CM18721: Sustratos cerámicos con recubrimiento directo de cobre (DPC)

Catálogo No.	CM18721
Formulario	Placa / Lámina
Dimensiones	Tamaños personalizados de hasta 200 mm x 200 mm
Pureza	≥ 99,9 %
Sinónimos	Sustratos cerámicos con recubrimiento directo de cobre, cerámica DPC, sustratos cerámicos metalizados

Los sustratos cerámicos de cobre galvanizado directo (DPC) son cerámicas metalizadas de película fina que presentan una capa de cobre de alta pureza galvanizada directamente sobre bases de alúmina (Al₂O₃) o nitruro de aluminio (AlN). SAM fabrica patrones de circuitos con una alta adhesión entre el metal y la cerámica y una baja rugosidad superficial, lo que aumenta la transferencia de calor y la conectividad eléctrica en los encapsulados microelectrónicos.

Productos relacionados: Sustrato cerámico de cobre de unión directa (DBC), sustrato cerámico de nitruro de aluminio (AlN) chapado en oro, sustrato cerámico de alúmina chapado en níquel y oro

CONSULTA

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Direct Plated Copper (DPC) Ceramic Substrates

Descripción

Especificación

Opiniones

Propiedad	Valor
Materiales cerámicos de base	Alúmina (_Al₂O₃), Nitruro de aluminio (AlN)
Espesor de la película de cobre	De 10 µm a 100 µm
Espesor de la base cerámica	De 0,15 mm a 1,0 mm
Rugosidad superficial (Ra)	≤ 0,3 µm
Ancho de línea / Espaciado	Hasta 30 µm / 30 µm
Resistencia de adhesión	≥ 20 MPa (o ≥ 1,5 kg/mm²)
Precisión en la fabricación de la topología	± 1 %
Pureza de la capa de cobre	≥ 99,9 % de cobre libre de oxígeno
Conductividad térmica	Alúmina: 24 - 30 W/m·K; nitruro de aluminio: 170 - 200 W/m·K
Rigidez dieléctrica	≥ 10 kV/mm
Soldabilidad	Compatible con soldaduras eutécticas estándar (AuSn, SAC)

Propiedad	Valor
Materiales cerámicos de base	Alúmina (_Al₂O₃), nitruro de aluminio (AlN)
Espesor de la película de cobre	De 10 µm a 100 µm
Espesor de la base cerámica	De 0,15 mm a 1,0 mm
Rugosidad superficial (Ra)	≤ 0,3 µm
Ancho de línea / Espaciado	Hasta 30 µm / 30 µm
Resistencia de adhesión	≥ 20 MPa (o ≥ 1,5 kg/mm²)
Precisión en la fabricación de la topología	± 1 %
Pureza de la capa de cobre	≥ 99,9 % de cobre libre de oxígeno
Conductividad térmica	Alúmina: 24 - 30 W/m·K; nitruro de aluminio: 170 - 200 W/m·K
Rigidez dieléctrica	≥ 10 kV/mm
Soldabilidad	Compatible con soldaduras eutécticas estándar (AuSn, SAC)

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Formulario

Placa / Lámina

Dimensiones

Tamaños personalizados de hasta 200 mm x 200 mm

Pureza

≥ 99,9 %

Sinónimos

Sustratos cerámicos con recubrimiento directo de cobre, cerámica DPC, sustratos cerámicos metalizados

CM18635 Placa de óxido de titanio (TiO₂) (N.º CAS: 13463-67-7)

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Fórmula química

TiO₂

Formulario

Plato

CM18634 Disco de carburo de titanio (TiC)

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Apariencia

Disco liso gris

Pureza

≥99,5 %

Formulario

Disco

SM15992: Polvo de vidrio borosilicato de bajo punto de fusión

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Formulario

Polvo

FAQ

¿Cuáles son las principales diferencias estructurales entre los sustratos de cobre recubierto directamente (DPC) y los de cobre unido directamente (DBC)?

Los sustratos DPC utilizan la deposición por pulverización catódica de película fina seguida de galvanoplastia para formar capas de cobre de menos de 100 micras sin fase vítrea, lo que permite obtener trazas de circuito más finas. Los sustratos DBC fusionan láminas de cobre más gruesas (de más de 120 micras) mediante unión eutéctica a alta temperatura, lo que hace que el DBC sea más adecuado para módulos de mayor intensidad de corriente y que el DPC sea mejor para paquetes de alta densidad.

¿Cómo afecta la ausencia de una fase vítrea en la metalización DPC al rendimiento eléctrico y térmico?

La metalización de película gruesa utiliza aglutinantes de frita de vidrio que aumentan la resistencia térmica y eléctrica. La tecnología DPC deposita cobre directamente sobre la cerámica mediante deposición física de vapor. Esta interfaz directa, sin vidrio, optimiza la transferencia térmica y la conductividad eléctrica, lo que reduce la pérdida de señal en los circuitos de alta frecuencia.

¿Qué material cerámico de base se debe elegir para aplicaciones con LED de alta potencia y láseres semiconductores?

El nitruro de aluminio (AlN) es el material base preferido para la disipación térmica de alta potencia. El AlN ofrece una conductividad térmica de entre 170 y 200 W/m·K, lo que es significativamente superior a la de la alúmina (entre 24 y 30 W/m·K). Esta mayor tasa de transferencia de calor reduce las temperaturas de unión durante el funcionamiento, lo que prolonga la vida útil de los dispositivos optoelectrónicos.