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CY9432 Oblea de silicio con 50 nm de diámetro de oro. 4 pulgadas x 525 μm de grosor

Catálogo No. CY9432
Material Silicio, oro
Forma Disco
Formulario Oblea

Oblea de silicio con 50 nm de oro Dia. 4 pulgadas x 525 μm de espesor es un sustrato de silicio que presenta una capa de oro de 50 nm depositada con precisión sobre una oblea de cuatro pulgadas de diámetro y 525 μm de espesor. Stanford Advanced Materials (SAM) aplica rigurosas inspecciones ópticas y evaluaciones de rugosidad superficial para controlar la uniformidad de la película. El proceso de deposición minimiza la contaminación por partículas y garantiza una metalización homogénea durante el procesamiento de las obleas, lo que resulta crítico para las aplicaciones de fabricación de semiconductores.

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Silicon Wafer with 50 nm Gold Dia. 4 inch x 525 μm thick
Silicon Wafer with 50 nm Gold Dia. 4 inch x 525 μm thick
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Material
Silicio, oro
Forma
Disco
Formulario
Oblea
 
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Pureza
99,99 %
Fórmula química
GaSb
Diámetro
2", 3", 4"
Espesor
500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm
Orientación
(100) / (111) ±0,5°
 
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Material
GaN
Espesor
300-450um
Diámetro
Ø 2" / Ø 4" / Ø 6"
 
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Material
Al2O3
Espesor
0,35-1 mm, o a medida
Diámetro
Ø 1-8", o a medida
Formulario
Oblea
Pureza
≥99.999%
Sinónimos
Oblea de zafiro, Oblea de Al2O3

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