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Stanford Advanced Materials
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  • GA2269 Oblea de fosfuro de galio (GaP)

    • GA2269 Oblea de fosfuro de galio (GaP)

    Catálogo No. GA2269
    Material GaP
    Espesor 400um
    Tipo conductor N - tipo
    Diámetro Ø 2"
    Talla 2'' dia x 400um-500um espesor, 5x5x0.3-0.5mm, 10x10x0.45mm,

    La oblea de fosfuro de galio (GaP) es un importante material semiconductor que posee propiedades eléctricas únicas respecto a otros materiales compuestos III-V. Stanford Advanced Materials (SAM) suministra obleas de GaP (fosfuro de galio) monocristalinas de alta calidad a la industria electrónica y optoelectrónica en diámetros de hasta 2 pulgadas.

    Productos relacionados: Oblea denitruro de galio, Oblea dezafiro, Oblea de carburo de silicio, Obleade silicio, Oblea de arseniuro de galio, Oblea de germanio (Ge wafer).

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