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CY9489 Sustrato de oblea de silicio de 300 mm, tipo P (dopado con B), grado de prueba (100), DSP, 1-100 ohm-cm

Catálogo No. CY9489
Material Si
Forma Disco
Formulario Sustrato

El sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B) de 300 mm de grado de prueba (100), DSP, 1-100 ohm-cm es un sustrato de silicio producido para pruebas de semiconductores con una orientación cristalográfica controlada (100). Stanford Advanced Materials (SAM) utiliza un estricto régimen de dopaje con boro y técnicas de evaluación de defectos en línea, incluidas imágenes de alta resolución, para garantizar valores de resistividad entre 1 y 100 ohm-cm. El tratamiento DSP minimiza aún más las imperfecciones de la superficie, lo que resulta esencial para evaluar con precisión el rendimiento eléctrico.

CONSULTA
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300 mm P Type (B-doped) Silicon Wafer Substrate Test Grade <100>, DSP, 1-100 ohm·cm
300 mm P Type (B-doped) Silicon Wafer Substrate Test Grade <100>, DSP, 1-100 ohm·cm
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Material
Si
Forma
Disco
Formulario
Sustrato
 
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Pureza
99.9%
Número CAS
12039-79-1
Peso molecular
237.12
Densidad
9,14 g/cm3
 
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Número CAS
12033-89-5
Fórmula química
Si3N4
Tamaño de las partículas
Personalizado
Apariencia
Polvo blanco grisáceo
Pureza
≥99%
Sinónimos
Nitruro de silicio en polvo, Si3N4 en polvo
 
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Número CAS
12033-89-5
APS
~100 nm
Formulario
Polvo blanco grisáceo
Pureza
99.9%
Sinónimos
Nanopolvo de nitruro de silicio, nanopolvo Si3N4

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