CY9432 Oblea de silicio con 50 nm de diámetro de oro. 4 pulgadas x 525 μm de grosor

Oblea de silicio con diámetro de oro de 50 nm. 4 pulgadas x 525 μm de espesor Descripción

Esta oblea de silicio presenta una capa de oro de 50 nm depositada sobre una oblea de 4 pulgadas con un grosor de 525 μm. La película de oro se aplica mediante una técnica calibrada de deposición física de vapor que consigue una cobertura uniforme. El grosor y el diámetro cumplen las especificaciones estándar de fabricación de semiconductores, lo que garantiza la compatibilidad con los equipos de procesamiento habituales. La capa de oro inerte sirve de interfaz conductora eficaz y de barrera contra la oxidación durante la fabricación del dispositivo.

Oblea de silicio con diámetro de oro de 50 nm 4 pulgadas x 525 μm de espesor Aplicaciones

Electrónica y semiconductores
- Utilizado como metalización en circuitos microelectrónicos para mejorar la conducción de señales aprovechando su recubrimiento uniforme de oro.
- Aplicado como sustrato en la fabricación de circuitos integrados para reducir la resistencia de contacto mediante la deposición controlada de la película.

Sensores y optoelectrónica
- Sirve como capa conductora en conjuntos de sensores para minimizar la oxidación aprovechando la naturaleza inerte de la capa de oro.
- Se emplea en módulos fotodetectores para garantizar interfaces eléctricas estables con perfiles de espesor uniformes.

Oblea de silicio con 50 nm de oro dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor Embalaje

La oblea se embala en un contenedor antiestático con acolchado de espuma para absorber los golpes y evitar daños mecánicos. Una barrera contra la humedad y controles de contaminación están integrados dentro del embalaje para proteger la superficie de oro. El contenedor está diseñado para unas condiciones de almacenamiento controladas que eviten las fluctuaciones de temperatura. Si lo desea, podemos personalizar el embalaje con aislamiento térmico y etiquetado específico.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta el proceso de deposición de oro al rendimiento de la oblea en la fabricación de semiconductores?
R1: La técnica de deposición física de vapor garantiza un recubrimiento de oro uniforme de 50 nm, que proporciona una conductividad eléctrica y una pasivación superficial constantes. El control preciso del grosor de la película minimiza la contaminación y las irregularidades de la superficie, lo que resulta esencial para los procesos posteriores de fotolitografía y grabado.

P2: ¿Qué condiciones de almacenamiento se recomiendan para mantener la integridad de la superficie de la oblea?
A2: La oblea debe almacenarse en un entorno controlado con temperatura estable y baja humedad. El embalaje antiestático y protegido de la humedad ayuda a limitar la contaminación por partículas y la exposición a productos químicos, garantizando que la capa de oro permanezca intacta y funcional a lo largo del tiempo.

P3: ¿Es posible modificar el tamaño de las obleas o el grosor del metal para satisfacer requisitos de fabricación específicos?
R3: Existen opciones de personalización para ajustar las dimensiones o el grosor del metal. El servicio de asistencia técnica puede asesorar sobre las modificaciones viables para ajustarse a las tolerancias estándar de procesamiento de semiconductores, manteniendo al mismo tiempo la integridad del proceso de deposición.

Información adicional

Las obleas de silicio constituyen el sustrato esencial en la fabricación de circuitos integrados. La precisión en la fabricación de obleas, incluidos los tratamientos superficiales y la deposición controlada de películas conductoras, influye directamente en el rendimiento y las prestaciones de los dispositivos. El control detallado de los parámetros de deposición garantiza que la capa de metalización favorezca una unión eficaz y una baja resistencia al contacto.

La metalización con oro se emplea ampliamente en la fabricación de semiconductores debido a su inercia química y excelente conductividad. Los procesos de deposición de película fina utilizados para estos recubrimientos se optimizan para reducir la contaminación por partículas y lograr una estratificación uniforme. Este enfoque controlado garantiza un rendimiento constante en los siguientes pasos de fabricación y contribuye a mejorar la estabilidad de los dispositivos durante largos periodos de uso.