CY3435 Sustrato monocristalino de nitruro de aluminio (AlN)

Name: CY3435 Aluminum Nitride (AlN) Single Crystal Substrate
SKU: CY3435
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Catálogo No.	CY3435
Composición	AlN (nitruro de aluminio)
Orientación	<0001> ± 1°
Dimensiones	Ø 1" – 3" (a medida)
Espesor	350 – 1000 μm (a medida)
Superficie	Pulido CMP, RMS < 0,8 nm

SAM suministra sustratos monocristalinos de AlN de alta pureza (Ø 1-3", orientación <0001>) para epitaxia de GaN, LED UV y dispositivos de potencia de RF. Superficie de aluminio pulida mediante CMP (RMS <0,8 nm), EPD <1×10⁵ cm⁻² y alta conductividad térmica (~285 W/m·K). Disponibles en tamaños a medida.

Productos relacionados: cristal de triborato de litio, cristal de niobato de litio, nitruro de aluminio, láminas de nitruro de aluminio

CONSULTA

Añadir a la comparación

Descripción

Especificación

SDS

Opiniones

Comparar artículos similares

Mostrar diferencias

Este artículo

CY3435 Sustrato monocristalino de nitruro de aluminio (AlN)

Agregar a la lista

Composición

AlN (nitruro de aluminio)

Orientación

<0001> ± 1°

Dimensiones

Ø 1" – 3" (a medida)

Espesor

350 – 1000 μm (a medida)

Superficie

Pulido CMP, RMS < 0,8 nm

NR0916 Sustratos de nitruro de aluminio (AlN)

Agregar a la lista

Material

AlN, nitruro de aluminio

Densidad

3,26 g/cm³

Apariencia

Blanco, gris claro

Forma

Sustrato

Punto de fusión

>2200 °C

Sinónimos

Sustratos de nitruro de aluminio, sustratos de AlN

CY2173 Oblea de zafiro

Agregar a la lista

Material

Al2O3

Espesor

0,35-1 mm, o a medida

Diámetro

Ø 1-8", o a medida

Formulario

Oblea

Pureza

≥99.999%

Sinónimos

Oblea de zafiro, Oblea de Al2O3

CY3306 Zafiro Oblea epitaxial Oblea EPI

Agregar a la lista

Material

Zafiro (Al2O3)

Dimensiones

76 mm, 100 mm, 150 mm

Orientación

(1012) ± 1° (plano R)

Formulario

Oblea

FAQ

¿Por qué el AlN es el material preferido para los sustratos en la electrónica de potencia?

El nitruro de aluminio (AlN) es el material preferido para los sustratos de la electrónica de potencia debido a su excepcional conductividad térmica (entre 200 y 300 W/m·K), lo que ayuda a disipar de forma eficiente el calor generado por los dispositivos de alta potencia. Además, el AlN es un aislante eléctrico, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia sin riesgo de cortocircuito. Su capacidad para soportar altas temperaturas y entornos hostiles contribuye aún más a su popularidad.

¿Cuáles son las propiedades clave de los sustratos monocristalinos de AlN?

Entre las propiedades clave de los sustratos monocristalinos de AlN se incluyen:

Alta conductividad térmica: una de las mejores entre los materiales aislantes, esencial para la electrónica de potencia y los dispositivos sensibles al calor.
Aislamiento eléctrico: el AlN es un excelente aislante eléctrico, lo que evita el flujo de corriente no deseado en aplicaciones sensibles.
Propiedades piezoeléctricas: el AlN presenta un marcado comportamiento piezoeléctrico, lo que lo hace ideal para sensores y actuadores.
Amplia banda prohibida: el AlN tiene una banda prohibida de unos 6,2 eV, lo que le permite ofrecer un buen rendimiento en entornos de alta tensión y alta temperatura.
Resistencia mecánica: Los sustratos de AlN presentan una elevada resistencia mecánica y dureza, lo que los hace duraderos en condiciones adversas.

¿En qué se diferencia el AlN de otros sustratos, como el zafiro o el silicio, en el ámbito de la electrónica?

El AlN presenta varias ventajas frente a materiales como el zafiro y el silicio en determinadas aplicaciones:

Conductividad térmica: el AlN tiene una conductividad térmica significativamente mayor que tanto el zafiro como el silicio, lo que lo hace más adecuado para la electrónica de alta potencia, donde la disipación del calor es fundamental.
Aislamiento eléctrico: a diferencia del zafiro, que no es un aislante eléctrico eficaz, el AlN es un buen aislante, ideal para aplicaciones de alta tensión.
Propiedades piezoeléctricas: El AlN posee propiedades piezoeléctricas superiores en comparación con otros materiales, lo que lo hace más adecuado para sensores, actuadores y resonadores.

¿Cómo se obtiene un sustrato monocristalino de AlN?

El sustrato monocristalino de AlN se obtiene normalmente mediante el método de Kyropoulos (método de extracción), una técnica muy utilizada para producir monocristales de alta calidad. El proceso consta de los siguientes pasos:

Material de partida: Se utilizan fuentes de aluminio y nitrógeno de alta pureza para formar el AlN.
Crecimiento cristalino: El proceso de crecimiento se produce al extraer lentamente un cristal semilla de un baño fundido de AlN en condiciones controladas. Esta extracción controlada permite la formación de un monocristal de alta calidad.
Entorno controlado: El método Kyropoulos requiere un control preciso de la temperatura, la presión y la atmósfera (normalmente gas nitrógeno) para garantizar la formación de cristales de AlN puros y de alta calidad.

ÚLTIMAS RECOMENDACIONES

NR0916 Sustratos de nitruro de aluminio (AlN)

NR0919 Hojas de nitruro de aluminio (AlN)

NR1507 Polvo de nitruro de aluminio (n.º CAS: 24304-00-5)

NN1594 Nanonitruro de aluminio en polvo (AlN) (Nº CAS 24304-00-5)

Piezas mecanizadas a medida de nitruro de aluminio (AlN) NR2081

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135309-normal-SN3994.jpg

SN3994 Tubo de nitruro de aluminio (AlN)

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135458-normal-SN3995.jpg

SN3995 Varilla de nitruro de aluminio (AlN)

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135884-normal-SN3996.jpg

SN3996 Disco de nitruro de aluminio (AlN)

CONSIGUE UNA COTIZACIÓN

Envíenos una consulta hoy mismo para obtener más información y recibir los precios más recientes. ¡Gracias!

Tu Nombre*

Su Correo Electrónico*

Tu teléfono*

Nombre del producto*

País*

España

Comentarios

Me gustaría unirme a la lista de correo para recibir actualizaciones sobre Stanford Advanced Materials.

Tipos de archivos aceptados: PDF, png, jpg, jpeg. Se pueden subir varios archivos a la vez; cada archivo debe tener un tamaño inferior a 2 MB.

*Código de verificación

Especificaciones	Valor
Área útil	>80 %
Exclusión de bordes	1,0 mm
Dimensiones	Ø 1"-3", o a medida
Espesor	350 μm-1000 μm
Coeficiente de absorción	< 80^cm⁻¹
Densidad de picaduras de grabado (EPD)	< 1E5^cm⁻²
Acabado superficial	Cara Al: pulido CMP (RMS < 0,8 nm) Cara N: pulido óptico (RMS < 3 nm)
Orientación	<0001> ± 1°

Superficie útil	>80 %
Exclusión de bordes	1,0 mm
Dimensiones	Ø 1"-6", o a medida
Espesor	350 μm-1000 μm
Coeficiente de absorción	< 80^cm⁻¹
Densidad de picaduras de grabado (EPD)	< 1E5^cm⁻²
Acabado superficial	Cara Al: pulido CMP (RMS < 0,8 nm) Cara N: pulido óptico (RMS < 3 nm)
Orientación	<0001>± 1°

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

CY3435 Sustrato monocristalino de nitruro de aluminio (AlN)

Descripción del sustrato monocristalino de AlN

Especificaciones del sustrato monocristalino de AlN

Aplicaciones del sustrato de AlN

Embalaje y manipulación de sustratos de AlN

Notas de seguridad y manipulación de sustratos de AlN

Especificación

Caso

OPINIONES DE LOS CLIENTES

Comparar artículos similares

FAQ

¿Por qué el AlN es el material preferido para los sustratos en la electrónica de potencia?

¿Cuáles son las propiedades clave de los sustratos monocristalinos de AlN?

¿En qué se diferencia el AlN de otros sustratos, como el zafiro o el silicio, en el ámbito de la electrónica?

¿Cómo se obtiene un sustrato monocristalino de AlN?

ÚLTIMAS RECOMENDACIONES

CONSIGUE UNA COTIZACIÓN

Descarga

¿NECESITAS AYUDA?

CATEGORÍAS MÁS POPULARES

NUESTRA EMPRESA