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CY9433 Oblea de silicio con 100 nm de diámetro de oro. 4 pulgadas x 525 μm de espesor

Catálogo No. CY9433
Material Silicio, oro
Forma Disco
Formulario Oblea

Oblea de silicio con 100 nm de oro Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor se fabrica utilizando técnicas avanzadas de deposición física para formar una capa uniforme de oro de 100 nm sobre un sustrato de silicio de 4 pulgadas con un grosor de 525 μm. Stanford Advanced Materials (SAM) utiliza métodos de fabricación de grado semiconductor y lleva a cabo la inspección óptica junto con la perfilometría de la superficie. El proceso minimiza la contaminación por partículas y la variación de la película, lo que es fundamental para las pruebas y el desarrollo de sustratos en microelectrónica.

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Silicon Wafer with 100 nm Gold Dia. 4 inch x 525 μm thick
Silicon Wafer with 100 nm Gold Dia. 4 inch x 525 μm thick
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Material
Silicio, oro
Forma
Disco
Formulario
Oblea
 
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Pureza
99,99 %
Fórmula química
GaSb
Diámetro
2", 3", 4"
Espesor
500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm
Orientación
(100) / (111) ±0,5°
 
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Material
GaN
Espesor
300-450um
Diámetro
Ø 2" / Ø 4" / Ø 6"
 
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Material
Al2O3
Espesor
0,35-1 mm, o a medida
Diámetro
Ø 1-8", o a medida
Formulario
Oblea
Pureza
≥99.999%
Sinónimos
Oblea de zafiro, Oblea de Al2O3

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