0.5°
Orientación Off	Desplazamiento de 2° a 10
Superficie	Una cara pulida o dos caras pulidas
Opciones planas	EJ o SEMI. Estándar
Movilidad	(5,0-3,5)E5 cm2/Vs
EPD	<= 200 cm-2
Grado	Grado pulido epi / grado mecánico
Envase	Envase de oblea individual

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Descatalogado (Descatalogado) IN2270 Oblea de antimonio de indio

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