Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas

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CY8549 Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas

Catálogo No.	CY8549
Material	Silicio
Forma	Redondo

Stanford Advanced Materials (SAM) es líder mundial en el suministro de materiales avanzados de calidad superior para impulsar la innovación en todos los sectores. Basado en décadas de experiencia, nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas combina una gran pureza del material con una integridad estructural excepcional, lo que garantiza un rendimiento fiable en los exigentes entornos de investigación y fabricación. Comprometidos con la calidad y la precisión, proporcionamos soluciones a medida que cumplen las especificaciones más estrictas, permitiendo a nuestros socios lograr resultados de primer nivel. Confíe en la búsqueda de la excelencia de SAM para obtener materiales de vanguardia que cumplan las normas más estrictas de fiabilidad y eficacia.

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Silicon (Si) Crystal Substrate (110) Dia. 3 inch

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Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas Descripción

Este sustrato de cristal de silicio (Si) de alta calidad presenta una orientación de cristal (110) y un diámetro de 3 pulgadas, lo que lo convierte en la mejor opción para la investigación y producción de semiconductores avanzados. Su estructura reticular uniformemente orientada garantiza una excelente movilidad de los portadores y unos defectos mínimos, proporcionando unas propiedades eléctricas constantes ideales para el desarrollo de MEMS, la fabricación de sensores y la microelectrónica de vanguardia.

Fabricado bajo estrictas normas de calidad, nuestro sustrato se somete a rigurosas inspecciones de planitud, uniformidad de grosor y pulido superficial. Su estabilidad térmica superior permite el procesamiento a altas temperaturas sin comprometer la integridad estructural. La baja densidad de defectos y la excepcional precisión cristalográfica garantizan resultados reproducibles en diversos procesos de deposición y grabado. Tanto si se utiliza para la investigación, la creación de prototipos de dispositivos o la producción a gran escala, este sustrato de Silicio (110) ofrece un rendimiento fiable, apoyando la innovación en la electrónica y la optoelectrónica modernas.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas Aplicaciones

El sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas ofrece una orientación superficial estable y unas propiedades cristalográficas excepcionales ideales para una amplia gama de aplicaciones de alto rendimiento. La orientación (110) permite mejorar la movilidad de los electrones y la eficiencia de los dispositivos, lo que convierte a este sustrato en la opción preferida para las tecnologías avanzadas. Su preciso diámetro de 3 pulgadas garantiza además la uniformidad en los procesos de capa fina y la fabricación de dispositivos.

1. Aplicaciones industriales

-Aplicación 1: Embalaje microelectrónico - El grosor uniforme favorece la integración fiable de dispositivos y el montaje eficiente en el embalaje microelectrónico.

-Aplicación 2: Fabricación de dispositivos de potencia - La orientación (110) de la superficie destaca en el manejo de altos voltajes, aumentando el rendimiento de la electrónica de potencia.

2. Aplicaciones de investigación

-Aplicación 1: Exploración de dispositivos cuánticos - La alta cristalinidad fomenta la investigación avanzada en estructuras y dispositivos cuánticos novedosos.

-Aplicación 2: Estudios fotónicos - Su baja densidad de defectos sustenta las investigaciones sobre tecnologías ópticas y fotónicas de vanguardia.

3. Aplicaciones comerciales

-Aplicación 1: Desarrollo de sensores - La mayor movilidad de los electrones ayuda a crear elementos sensores sensibles y precisos.

-Aplicación 2: Componentes de visualización - El diámetro de 3 pulgadas cumple los estándares de la industria para los paneles de visualización y los sistemas de imagen de próxima generación.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas Embalaje

Cada sustrato de cristal de silicio (Si) de 3 pulgadas con orientación (110) se entrega en una bolsa de polietileno antiestático dentro de cajas forradas de espuma para evitar daños mecánicos. El embalaje sellado evita la contaminación por polvo y humedad. Para mantener la calidad, guárdelo en un lugar poco húmedo y alejado de la luz solar directa. Se pueden solicitar otras opciones de personalización, como envases o etiquetado especializados, para satisfacer requisitos específicos de laboratorio o fabricación.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales propiedades de los materiales del sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas?

R1: El sustrato de cristal de silicio (Si) (110) de 3 pulgadas de diámetro suele presentar una gran pureza, una orientación cristalina precisa y una excelente conductividad térmica. En particular, la orientación (110) ofrece propiedades anisotrópicas únicas que benefician a las aplicaciones electrónicas avanzadas. La densidad del sustrato es de aproximadamente 2,33 g/cm³, con un coeficiente de expansión térmica de 2,6×10^-6/K. Su acabado superficial suele ser muy pulido, lo que permite fabricar dispositivos fiables para microelectrónica y MEMS.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: Una manipulación adecuada implica el uso de guantes de sala limpia para evitar la contaminación y de muñequeras con toma de tierra para evitar daños electrostáticos. Sujete siempre el sustrato por los bordes para minimizar el contacto con la superficie pulida. Almacene las obleas de silicio en un entorno limpio y seco, preferiblemente en soportes o casetes especializados para obleas. Mantener niveles estables de temperatura y humedad es crucial para preservar la integridad de la superficie del sustrato y sus propiedades cristalográficas.

P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas?

A3: Este sustrato suele cumplir las especificaciones SEMI M1, que definen las características del material, las tolerancias dimensionales y la calidad de la superficie. Los fabricantes suelen mantener certificaciones ISO 9001 para garantizar un control de calidad y una trazabilidad constantes durante toda la producción. La inspección sigue métodos de metrología normalizados para el grosor y la planitud de la superficie, y para determinadas aplicaciones puede exigirse el cumplimiento de directivas medioambientales como RoHS. Estas certificaciones ayudan a garantizar que las obleas cumplen los rigurosos criterios de referencia del sector en cuanto a rendimiento y fiabilidad.

Información relacionada

1. Propiedades y ventajas del material

Este sustrato de cristal de silicio (Si) de 3 pulgadas de diámetro y orientación (110) es reconocido por su excepcional uniformidad y estable disposición reticular, lo que contribuye directamente a aumentar el rendimiento y la fiabilidad de los dispositivos. La orientación del sustrato a lo largo del plano (110) garantiza una densidad mínima de dislocaciones, lo que se traduce en una estructura cristalina más consistente que puede soportar temperaturas elevadas y entornos de alta presión. La pureza química mejorada favorece además un control preciso del dopaje, lo que permite propiedades superiores de conducción eléctrica esenciales para las aplicaciones de semiconductores de vanguardia.

La combinación de uniformidad de grosor y mínimos defectos superficiales de este sustrato de silicio ofrece una excelente rigidez dieléctrica para procesos de fabricación críticos. Esta característica le permite mantener la estabilidad dimensional durante pasos intrincados, como la deposición de películas finas y la fotolitografía. La robusta densidad mecánica de la oblea orientada (110) también proporciona una alta tolerancia a la tensión mecánica, mejorando así la longevidad y fiabilidad en circuitos y sistemas electrónicos complejos.

2. Aplicaciones en la industria avanzada

Ampliamente utilizado en la producción de transistores y sensores de alto rendimiento, el sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 3 pulgadas es especialmente valorado en campos como las telecomunicaciones y la industria aeroespacial. La orientación de esta oblea permite reducir las tasas de defectos al crear componentes de microprocesadores, lo que garantiza que los dispositivos puedan funcionar más rápidamente con una mayor eficiencia energética. Esta ventaja disminuye la generación total de calor en diversos circuitos integrados, reduciendo así la probabilidad de fallos del sistema en aplicaciones de misión crítica.

Las empresas dedicadas a los sistemas microelectromecánicos (MEMS) y a los dispositivos optoelectrónicos de nueva generación también se benefician significativamente de la fiable estructura cristalográfica del sustrato. La orientación (110) permite un grabado anisótropo más eficaz, que es un factor clave en la creación de canales y cavidades diseñados con precisión para sensores y actuadores MEMS. A medida que crece la demanda de componentes electrónicos más pequeños y eficientes, este sustrato de silicio sigue siendo un material fundamental para las actividades impulsadas por la investigación y la producción a gran escala en sectores de tecnología avanzada.

Especificación

Propiedad	Valor
Fórmula lineal	Si
Pureza	99.99%
Orientación cristalina	(110)
Método de crecimiento	Czochralski, zona flotante
Estructura cristalina	Cúbica
Constante de red	a = 0,543095 nm
Punto de fusión (°C)	1414 °C
Coeficiente de expansión térmica (/K)	2.3
Dureza (Mohs)	7
Masa molar (g/mol)	28.08
Densidad	2,33 g/cm³ (2330 kg/m³)
Índice de refracción	n = 3.9766
Constante dieléctrica	11,7 (silicio no dopado a baja frecuencia)
Estabilidad química	Estable
Tamaños	Diámetro 3 pulgadas
Espesor típico	0,5 mm
Tolerancias de tamaño	±0,1 mm
Tolerancias de grosor	±0,015 mm
Precisión de orientación	±0.5°
Opciones de pulido	Una cara (1SP) o Doble cara (2SP)
Rugosidad superficial (Ra)	< 0,5 nm
Rango de transmisión espectral	1,1 µm (1100 nm)
Conductividad térmica (W/m-K)	46,06 @ 0 °C, 25,12 @ 100 °C, 12,56 @ 400 °C
Absorción de agua	0%
Resistencia a la flexión	380 MPa
Max. Temperatura de trabajo	1200 °C

*La información anterior sobre el producto se basa en datos teóricos y es sólo de referencia. Las especificaciones reales pueden variar.

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