Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada

Hogar

Inicio

Productos

Sustratos de cristal

CY8542 Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada

Catálogo No.	CY8542
Material	Silicio
Forma	Redondo

Stanford Advanced Materials (SAM) es un proveedor mundial de confianza de materiales de alto rendimiento, reconocido por su experiencia, fiabilidad y compromiso con la innovación. Nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (100) con un diámetro de 1 pulgada se fabrica cuidadosamente para cumplir las exigentes normas del sector, ofreciendo una pureza, uniformidad y precisión dimensional superiores para la investigación y producción avanzadas. Con décadas de experiencia al servicio de sectores punteros de todo el mundo, SAM suministra sistemáticamente sustratos fiables y de alta calidad optimizados para el desarrollo de semiconductores. Descubra cómo nuestra estricta garantía de calidad y nuestro receptivo servicio de atención al cliente nos distinguen como socio principal para todas sus necesidades de materiales avanzados.

CONSULTA

Añadir a la comparación

Silicon (Si) Crystal Substrate (100) Dia. 1 inch

Descripción

Especificación

Opiniones

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada Descripción

El sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada está meticulosamente diseñado para ofrecer una uniformidad y pureza excepcionales, lo que lo convierte en la base ideal para una amplia gama de aplicaciones microelectrónicas y fotónicas. Con una baja densidad de defectos y una estrecha tolerancia de espesor, esta oblea monocristalina garantiza resultados uniformes en procesos como el crecimiento epitaxial, la deposición de películas finas y la fabricación de dispositivos. Su orientación cristalográfica (100) proporciona unas propiedades eléctricas y mecánicas óptimas, junto con una estructura reticular estable propicia para aplicaciones de alta precisión.

Fabricado con arreglo a rigurosas normas de control de calidad, este sustrato cumple o supera los criterios de referencia del sector en cuanto a rugosidad superficial, precisión dimensional y composición del material. Su excelente conductividad térmica y robusta resistencia mecánica garantizan un rendimiento fiable incluso en condiciones difíciles. Tanto si se utiliza en investigación, creación de prototipos o producción de gran volumen, esta oblea de silicona de primera calidad ofrece la consistencia y durabilidad que exigen las innovaciones de alta tecnología de hoy en día.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada Aplicaciones

En la electrónica de vanguardia y la investigación de materiales avanzados, el sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada destaca por su estructura uniforme, alta pureza y excelente estabilidad térmica. Estas características garantizan una movilidad eficiente de los portadores de carga y una robusta integridad mecánica. En consecuencia, este sustrato permite a fabricantes, investigadores y empresarios superar los límites del rendimiento de los dispositivos, los descubrimientos científicos y las soluciones de productos innovadores.

1. Aplicaciones industriales

-Fabricación de dispositivos semiconductores: Aprovecha la orientación uniforme de los cristales y la alta pureza para producir circuitos integrados fiables con un rendimiento optimizado.

-Producción de sensores de alta precisión: Aprovecha la excelente estabilidad térmica para sensores que requieren mediciones precisas y constantes en entornos exigentes.

2. Aplicaciones de investigación

-Investigaciones en computación cuántica: Aprovecha la superior movilidad de los portadores de carga para explorar procesos cuánticos y desarrollar arquitecturas computacionales de nueva generación.

-Experimentos ópticos y fotónicos: Proporciona una plataforma estable para investigar tecnologías basadas en la luz y avances en ciencia de materiales.

3. Aplicaciones comerciales

-Avances en electrónica de consumo: Permite fabricar dispositivos más rápidos, pequeños y eficientes desde el punto de vista energético gracias a su robusta integridad mecánica y su capacidad de dopaje constante.

-Células solares de capa fina: Ofrece un sustrato fiable para diseños fotovoltaicos innovadores que buscan maximizar la eficiencia de conversión de energía.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. Embalaje de 1 pulgada

Cada sustrato de cristal de Silicio (Si) (100) de 1 pulgada de diámetro está sellado en un entorno de sala limpia y protegido con una bolsa de polietileno antiestática de doble capa. Encerrado en un soporte de plástico acolchado o en un recipiente forrado de espuma, el sustrato permanece protegido de tensiones mecánicas y contaminantes. Almacénelo en un lugar seco y con temperatura controlada para mantener la integridad de la oblea. Si lo desea, puede solicitar medidas de protección adicionales, como cajas selladas y purgadas con nitrógeno, que garantizan soluciones de embalaje totalmente personalizadas.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales propiedades del material del sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada?

R1: El sustrato suele presentar una estructura monocristalina alineada con la orientación (100) para obtener perfiles de dopaje uniformes. Es conocido por su alta movilidad electrónica, grosor consistente y resistividad precisa, a menudo en el rango de ohm-cm. Su conductividad térmica también es notable, lo que facilita la disipación del calor. Sus bajos niveles de impurezas garantizan unos defectos mínimos, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de semiconductores de alto rendimiento.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: Para una manipulación segura, siempre se deben utilizar guantes de sala limpia o protectores de dedos para evitar la contaminación por aceites o partículas. Evite tocar directamente la superficie pulida y utilice pinzas o varillas de vacío limpias y antiestáticas para mover el sustrato. Almacene la oblea en un soporte protector o contenedor sellado dentro de un entorno con humedad controlada para minimizar la oxidación y la acumulación de partículas. Inspeccione periódicamente las condiciones de almacenamiento para mantener la calidad del sustrato.

P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada?

R3: Los fabricantes suelen cumplir la norma ISO 9001 de gestión de la calidad, que garantiza procesos de producción coherentes y una documentación rigurosa. Los sustratos suelen cumplir las normas SEMI sobre dimensiones, planitud y acabado superficial de las obleas, lo que garantiza su comparabilidad en toda la industria de semiconductores. También pueden ser relevantes otras certificaciones, como la ISO 14001, que hace hincapié en la responsabilidad medioambiental. Cada lote se suministra a menudo con datos de inspección del material, que verifican especificaciones como la orientación, el grosor, la rugosidad de la superficie y la resistividad.

Información relacionada

1. Propiedades y ventajas del material

Fabricado con un diámetro constante de 1 pulgada, la orientación del sustrato cristalino de silicio (Si) (100) es apreciada por su red cristalina uniforme y su gran pureza. Su exclusiva alineación cristalográfica garantiza un comportamiento eléctrico estable, vital para aplicaciones de alta precisión como componentes microelectrónicos y dispositivos optoelectrónicos. La rigidez mecánica es otra característica importante, ya que permite una mayor resistencia al alabeo y a la tensión térmica durante procesos de fabricación prolongados.

A diferencia de las obleas de mayor tamaño, este sustrato de menor diámetro ofrece una mayor versatilidad en el desarrollo de prototipos o la producción a escala de laboratorio. Su tamaño compacto simplifica la manipulación y reduce la probabilidad de daños, lo que lo convierte en una opción ideal para los centros de investigación que exploran diseños de semiconductores especializados. Junto con una planitud fiable y un estricto control del grosor, ofrece una base sólida para lograr resultados precisos en la experimentación de dispositivos avanzados.

2. Aplicaciones en la industria avanzada

Aclamado por sus superficies lapeadas con precisión, el sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada forma parte integral de campos de vanguardia como la fotónica, la nanotecnología y la ingeniería de sensores. En las empresas fotónicas, la orientación constante del sustrato favorece la propagación uniforme de las ondas, lo que garantiza una manipulación superior de la luz, esencial para los sistemas ópticos de última generación. En los laboratorios de nanotecnología, su estructura atómica rígida permite una nanofabricación fiable, impulsando innovaciones en circuitos miniaturizados y plataformas de detección biomolecular.

Los ingenieros del sector electrónico han integrado este sustrato en dispositivos de potencia, matrices de transistores y módulos inalámbricos avanzados. La orientación estable (100) reduce los defectos del cristal, lo que permite aumentar el rendimiento de los dispositivos y mejorar las prestaciones en aplicaciones de alta frecuencia. Su diámetro compacto, unido a la uniformidad de su superficie, lo convierten en la opción preferida para la unión precisa de obleas y los procesos de deposición por capas, lo que subraya aún más su papel fundamental en el progreso moderno de los semiconductores.

Especificación

Propiedad	Valor
Fórmula lineal	Si
Pureza	99.99%
Orientación cristalina	(100)
Método de crecimiento	Czochralski, zona flotante
Estructura cristalina	Cúbica
Constante de red	a = 0,543095 nm
Punto de fusión (°C)	1414 °C
Coeficiente de expansión térmica (/K)	2.3
Dureza (Mohs)	7
Masa molar (g/mol)	28.08
Densidad	2,33 g/cm³ (2330 kg/m³)
Índice de refracción	n = 3.9766
Constante dieléctrica	11,7 (silicio no dopado a baja frecuencia)
Estabilidad química	Estable
Tamaños	Dia. 1 pulgada
Espesor típico	0,5 mm
Tolerancias de tamaño	±0,1 mm
Tolerancias de grosor	±0,015 mm
Precisión de orientación	±0.5°
Opciones de pulido	Una cara (1SP) o Doble cara (2SP)
Rugosidad superficial (Ra)	< 0,5 nm
Rango de transmisión espectral	1,1 µm (1100 nm)
Conductividad térmica (W/m-K)	46,06 @ 0 °C, 25,12 @ 100 °C, 12,56 @ 400 °C
Absorción de agua	0%
Resistencia a la flexión	380 MPa
Max. Temperatura de trabajo	1200 °C

*La información anterior sobre el producto se basa en datos teóricos y es sólo de referencia. Las especificaciones reales pueden variar.

Caso

OPINIONES DE LOS CLIENTES

Opiniones de los clientes

Escribir una reseña

(0 reviews)

5 stars

4 stars

3 stars

2 stars

1 star

No reviews for current products.

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

CY8542 Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada Descripción

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada Aplicaciones

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. Embalaje de 1 pulgada

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Dia. 1 pulgada Preguntas frecuentes

Información relacionada

Especificación

Caso

OPINIONES DE LOS CLIENTES

Comparar artículos similares

ÚLTIMAS RECOMENDACIONES

CONSIGUE UNA COTIZACIÓN

Descarga

¿NECESITAS AYUDA?

CATEGORÍAS MÁS POPULARES

NUESTRA EMPRESA