Descatalogado (Descatalogado) GP5515 Sílice fundida

Catálogo No.	GP5515
Apariencia	Polvo blanco
Densidad	2,2 g/cm3
Composición	SiO2

La sílicefundida se produce a partir de cuarzo de gran pureza fundiéndolo a altas temperaturas, enfriándolo rápidamente, triturándolo, clasificándolo y moliéndolo. Stanford Advanced Materials (SAM) ofrece sílice fundida de alta calidad adecuada para refractarios, paneles sintéticos y otras aplicaciones con una gran experiencia y conocimientos profesionales.

Productos relacionados: Nano dióxido de silicio en polvo, Silicato de zinc en polvo, Sílice esférica (SiO2) en polvo, Nanopartículas de sílice sólida carboxilada

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(Descatalogado) GP5515 Sílice fundida

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Apariencia

Polvo blanco

Densidad

2,2 g/cm3

Composición

SiO2

SM4369 Sílice esférica en polvo (SiO2)

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Color

Blanco

Pureza

≥98%, ≥99%, o personalizado

Tamaño de las partículas

1-5 μm, o personalizado

Sinónimos

Sílice esférica en polvo, SiO2 esférico en polvo

GP5512 Polvo cerámico de sílice, alúmina y circonio (SiO2-Al2O3-ZrO2)

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Apariencia

Polvo blanco

Composición

SiO2, Al2O3, ZrO2, etc.

Densidad

3,2 g/cm3

APS

D50 5±1μm

GP5513 Fibra de cuarzo en polvo SiO2

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Apariencia

Polvo blanco

APS

D50 3-25 μm

Composición

SiO2

Punto de fusión

1700℃

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Información fisicoquímica
Densidad	2,2 g/cm3
Dureza Mohs	6
Conductividad térmica	1,1W/K-m
Constante dieléctrica DK	3,88εr
Pérdida dieléctrica Df	0,0002 tgδ
Coeficiente de expansión lineal	0.5*10^-6 1/K
Conductividad	≤30 uS/cm

Datos químicos
SiO2	>99%
Al2O3	<0.02%
Fe2O3	<0.005%

Información fisicoquímica
Densidad	2,2 g/cm3
Dureza Mohs	6
Conductividad térmica	1,1W/K-m
Constante dieléctrica DK	3,88εr
Pérdida dieléctrica Df	0,0002 tgδ
Coeficiente de expansión lineal	0.5*10^-6 1/K
Conductividad	≤30 uS/cm

Datos químicos
SiO2	>99%
Al2O3	<0.02%
Fe2O3	<0.005%

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Descatalogado (Descatalogado) GP5515 Sílice fundida

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