Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas

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CY8547 Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas

Catálogo No.	CY8547
Material	Silicio
Forma	Redondo

Stanford Advanced Materials (SAM) se dedica a suministrar materiales de alta pureza y primer nivel para los sectores de la industria y la investigación. Nuestra línea de sustratos de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas ejemplifica nuestro compromiso inquebrantable con la precisión y el rendimiento, garantizando propiedades electrónicas superiores para aplicaciones exigentes en semiconductores, fotovoltaica y otros sectores. Respaldada por una amplia labor de I+D y un riguroso control de calidad, SAM ofrece a sus clientes soluciones de vanguardia con plazos de entrega fiables. Confíe en nuestra probada experiencia técnica y fiabilidad para todas sus necesidades de materiales avanzados.

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Silicon (Si) Crystal Substrate (111) Dia. 2 inch

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Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas Descripción

Experimente un rendimiento superior con nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas, meticulosamente elaborado para la investigación de vanguardia en semiconductores y fotónica. La orientación cristalográfica (111) ofrece una calidad de cristal excepcional, por lo que es ideal para la fabricación de dispositivos avanzados como la electrónica de potencia y los sistemas microelectromecánicos (MEMS). Cada sustrato se pule hasta conseguir un acabado de espejo y mantiene unas tolerancias de grosor muy ajustadas, lo que garantiza una densidad de defectos mínima y unas condiciones de procesamiento estables.

Nuestras obleas de silicio (111) cumplen estrictas normas industriales y de calidad, incluidas inspecciones exhaustivas de la rugosidad de la superficie, la integridad de la estructura cristalina y la precisión dimensional. Esta dedicación a la excelencia garantiza resultados uniformes y repetibles tanto en I+D como en la fabricación de grandes volúmenes. Tanto si está desarrollando nuevas ópticas como circuitos integrados de nueva generación, nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas le ofrece la fiabilidad y el rendimiento que necesita.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas Aplicaciones

El sustrato de cristal de silicio (Si) (111) con un diámetro de 2 pulgadas es un material clave que presenta una uniformidad estructural excepcional, una orientación definida y una notable estabilidad térmica. La orientación (111) proporciona una superficie superior para el crecimiento epitaxial, permitiendo capas de alta calidad esenciales en la fabricación de dispositivos avanzados. Con su nivel controlado de impurezas y baja densidad de defectos, este sustrato garantiza precisión y fiabilidad en diversas aplicaciones industriales, de investigación y comerciales.

1. Aplicaciones industriales

-Aplicación 1: Fabricación de sensores y actuadores de alta temperatura, aprovechando la extraordinaria estabilidad térmica del sustrato.

-Aplicación 2: Dispositivos electrónicos de potencia, utilizando la baja densidad de defectos para mejorar el rendimiento y la longevidad.

2. Aplicaciones de investigación

-Aplicación 1: Estudios de computación cuántica, aprovechando el control preciso del dopaje para estabilizar los qubits.

-Aplicación 2: Investigaciones en ciencia de materiales, evaluando el crecimiento cristalino y la formación de defectos en superficies orientadas (111).

3. Aplicaciones comerciales

-Aplicación 1: Producción en masa de circuitos integrados de gama alta, que se benefician de la uniformidad estructural.

-Aplicación 2: tecnologías de visualización de próxima generación, utilizando la superficie cristalina superior para una estratificación epitaxial fiable.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas Embalaje

Cada sustrato de cristal de silicio (111) de 2 pulgadas de diámetro se envasa individualmente al vacío en una bolsa protectora de polietileno de bajas partículas y, a continuación, se acolcha con espuma en un contenedor resistente compatible con salas limpias. Para evitar la contaminación, utilice guantes al manipularlo y guárdelo en un entorno seco y de clima controlado. Las capas adicionales antiestáticas y de barrera contra la humedad garantizan la máxima pureza. Si se solicita, se pueden personalizar el etiquetado, las cantidades de envasado y los envases especializados, lo que garantiza la flexibilidad necesaria para satisfacer las distintas necesidades de investigación y producción.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas Preguntas frecuentes

Q1: ¿Cuáles son las principales propiedades del material del sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas?

R1: El sustrato de cristal de silicio (Si) con una orientación (111) suele ofrecer una gran estabilidad mecánica, una elevada pureza cristalográfica y niveles de dopaje uniformes, si procede. Su diámetro de 2 pulgadas corresponde a un estándar de oblea preciso para uso en investigación e industria. La conductividad térmica es de unos 150 W/mK, y el sustrato suele tener un grosor de 275-525 µm, lo que garantiza su compatibilidad con diversos procesos de microfabricación.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse el sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas?

A2: Al manipular el sustrato de cristal de silicio (Si), utilice siempre guantes sin polvo para evitar la contaminación y las huellas dactilares. Utilice pinzas de plástico o teflón para evitar arañazos en la frágil superficie de la oblea. Almacene el sustrato en un recipiente compatible con salas limpias en condiciones de baja humedad y sin polvo para minimizar la oxidación y las partículas. Evite los cambios bruscos de temperatura, ya que los choques térmicos pueden provocar deformaciones o microfisuras.

P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas?

A3: Los sustratos de cristal de silicio (Si) suelen cumplir las normas SEMI M1 que regulan las dimensiones de las obleas, la planitud de la superficie y la pureza del material. También pueden aplicarse certificaciones ISO adicionales, como ISO 9001, para la coherencia de la fabricación y la gestión de la calidad. Los proveedores suelen proporcionar un certificado de conformidad que incluye la verificación de la resistividad y el grosor. El cumplimiento de estas normas garantiza resultados fiables y reproducibles para la fabricación de dispositivos, la investigación de semiconductores y otras aplicaciones exigentes.

Información relacionada

1. Propiedades y ventajas del material

Partiendo de un plano (111) meticulosamente orientado, el sustrato de cristal de silicio (Si) Dia. 2 pulgadas presenta una uniformidad cristalina excepcional que mejora su integridad electrónica y estructural. Esta orientación reduce en gran medida los defectos de red, lo que lo hace especialmente adecuado para la fabricación de dispositivos avanzados en los que la consistencia y el rendimiento de alta fiabilidad son cruciales. El diámetro de precisión de 2 pulgadas garantiza un equilibrio óptimo entre la flexibilidad del diseño del dispositivo y la gestión de costes, mientras que las características de expansión térmica estable del sustrato minimizan la distorsión durante el procesamiento a alta temperatura.

Reforzado por su fuerte enlace covalente, este sustrato de cristal de silicio proporciona una base robusta que puede soportar una serie de aplicaciones exigentes. La menor densidad de defectos de la orientación (111) favorece una mayor movilidad de los portadores, lo que se traduce en un transporte de electrones más eficiente para la electrónica de potencia y los circuitos de alta velocidad. Además, su elevada estabilidad química y el acabado plano de su superficie favorecen el desarrollo de diversas capas de película fina, allanando el camino para novedosas aplicaciones en sistemas microelectromecánicos (MEMS) y dispositivos cuánticos.

2. Aplicaciones en la industria avanzada

Gracias a su baja rugosidad superficial y a la excepcional orientación del cristal, el sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 2 pulgadas se emplea ampliamente en la fabricación de transistores de potencia, sensores y otros dispositivos microelectrónicos de última generación. Su capacidad para mantener la fidelidad estructural en condiciones de procesamiento agresivas lo convierte en un candidato idóneo para integrar heteroestructuras de semiconductores compuestos, ampliando así su alcance a la optoelectrónica de vanguardia. Esta combinación de control preciso del grosor y perfiles de dopaje uniformes proporciona resultados fiables de forma sistemática, un factor decisivo en industrias que exigen una calidad constante lote a lote.

Las elaboradas técnicas litográficas también aprovechan la superficie (111) del silicio para lograr una resolución de línea fina, allanando el camino para componentes fotónicos y nanoelectrónicos avanzados. Tanto si se utiliza en comunicaciones de datos de alto rendimiento como en sistemas especializados de sensores de automoción, este sustrato destaca por sus características eléctricas constantes que facilitan el funcionamiento estable de los dispositivos. A medida que diversos campos siguen adoptando tecnologías de semiconductores cada vez más complejas, la capacidad del sustrato de silicio (111) para proporcionar una integración fluida y una fabricación de alto rendimiento sigue siendo esencial para ampliar los límites de la innovación electrónica moderna.

Especificación

Propiedad	Valor
Fórmula lineal	Si
Pureza	99.99%
Orientación cristalina	(111)
Método de crecimiento	Czochralski, zona flotante
Estructura cristalina	Cúbica
Constante de red	a = 0,543095 nm
Punto de fusión (°C)	1414 °C
Coeficiente de expansión térmica (/K)	2.3
Dureza (Mohs)	7
Masa molar (g/mol)	28.08
Densidad	2,33 g/cm³ (2330 kg/m³)
Índice de refracción	n = 3.9766
Constante dieléctrica	11,7 (silicio no dopado a baja frecuencia)
Estabilidad química	Estable
Tamaños	Diámetro 2 pulgadas
Espesor típico	0,5 mm
Tolerancias de tamaño	±0,1 mm
Tolerancias de espesor	±0,015 mm
Precisión de orientación	±0.5°
Opciones de pulido	Una cara (1SP) o Doble cara (2SP)
Rugosidad superficial (Ra)	< 0,5 nm
Rango de transmisión espectral	1,1 µm (1100 nm)
Conductividad térmica (W/m-K)	46,06 @ 0 °C, 25,12 @ 100 °C, 12,56 @ 400 °C
Absorción de agua	0%
Resistencia a la flexión	380 MPa
Max. Temperatura de trabajo	1200 °C

*La información anterior sobre el producto se basa en datos teóricos y es sólo de referencia. Las especificaciones reales pueden variar.

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