CY3344 LaSrAlO4 Sustrato monocristalino

Catálogo No.	CY3344
Material	LaSrAlO4
Densidad	5,92 g/cm3
Punto de fusión	1650 ℃
Método de crecimiento	Czochralski

El sustratomonocristalino LaSrAlO4 se utiliza para producir películas a una temperatura más baja para mejorar el desajuste de la red y reducir la tensión. Stanford Advanced Materials (SAM) tiene una gran experiencia en la fabricación y el suministro de sustratos de cristal de alta calidad.

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Método de crecimiento	Czochralski
Estructura cristalina	M4
Constante de red	a=3.756 c=12.63
Densidad (^g/cm3)	5.92
Punto de fusión (°C)	1650 ℃
Constantes dieléctricas	16.8
Dureza	6-6,5 (Mohns)
Tamaño	3x3, 5x5, 10x10, 10x5 o personalizado
Espesor	0.1mm；0.2mm；0.5mm；1.0mm U otros
Pulido	SSP o DSP
Orientación	<001>、<100>
Precisión de redirección	±0.5°
Ángulo del cristalino	Tamaños y orientaciones especiales disponibles bajo demanda.
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）

Método de crecimiento	Czochralski
Estructura cristalina	M4
Constante de red	a=3.756 c=12.63
Densidad (^g/cm3)	5.92
Punto de fusión (°C)	1650 ℃
Constantes dieléctricas	16.8
Dureza	6-6,5 (Mohns)
Tamaño	3x3, 5x5, 10x10, 10x5 o personalizado
Espesor	0.1mm；0.2mm；0.5mm；1.0mm U otros
Pulido	SSP o DSP
Orientación	<001>、<100>
Precisión de redirección	±0.5°
Ángulo del cristalino	Tamaños y orientaciones especiales disponibles bajo demanda.
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）

CY3344 LaSrAlO4 Sustrato monocristalino

Descripción del sustrato monocristalino LaSrAlO4

Especificaciones del sustrato monocristalino LaSrAlO4

Aplicaciones del sustrato monocristalino LaSrAlO4

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