CY9434 Oblea de silicio con 100 nm de diámetro de oro. 2 pulgadas x 525 μm de espesor

Oblea de silicio con 100 nm de oro Dia. 2 pulgadas x 525 μm de espesor Descripción

Este producto consiste en una oblea de silicio cristalino, recubierta uniformemente con una capa de oro de 100 nm mediante sputtering. El diámetro de 2 pulgadas y el grosor de 525 μm se alinean con el utillaje estándar para semiconductores, proporcionando compatibilidad con los equipos de procesamiento establecidos. La capa de oro mejora la conductividad eléctrica y ofrece inercia química. Su deposición controlada minimiza la tensión de la película y las anomalías superficiales, garantizando un rendimiento preciso para la fabricación de dispositivos microelectrónicos y sensores avanzados.

Oblea de silicio con 100 nm de oro Dia. 2 pulgadas x 525 μm de espesor Aplicaciones

Fabricación de electrónica y semiconductores
- Utilizado como capa conductora en circuitos integrados para lograr contactos eléctricos estables utilizando las propiedades inertes del oro.
- Aplicado en dispositivos sensores para garantizar vías de baja resistencia aprovechando la deposición uniforme sobre sustratos de silicio.

Microfabricación industrial
- Sirve como sustrato en dispositivos MEMS para mantener la estabilidad y consistencia dimensional aprovechando las dimensiones estándar de las obleas.
- Se utiliza con frecuencia en entornos de investigación para desarrollar prototipos que requieren intercalaciones de oro precisas para mejorar la integridad de la señal.

Oblea de silicio con diámetro de oro de 100 nm. 2 pulgadas x 525 μm de grosor Embalaje

La oblea se embala individualmente en un contenedor acolchado y antiestático para evitar daños mecánicos y descargas electrostáticas. Se sella en polietileno a prueba de humedad y se apoya en inserciones de espuma a medida. El almacenamiento recomendado en un entorno de temperatura controlada y baja humedad minimiza la contaminación y la oxidación. El embalaje puede personalizarse con etiquetado adicional y compartimentación para adaptarse a requisitos de manipulación específicos.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué métodos de inspección se utilizan para garantizar la uniformidad de la capa de oro de 100 nm?
R1: La uniformidad de la superficie se verifica mediante microscopía electrónica de barrido (SEM) y microscopía de fuerza atómica (AFM). Estas técnicas detectan cualquier desviación en el grosor de la película o defectos microestructurales, garantizando que el proceso de deposición cumple las tolerancias de ingeniería precisas.

P2: ¿Cómo influye el grosor de 525 μm en el rendimiento de la oblea durante el procesamiento?
A2: El grosor de 525 μm proporciona estabilidad mecánica, minimizando el alabeo durante los ciclos térmicos y permitiendo la compatibilidad con los equipos estándar de procesamiento de obleas. Esta dimensión ayuda a mantener la integridad estructural durante los siguientes pasos de microfabricación.

P3: ¿Existen procedimientos de manipulación específicos recomendados para la oblea de silicio recubierta de oro?
R3: Sí, es aconsejable manipular la oblea con herramientas antiestáticas en un entorno limpio. Minimizar el contacto directo evita la contaminación por partículas y los daños en la superficie, lo cual es fundamental para mantener la integridad de la capa de oro durante el procesamiento posterior.

Información adicional

Las obleas de silicio son componentes fundamentales en la tecnología de semiconductores debido a sus propiedades materiales bien caracterizadas y a su compatibilidad con una amplia gama de procesos de deposición. La integración de una capa de oro, de espesor controlado con precisión, añade características eléctricas y superficiales beneficiosas, que son esenciales para mejorar el rendimiento de interconexión en dispositivos microelectrónicos.

Comprender las interacciones materiales entre el silicio y las películas metálicas delgadas es clave para desarrollar dispositivos avanzados. La interacción de la expansión térmica, las propiedades de adhesión y la calidad de la deposición son factores críticos para la fiabilidad a largo plazo de los componentes electrónicos y las matrices de sensores.