LM6704 Diodos Schottky de alta frecuencia

Catálogo No.	LM6704
Temperatura de funcionamiento	-55℃ a 125℃
Dimensiones	Depende del modelo

Stanford Advanced Materials (SAM) ofrece diodos Schottky de alta frecuencia de primera calidad diseñados para una conmutación ultrarrápida y una pérdida de potencia mínima. Ideales para aplicaciones de RF, microondas y digitales de alta velocidad, los diodos de SAM garantizan un rendimiento excelente en entornos exigentes de alta frecuencia.

Productos relacionados: Diodos Schottky de baja tensión directa, Diodos Schottky miniatura / SMD, Rectificadores Schottky de potencia

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LM6704 Diodos Schottky de alta frecuencia

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Temperatura de funcionamiento

-55℃ a 125℃

Dimensiones

Depende del modelo

GR0396 Nanopolvo de grafeno C Diámetro 100nm

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Color

Negro

Pureza

>99%

APS

100 nm

M.O.Q

500 g

GR0398 Nanopolvo de grafeno C

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Color

Negro

Dimensiones

1-5 nm

Pureza

>99%

M.O.Q

500 g

GR0903 Grafeno CVD

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Característica	Diodos Schottky de alta frecuencia	Diodos Schottky estándar
Velocidad de conmutación	Ultrarrápida (gama GHz)	Rápida (gama típica de MHz)
Capacitancia de unión	Muy baja (para un mejor rendimiento a alta frecuencia)	Más alta, no optimizada para RF
Caída de tensión directa (VF)	Baja (normalmente 0,2V-0,4V)	Baja (0,3V-0,6V)
Tiempo de recuperación inversa	Insignificante (ideal para señales RF/digitales)	Corto pero más largo que los tipos HF
Gama de frecuencias	Decenas de MHz a varios GHz	Hasta unos pocos MHz
Aplicaciones principales	Mezcladores de RF, detectores, lógica de alta velocidad, detección de potencia	Convertidores CC-CC, rectificación de baja tensión, SMPS
Corriente de fuga inversa	Normalmente más alta, manejable en circuitos de RF	Moderada, varía según el valor nominal y la temperatura
Tipos de encapsulado	SMD pequeño (por ejemplo, SOD-123FL, SOD-123)	Incluye los tipos de potencia de pequeña señal y TO-220/SMC
Manejo de potencia	Baja a moderada	De moderada a alta (tipos de potencia como la serie MBR)
Coste	Ligeramente superior debido al diseño especializado	Más bajo para modelos de uso general

Tipo	_VRRM	I_(AV)	_IFSM	_VF		_IR		Paquete
Tipo	V	A	A	V	_IF (A)	mA	_VR (V)	Paquete
PMEG2010ER	20	1	40	0.55	1	0.2	20	SOD-123FL
PMEG6010ER	60	1	40	0.7	1	0.3	60	SOD-123FL
DS22W	20	2	50	0.55	3	0.5	20	SOD-123FL
DS220W	200	2	40	0.95	2	0.3	200	SOD-123FL
B5817W	20	1	20	0.45	1	1	20	SOD-123G
BAS40H	50	0.5	-	0.52	0.5	2	40	SOD-123

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

LM6704 Diodos Schottky de alta frecuencia

Descripción de los diodos Schottky de alta frecuencia

Aplicaciones de los diodos Schottky de alta frecuencia

Embalaje de diodos Schottky de alta frecuencia

Preguntas frecuentes sobre los diodos Schottky de alta frecuencia

Tabla comparativa de prestaciones con productos de la competencia

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Caso

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