Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 2 en 3C Tipo N

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CY8564 Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 2 en 3C tipo N

Catálogo No.	CY8564
Material	Carburo de silicio
Forma	Redondo
Formulario	Oblea

Stanford Advanced Materials (SAM) es líder mundial en el suministro de materiales punteros de alta calidad a numerosos sectores. Combinando décadas de experiencia con un compromiso de innovación continua, SAM proporciona soluciones de sustrato de oblea de carburo de silicio (SiC) 2 en 3C tipo N diseñadas para obtener el máximo rendimiento y fiabilidad. Nuestros productos impulsan los avances en la electrónica de potencia, permitiendo mejorar la eficiencia, la estabilidad térmica y la durabilidad. Con una amplia cartera de productos y un enfoque inquebrantable en la satisfacción del cliente, SAM destaca por su experiencia y fiabilidad en materiales avanzados, lo que permite a las empresas construir la próxima generación de tecnologías de semiconductores.

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Silicon Carbide Wafer SiC Substrate 2 in 3C N-type

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Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC de 2 pulgadas 3C tipo N Descripción

Nuestro sustrato de carburo de silicio (SiC) 3C tipo N de 2 pulgadas ofrece una conductividad térmica excepcional, una amplia energía de banda prohibida y una excelente resistencia mecánica, lo que lo convierte en la opción ideal para aplicaciones de dispositivos electrónicos de potencia y de alta frecuencia de vanguardia. Su poliotipo 3C garantiza una estructura cristalina estable que proporciona un rendimiento superior en entornos exigentes, como temperaturas elevadas y altos voltajes. Estas propiedades únicas permiten un funcionamiento fiable en condiciones adversas, reduciendo la pérdida de energía y garantizando una gestión eficiente de la potencia.

Fabricadas bajo estrictas normas de calidad, cada oblea de SiC se somete a una rigurosa inspección para mantener bajas densidades de defectos y niveles de dopaje uniformes. Esta atención al detalle maximiza el rendimiento y la reproducibilidad del dispositivo, proporcionando una plataforma consistente para la investigación, el desarrollo y la fabricación a escala comercial. Ya sea para la investigación avanzada de semiconductores o para sistemas industriales de alto rendimiento, nuestro sustrato de carburo de silicio de 2 pulgadas 3C tipo N promete fiabilidad y excelencia en el rendimiento.

Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 2 en aplicaciones 3C tipo N

La oblea de carburo de silicio (sustrato de SiC 2 en 3C tipo N) ofrece una combinación de banda prohibida ancha, alta conductividad térmica y excelente estabilidad química. Estas propiedades únicas permiten un rendimiento superior en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia, al tiempo que mantienen su durabilidad en entornos adversos. Su fiabilidad y eficiencia lo convierten en una plataforma ideal para diversas aplicaciones en todos los sectores, desde la electrónica avanzada a los sistemas energéticos, entre otros.

1. Aplicaciones electrónicas y de semiconductores

-Conversión de potencia: Conmutación de alto voltaje mejorada en inversores solares y fuentes de alimentación industriales.

-Dispositivos de radiofrecuencia: transistores de alta frecuencia para estaciones base de telecomunicaciones y redes inalámbricas.

2. Energía y aplicaciones renovables

-Equipos fotovoltaicos: Sustratos estables para sistemas de fabricación y ensayo de paneles solares

-Electrónica para turbinas eólicas: Módulos de control duraderos para una regulación eficiente de la potencia

3. Investigación e Instrumentos Científicos

-Estudios de ciencia de los materiales: Investigación de estructuras cristalinas y rendimiento de dispositivos en condiciones extremas

-Desarrollo de sensores avanzados: Sustratos de sensores robustos para la detección de temperatura, presión y sustancias químicas

Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 2 en 3C Embalaje tipo N

Cada oblea de carburo de silicio se coloca cuidadosamente entre capas de espuma blanda a prueba de ESD y se sella en una bolsa de vacío antiestática para protegerla de la humedad y la contaminación. A continuación, los paquetes sellados se envasan en recipientes resistentes y herméticos. Los barquillos deben almacenarse en un entorno de sala limpia con humedad controlada. También ofrecemos etiquetado personalizado, espesores de espuma especializados y tamaños de contenedor a medida, previa solicitud, para satisfacer requisitos específicos de manipulación o envío.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Oblea de carburo de silicio Sustrato de SiC 2 en 3C tipo N Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales propiedades del sustrato de carburo de silicio para obleas SiC 2 en 3C tipo N?

R1: Los sustratos de carburo de silicio (SiC) 2 en 3C tipo N suelen presentar un ancho bandgap de unos 2,2 eV, una elevada conductividad térmica, una inercia química superior y una robusta resistencia mecánica. El poliotipo 3C ofrece ventajas únicas para aplicaciones de potencia y alta frecuencia. El dopaje de tipo N garantiza una concentración controlada de electrones, lo que permite una conductividad eléctrica estable. Estos sustratos son especialmente adecuados para el desarrollo de dispositivos avanzados en entornos difíciles o de alta potencia.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

R2: Estos sustratos son frágiles y deben manipularse con guantes limpios y no abrasivos en un entorno controlado para evitar contaminaciones o daños. Evite tocar las superficies con las manos desnudas o con herramientas que puedan introducir arañazos o partículas. Almacénelos en una zona limpia, con temperatura controlada y baja humedad. Utilice soportes o contenedores especiales para el transporte a fin de mantener la integridad del sustrato y minimizar el estrés mecánico.

P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de oblea de carburo de silicio SiC 2 en 3C tipo N?

R3: El sustrato de carburo de silicio para obleas SiC 2 en 3C tipo N suele cumplir los estrictos requisitos de pureza y densidad de defectos establecidos por la norma ISO 9001 y las normas de calidad de semiconductores pertinentes. Los fabricantes suelen aplicar métodos de inspección avanzados como la topografía de rayos X y la fotoluminiscencia para verificar la calidad cristalina. Estos sustratos también pueden adherirse a las directivas RoHS y REACH, garantizando el cumplimiento de las normativas medioambientales y de seguridad para la distribución mundial.

Información relacionada

1. Propiedades y ventajas del material

Este sustrato de carburo de silicio para obleas SiC 2 en 3C de tipo N está compuesto por un poliotipo cúbico conocido por sus excelentes capacidades eléctricas y térmicas. La amplia banda prohibida del material permite el funcionamiento a altas temperaturas y reduce las pérdidas de potencia, lo que resulta especialmente beneficioso en sistemas compactos que requieren un rendimiento fiable y constante. Además, su notable resistencia química ayuda a mantener la integridad del sustrato durante los pasos de procesamiento más exigentes, lo que permite su resistencia en entornos industriales hostiles.

La estabilidad sin precedentes de la estructura reticular distingue a la oblea de SiC 3C de otros sustratos semiconductores, garantizando unos defectos cristalinos mínimos a pesar de las exigentes condiciones de producción. Además, el dopaje de tipo N garantiza una conducción controlada de los electrones, lo que se traduce en una elevada movilidad de los portadores, crucial para la fabricación de dispositivos avanzados. Estas propiedades convierten a la oblea en la mejor opción para la electrónica de potencia, ya que requiere menos elementos conductores y ofrece una gestión superior de la corriente eléctrica.

2. Aplicaciones en industrias avanzadas

Las aplicaciones energéticas de vanguardia se benefician de la resistencia de la oblea en condiciones de alta temperatura y alta tensión, lo que la convierte en una candidata ideal para módulos de potencia de vehículos eléctricos e inversores de energías renovables. Su capacidad para soportar importantes cargas térmicas sin degradar su rendimiento garantiza una mayor eficiencia en los sistemas de automoción, aeroespaciales y de mantenimiento predictivo, donde la densidad energética y la resistencia operativa son primordiales.

Diversos segmentos de la nanotecnología y la optoelectrónica también exploran este sustrato de SiC 3C tipo N para sensores y transceptores de próxima generación. Su combinación única de resistencia mecánica y baja densidad de defectos mejora la fiabilidad de los dispositivos utilizados en infraestructuras de telecomunicaciones, sistemas de radar y diversas tecnologías emergentes. En consecuencia, esta oblea favorece el desarrollo de productos de vanguardia, lo que la sitúa a la vanguardia de múltiples industrias de alta tecnología.

Especificación

Grado	Grado ficticio
Diámetro	50,8 mm +/- 0,5 mm
Espesor	350 um +/- 25 um
Orientación de la oblea	Sobre el eje: <111> +/-0,5 grados
Poliotipo	3C
Densidad de micropipeta (MPD)	<0,5 ^cm-2
Resistividad eléctrica	≤0,0008Ohm-cm
Orientación primaria plana	<1-10>+/-5 grados
Longitud del plano primario	15,9mm+/-1,7mm
TTV	≤5um
Arco	≤15um
Urdimbre	≤30um
Rugosidad	Pulido de la cara C Ra≤1nm
Rugosidad	CMP cara Si Ra≤0,2nm

Propiedades

Propiedad	Cristal único 3C-SiC
Parámetros de red (Å)	a=4.35
Secuencia de apilamiento	ABC
Densidad (g/cm³)	2.36
Dureza Mohs	~9.2
Coeficiente de expansión térmica (CTE) (/K)	3-4^x10-6
Constante dieléctrica	c ~ 9.72
Tipo de dopaje	Tipo N
Banda prohibida (eV)	2.4
Velocidad de deriva de saturación (m/s)	2.7 x¹⁰⁵

*La información del producto anterior se basa en datos teóricos y es sólo de referencia. Las especificaciones reales pueden variar.

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Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 2 en aplicaciones 3C tipo N

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