ST18696: Blanco de pulverización de cobalto, manganeso y silicio (Co-Mn-Si)

Catálogo No.	ST18696
Pureza	99,5 %
Formulario	Blanco de pulverización catódica

El blanco de pulverización de cobalto, manganeso y silicio (Co-Mn-Si) es un material de aleación para pulverización sintetizado mediante fusión por inducción al vacío y sinterización por plasma de chispa (SPS). SAM fabrica configuraciones de blancos con estequiometría personalizada, alta densidad y tamaños de grano exactos para evitar la generación de defectos. También ofrecemos servicios de unión a placas de soporte de cobre para adaptarnos a configuraciones de pulverización catódica con magnetrones de alta potencia.

Productos relacionados: Targets giratorios de hierro, cobalto y boro; targets de cobalto, cromo y tungsteno; targets de pulverización catódica de aleación de cobalto y tantalio.

CONSULTA

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Cobalt Manganese Silicon Sputtering Target Co-Mn-Si Target

Descripción

Especificación

Opiniones

Propiedad	Valor
Fórmula química	Co-Mn-Si / Co₂MnSi
Forma	Blanco de pulverización catódica
Pureza	99,5 %
Estructura cristalina	Estructura de Heusler ordenada L2₁
Orden de largo alcance	>90 %
Índice de polarización de espín	>95 % (límite teórico del nivel de Fermi)
Temperatura de Curie	~985 K
Ancho de línea de resonancia ferromagnética (ΔH)	<10 Oe
Ángulo de Hall anómalo	>3 %
Magnetorresistencia de túnel (TMR)	>250 % (a temperatura ambiente), >500 % (a 4,2 K)
Cambio de entropía magnética (ΔS)	~10,2 J/kg·K (bajo un cambio de campo magnético de 1,5 T)
Contenido de oxígeno en los límites de grano	<100 ppm

Propiedad	Valor
Fórmula química	Co-Mn-Si / Co₂MnSi
Forma	Blanco de pulverización catódica
Pureza	99,5 %
Estructura cristalina	Estructura de Heusler ordenada L2₁
Índice de polarización de espín	>95 % (límite teórico del nivel de Fermi)
Temperatura de Curie	~985 K
Ancho de línea de resonancia ferromagnética (ΔH)	<10 Oe
Ángulo de Hall anómalo	>3 %
Magnetorresistencia de túnel (TMR)	>250 % (a temperatura ambiente), >500 % (a 4,2 K)
Cambio de entropía magnética (ΔS)	~10,2 J/kg·K (bajo un cambio de campo magnético de 1,5 T)
Contenido de oxígeno en los límites de grano	<100 ppm

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Pureza

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Objetivo

Pureza

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Forma

Redondo, personalizado

Formulario

Objetivo

FAQ

¿Por qué se recomienda utilizar una placa de soporte para los blancos de pulverización de cobalto, manganeso y silicio (Co-Mn-Si)?

El Co-Mn-Si es una aleación de Heusler frágil, propensa a sufrir fisuras por tensión térmica durante la deposición física de vapor (PVD) a alta potencia. La unión del blanco a una placa de soporte de cobre proporciona soporte mecánico, facilita la disipación del calor y evita la aparición de fisuras a altas densidades de potencia.

¿Cómo influye la estequiometría del blanco de Co-Mn-Si en la polarización de espín de las películas depositadas?

Las desviaciones respecto a la estequiometría del Co₂MnSi provocan desórdenes en las posiciones atómicas, como los antisitios de Co-Mn, que comprometen la banda prohibida semimetálica. El mantenimiento de una estequiometría química precisa en el blanco de pulverización catódica permite obtener una alta polarización de espín (por encima del 95 % teóricamente) y maximiza la magnetorresistencia de túnel en los dispositivos espintrónicos.

¿Qué método de sinterización se utiliza para alcanzar la elevada densidad teórica de estos blancos?

Utilizamos el sinterizado por plasma de chispa (SPS) combinado con la fusión en suspensión al vacío. El SPS aplica simultáneamente presión uniaxial y corrientes pulsadas de alta intensidad, lo que densifica rápidamente el material de partida hasta superar el 99 % de la densidad teórica. Este proceso limita el crecimiento de los granos y reduce el contenido de oxígeno en los límites de grano a menos de 100 ppm.