Descatalogado (Descatalogado) GA2269 Oblea de fosfuro de galio (GaP)

Catálogo No.	GA2269
Material	GaP
Espesor	400um
Diámetro	Ø 2"
Dimensiones	2'' dia x 400um-500um espesor, 5x5x0.3-0.5mm, 10x10x0.45mm,

La oblea de fosfuro de galio (GaP) es un importante material semiconductor que posee propiedades eléctricas únicas respecto a otros materiales compuestos III-V. Stanford Advanced Materials (SAM) suministra obleas de GaP (fosfuro de galio) monocristalinas de alta calidad a la industria electrónica y optoelectrónica en diámetros de hasta 2 pulgadas.

Productos relacionados: Oblea denitruro de galio, Oblea dezafiro, Oblea de carburo de silicio, Obleade silicio, Oblea de arseniuro de galio, Oblea de germanio (Ge wafer).

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(Descatalogado) GA2269 Oblea de fosfuro de galio (GaP)

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Material

GaP

Espesor

400um

Diámetro

Ø 2"

Dimensiones

2'' dia x 400um-500um espesor, 5x5x0.3-0.5mm, 10x10x0.45mm,

VD0621 Gránulos de cobre y galio (Cu/Ga) para evaporación

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Material

Cobre Galio (Cu/Ga)

Pureza

99.9% ~ 99.999%

Forma

Polvo/ Granulado/ A medida

VD0744: Pelotas de óxido de zinc dopado con óxido de galio (ZnO/Ga₂O₃) para evaporación

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Material

Óxido de zinc dopado con óxido de galio

Pureza

99.9% ~ 99.99%

Forma

Polvo/ Granulado/ A medida

VD0846 Pastillas de seleniuro de galio (Ga₂Se₃) — Materiales para evaporación

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Material

Seleniuro de galio (Ga2Se3)

Pureza

99.9% ~ 99.999%

Forma

Polvo/ Granulado/ A medida

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Estructura cristalina	Cúbica. a =5.4505 ?/FONT>
Método de crecimiento	CZ (LEC)
Densidad	4,13 ^g/cm3
Punto de fusión	1480 ^oC
Expansión térmica	5,3 ^x10-6 / ^oC
Dopante	S dopado	no dopado
Eje de crecimiento del cristal	<111> o <100	<100> o <111
Tipo conductor	N	N
Concentración portadora	2 ~ 8 ^x1017 ^/cm3	4 ~ 6 ^x1016 ^/cm3
Resistividad	~ 0,03 W-cm	~ 0,3 W-cm
EPD	< ^3x105	< ^3x105

Estructura cristalina	Cúbica. a =5.4505 ?/FONT>
Método de crecimiento	CZ (LEC)
Densidad	4,13 ^g/cm3
Punto de fusión	1480 ^oC
Expansión térmica	5,3 ^x10-6 / ^oC
Dopante	S dopado	no dopado
Eje de crecimiento del cristal	<111> o <100	<100> o <111
Tipo conductor	N	N
Concentración portadora	2 ~ 8 ^x1017 ^/cm3	4 ~ 6 ^x1016 ^/cm3
Resistividad	~ 0,03 W-cm	~ 0,3 W-cm
EPD	< ^3x105	< ^3x105

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Descatalogado (Descatalogado) GA2269 Oblea de fosfuro de galio (GaP)

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