Yoduro de germanio (IV) Descripción

Elyoduro de germanio (IV) (CAS 13450-95-8) es un sólido cristalino de color rojo anaranjado con un punto de fusión de 144 °C y un punto de ebullición de 440 °C (con descomposición). Su densidad específica es de 4,32. Es soluble en disolventes no polares como el disulfuro de carbono, el cloroformo o el benceno.

Especificaciones del yoduro de germanio (IV)

Información de seguridad

Símbolo	SAM05
Palabra de señal	Peligro
Indicaciones de peligro	H314
Consejos de prudencia	P260 - P280 - P303 + P361 + P353 - P305 + P351 + P338 + P310
Equipos de protección individual	Protectores oculares, protectores faciales, guantes, cartucho de respirador tipo N100 (US), filtro de respirador tipo P1 (EN143), cartuchos de respirador tipo P3 (EN 143)
RIDADR	UN 3260 8 / PGII
WGK Alemania	WGK 3

Yoduro de germanio (IV) (CAS 13450-95-8) Aplicaciones

El crecimiento de nanohilos semiconductores ha atraído una inmensa atención en el campo de la nanotecnología, ya que los nanohilos se consideran los posibles componentes básicos de la electrónica del futuro. El reciente interés renovado por el germanio como material para nanoestructuras puede atribuirse a su mayor movilidad de portadores y a su mayor radio de Bohr en comparación con el silicio. La síntesis por autoensamblaje de nanocables de germanio (GeNWs) se obtiene a menudo mediante un mecanismo de vapor-líquido-sólido, que es esencialmente un proceso catalítico de crecimiento de puntas. Aquí demostramos que introduciendo un precursor adicional, el tetrayoduro de germanio (GeI(4)), en un sistema de horno convencional que produce GeNWs sobre silicio, se pueden obtener en su lugar estructuras tubulares de óxido de germanio-silicio (GeSi). La incorporación de GeI(4) produce la pasivación del catalizador metálico, impidiendo que se produzca la sobresaturación, un requisito previo para el crecimiento catalítico de la punta. Deducimos que la pasivación del catalizador metálico impide la incorporación de Ge al catalizador, dejando el borde del catalizador como los únicos sitios activos para la nucleación tanto de Si como de Ge y dando lugar así al crecimiento de nanotubos de óxido de GeSi mediante un proceso de crecimiento de raíz.

Referencia

Huang J, Chim WK, Wang S, Chiam SY, Wong LM: From germanium nanowires to germanium-silicon oxide nanotubes: influence of germanium tetraiodide precursor. DOI: 10.1021/nl802713