CY8548 Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 3 pulgadas

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 3 pulgadas Descripción

Fabricado a partir de silicio monocristalino de gran pureza, nuestro sustrato de cristal de silicio orientado (100) ofrece una uniformidad cristalina excepcional y una calidad de superficie sobresaliente. Con un diámetro de 3 pulgadas, se ha diseñado con precisión para obtener unos defectos de red mínimos, un excelente control del espesor y un dopaje uniforme, lo que lo convierte en una plataforma ideal para la investigación y el desarrollo de semiconductores de vanguardia. Su baja resistividad eléctrica y alta conductividad térmica garantizan una disipación del calor superior y un rendimiento estable, fundamentales para la microelectrónica avanzada, los sensores y los dispositivos fotónicos.

Cada sustrato se somete a una rigurosa inspección para cumplir los estrictos protocolos y normas de calidad de la industria, lo que se traduce en una planitud óptima de las obleas, una baja rugosidad superficial y altos niveles de pureza. Tanto si fabrica circuitos integrados, prototipos o componentes MEMS, nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) es una base fiable para cualquier aplicación de alto rendimiento.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 3 pulgadas Aplicaciones

Los sustratos de cristal de silicio (Si) con orientación (100), de 3 pulgadas de diámetro, presentan una resistencia mecánica, una conductividad térmica y unas características eléctricas excepcionales. Estas cualidades los convierten en una base ideal para numerosas tecnologías avanzadas. Al ofrecer una red cristalina consistente y unos defectos mínimos, estos sustratos permiten la deposición de películas finas, la fabricación de dispositivos, etc. Profundicemos en las aplicaciones clave en los sectores industrial, comercial y de investigación.

1. Aplicaciones industriales

-Fabricación de semiconductores: La estructura cristalina uniforme de los sustratos de silicio (100) es fundamental para producir microchips y circuitos integrados de alto rendimiento.

-Fabricación de MEMS: la estabilidad mecánica y la baja densidad de defectos del sustrato lo hacen adecuado para construir sistemas microelectromecánicos con geometrías precisas.

2. Aplicaciones de investigación

-Estudios de películas finas: los investigadores utilizan estos sustratos para investigar nuevos materiales, como películas dieléctricas o superconductoras avanzadas, gracias a sus fiables propiedades superficiales.

-Caracterización a nanoescala: La superficie lisa y la orientación cristalográfica bien definida facilitan la obtención de imágenes de alta resolución y el análisis en experimentos de nanotecnología.

3. Aplicaciones comerciales

-Células solares: La elevada pureza de las obleas de Silicio (100) garantiza una absorción eficaz de la luz para soluciones de energías renovables.

-Fabricación de LED: la excelente conductividad térmica del sustrato favorece una disipación eficaz del calor, lo que se traduce en un rendimiento constante de los LED y una mayor vida útil de los productos.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. Embalaje de 3 pulgadas

Estos sustratos de cristal de silicio (100) de 3 pulgadas de diámetro se colocan cuidadosamente en robustas bandejas antiestáticas revestidas de espuma para evitar daños y arañazos. A continuación, cada sustrato se sella al vacío en bolsas compatibles con salas limpias para minimizar la humedad y la contaminación por partículas. Almacene en un entorno controlado con temperatura estable y baja humedad. Para una protección adicional, se pueden solicitar etiquetados personalizados, bolsas dobles y envases de espuma expandida para satisfacer requisitos de manipulación y transporte especializados.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 3 pulgadas Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales propiedades del material del sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 3 pulgadas?

R1: El sustrato de cristal de silicio (Si) en la orientación (100) con un diámetro de 3 pulgadas suele tener un grosor de 375-525 µm, baja resistividad (<1 Ω-cm para obleas muy dopadas o superior para obleas ligeramente dopadas) y alta pureza (99,9999% o superior). La estructura monocristalina proporciona características eléctricas y mecánicas uniformes, mientras que la orientación (100) ofrece una planitud de superficie superior. La conductividad térmica de unos 149 W/m-K garantiza una disipación eficaz del calor durante el procesamiento del dispositivo.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: El sustrato debe manipularse con guantes limpios y sin pelusa para evitar la contaminación por partículas o irregularidades en la superficie. Se recomienda almacenar las obleas en un entorno de sala limpia de clase 100 o superior, utilizando soportes especializados para obleas que minimicen la vibración y el contacto. Las temperaturas deben permanecer estables entre 18 y 24 °C con una humedad relativa inferior al 40-50% para evitar descargas electrostáticas y preservar la integridad de la superficie a lo largo del tiempo.

P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 3 pulgadas?

A3: Estos sustratos suelen cumplir las especificaciones SEMI M1 en cuanto a diámetro, tolerancias de grosor, calidad de la superficie y precisión de la orientación. Muchos fabricantes también mantienen las certificaciones ISO 9001, que garantizan la coherencia de los procesos de producción y la trazabilidad. Los controles de calidad adicionales, como la baja variación del espesor total (TTV) y los estrictos umbrales de densidad de defectos, contribuyen a garantizar que cada oblea cumpla los rigurosos requisitos de la industria para aplicaciones de microfabricación, fotovoltaica y semiconductores avanzados.

Información relacionada

1. Propiedades y ventajas del material

Fabricado con concentraciones ultrabajas de contaminantes metálicos, el sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 3 pulgadas proporciona una base ideal para dispositivos semiconductores de alto rendimiento. Su orientación cristalina bien definida permite un comportamiento eléctrico predecible y una densidad de defectos mínima, lo que se traduce en una mayor movilidad de los portadores y un menor riesgo de dislocaciones que limiten el rendimiento. Estos atributos garantizan que la estructura de la oblea admita procesos litográficos avanzados y técnicas de deposición complejas, manteniendo al mismo tiempo una calidad constante en cada lote.

En los procesos de dopaje se pone especial cuidado en mantener unos rangos de resistividad precisos, lo que garantiza que el sustrato cumpla los estrictos requisitos de la fabricación de microelectrónica. La orientación (100), en particular, ofrece una excelente uniformidad de grabado y un grosor constante de la oblea, lo que es fundamental para formar patrones de circuitos de gran precisión. Esta combinación de estabilidad dimensional, baja rugosidad superficial y robusta resistencia mecánica refuerza aún más la idoneidad del sustrato para la fabricación de circuitos integrados de vanguardia.

2. Aplicaciones en la industria avanzada

Los principales fabricantes de semiconductores utilizan estas obleas de orientación de 3 pulgadas (100) para iniciativas de investigación y desarrollo destinadas a ampliar los límites del escalado de transistores y el rendimiento de los chips. En campos especializados como la optoelectrónica y la tecnología de sensores, la estructura cristalina orientada con precisión del sustrato garantiza una detección y transmisión fiables de las señales, lo que contribuye a mejorar la sensibilidad y precisión de los dispositivos. Además, la estabilidad de esta oblea a altas temperaturas amplía su uso en nuevas aplicaciones, como la electrónica de potencia y los sistemas microelectromecánicos.

Además, el sustrato de 3 pulgadas de diámetro admite una amplia gama de herramientas de proceso y equipos de prueba, lo que lo convierte en una opción popular tanto para la creación de prototipos como para series de producción a pequeña escala. Se pueden aplicar procesos de recubrimiento y perfiles de dopaje especializados para crear materiales personalizados para experimentos emergentes de nanoelectrónica y computación cuántica. Estas capacidades únicas ponen de relieve la versatilidad del sustrato en múltiples sectores, garantizando que se mantenga a la vanguardia de la fabricación de dispositivos electrónicos de próxima generación.