AL1885 AlSiC Placa base IGBT de aluminio y carburo de silicio

Name: AL1885 AlSiC Aluminum Silicon Carbide IGBT Base Plate
SKU: AL1885
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Catálogo No.	AL1885
Dimensiones	Personalizado
Material	Aleación de aluminio-ZL101A
Composición	Carburo de silicio Grado electrónico, fracción volumétrica 65%.
Sinónimos	Placa base de AlSiC, sustrato de aluminio y carburo de silicio para IGBT

Stanford Advanced Materials (SAM) es un proveedor mundial de placas base IGBT de aluminio y carburo de silicio. Ofrecemos productos de alta calidad con buena conductividad térmica y baja expansión térmica.

Otros productos relacionados: Piezas estructurales de AlSiC, Aleación maestra de aluminio y silicio.

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AL1885 AlSiC Aluminum Silicon Carbide IGBT Base Plate

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AL1885 AlSiC Placa base IGBT de aluminio y carburo de silicio

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Dimensiones

Personalizado

Material

Aleación de aluminio-ZL101A

Composición

Carburo de silicio Grado electrónico, fracción volumétrica 65%.

Sinónimos

Placa base de AlSiC, sustrato de aluminio y carburo de silicio para IGBT

NR0919 Hojas de nitruro de aluminio (AlN)

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Material

AlN, nitruro de aluminio

Apariencia

Blanco, gris claro

Pureza

99%, 99.7%

Forma

Hoja

Densidad

3,26 g/cm3

Sinónimos

Hojas de nitruro de aluminio, hojas de AlN

Piezas estructurales de carburo de silicio y aluminio AL1882

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Material

Aleación de aluminio- ZL101A

Forma

Personalizado

CM7941 Placa de cobre berilio C17200, TD02 (A)

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Estándar

ASTM B194

Formulario

Placa

Grado

C17200

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*Código de verificación

Aleación de Aluminio	ZL101A
Carburo de silicio	Grado electrónico, fracción de volumen 65
Conductividad térmica[(W/mK) @25°C]	≥240
Calor específico (J/gK) @ 25°C	0.803
Expansión térmica (CTE) ppm/°C	(30°C-100°) 7.42
	(30°C-150°) 7.93
	(30°C-200°) 8.35
Módulo de Young (GPa)	158
Módulo de cizallamiento (GPa)	75
Resistencia a la flexión (MPa)	300
Porcentaje de alargamiento a la rotura（%）	0.28
Resistencia a la fractura	11.3
Resistencia eléctrica (µOhm-cm)	20
Hermeticidad (^atm-cm3/sHe)	< 10 ^-9

Aleación de aluminio	ZL101A
Carburo de silicio	Grado electrónico, fracción volumétrica 65
Conductividad térmica[(W/mK) @25°C]	≥240
Calor específico (J/gK) @ 25°C	0.803
Expansión térmica (CTE) ppm/°C	(30°C-100°) 7.42
	(30°C-150°) 7.93
	(30°C-200°) 8.35
Módulo de Young (GPa)	158
Módulo de cizallamiento (GPa)	75
Resistencia a la flexión (MPa)	300
Porcentaje de alargamiento a la rotura（%）	0.28
Resistencia a la fractura	11.3
Resistencia eléctrica (µOhm-cm)	20
Hermeticidad (^atm-cm3/sHe)	< 10 ^-9

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

AL1885 AlSiC Placa base IGBT de aluminio y carburo de silicio

Placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT Descripción

Especificación de la placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT

Aplicaciones de la placa base IGBT de carburo de silicio y aluminio

Embalaje de la placa base IGBT de carburo de aluminio y silicio

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