CY9433 Oblea de silicio con 100 nm de diámetro de oro. 4 pulgadas x 525 μm de espesor

Oblea de silicio con 100 nm de oro Dia. 4 pulgadas x 525 μm de espesor Descripción

Oblea de silicio con 100 nm de oro Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor comprende un sustrato de silicio recubierto uniformemente con una película de oro de 100 nm mediante deposición física de vapor controlada. El diámetro de 4 pulgadas emparejado con un grosor de 525 μm garantiza la compatibilidad con los equipos estándar de procesamiento de semiconductores. La capa de oro proporciona baja resistividad eléctrica e inercia química, lo que la hace adecuada como plataforma de pruebas para mediciones eléctricas y estudios de adherencia en la creación de prototipos de sustratos.

Oblea de silicio con 100 nm de oro Dia. 4 pulgadas x 525 μm de espesor Aplicaciones

1.Electrónica
- Utilizado como sustrato en la fabricación de circuitos integrados para lograr un rendimiento eléctrico definido aprovechando el recubrimiento uniforme de oro.
- Aplicado en configuraciones de calibración de sensores para reducir la resistencia de contacto utilizando las propiedades consistentes de la película metálica.

2.Investigación y desarrollo
- Se emplea como oblea de prueba en la optimización de procesos para controlar la uniformidad de la deposición aprovechando la capa de oro controlada con precisión.
- Utilizado con frecuencia como material de referencia en estudios de superficie para evaluar las características de unión y adhesión aprovechando la interfaz de oro químicamente inerte.

Oblea de silicio con 100 nm de oro Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor Embalaje

La oblea está protegida en un contenedor antiestático con un inserto de espuma para mitigar los choques mecánicos y la contaminación. Está encerrada en una bolsa purgada con nitrógeno para minimizar la oxidación y la exposición a partículas. Estas medidas ayudan a mantener la integridad del sustrato durante el transporte y el almacenamiento a largo plazo en entornos controlados.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo se verifica la uniformidad de la capa de oro de 100 nm?
R1: El grosor de la capa de oro se confirma mediante reflectometría de rayos X y microscopía de fuerza atómica. Estas técnicas de medición proporcionan datos cuantitativos sobre la uniformidad de la película, que es esencial para garantizar un comportamiento eléctrico adecuado en aplicaciones de semiconductores.

P2: ¿Qué rugosidad superficial se observa en estas obleas?
A2: La rugosidad de la superficie se caracteriza mediante microscopía de fuerza atómica y suele mostrar variaciones subnanométricas. Una baja rugosidad superficial favorece una deposición uniforme de la película y unas propiedades de interfaz consistentes para la fabricación de dispositivos.

P3: ¿Cómo protege el embalaje la oblea durante su manipulación y envío?
A3: La oblea se guarda en un contenedor antiestático purgado con nitrógeno, con inserciones de espuma para amortiguar los golpes y evitar la contaminación por partículas. Estas medidas ayudan a preservar el estado de la superficie y la integridad estructural de la oblea durante el transporte.

Información adicional

Las obleas de silicio son una plataforma fundamental en la fabricación de dispositivos semiconductores, ya que soportan diversos procesos de deposición y litografía. La aplicación de una fina película de oro mejora la conductividad eléctrica y la estabilidad química, factores esenciales para mediciones eléctricas precisas y estudios de unión en entornos de investigación.

La deposición de oro sobre silicio exige un control estricto de las condiciones de deposición y las capas de adhesión. Técnicas como la difracción de rayos X y la microscopía de fuerza atómica se emplean habitualmente para evaluar la integridad de la película. La comprensión de estas interacciones materiales contribuye a mejorar el control de los procesos y el rendimiento de los dispositivos en microelectrónica.