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CY9487 100 mm Sustrato de oblea de silicio intrínseco de primera calidad (100), SSP, >20000 ohm-cm

Catálogo No. CY9487
Material Si
Forma Disco
Formulario Sustrato

El sustrato de oblea de silicio intrínseco de 100 mm Prime Grade (100), SSP, >20000 ohm-cm se fabrica a partir de silicio monocristalino de gran pureza con una orientación cristalográfica definida (100). Stanford Advanced Materials (SAM) aplica una inspección rigurosa de la superficie mediante perfilometría interferométrica y mediciones de resistencia durante la producción. Este enfoque minimiza los defectos y controla la resistividad, garantizando que cada oblea cumpla los estrictos requisitos de procesamiento esenciales para la fabricación de dispositivos semiconductores avanzados.

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100 mm Intrinsic Silicon Wafer Substrate Prime Grade <100>, SSP, >20000 ohm·cm
100 mm Intrinsic Silicon Wafer Substrate Prime Grade <100>, SSP, >20000 ohm·cm
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Material
Si
Forma
Disco
Formulario
Sustrato
 
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Pureza
99.9%
Número CAS
12039-79-1
Peso molecular
237.12
Densidad
9,14 g/cm3
 
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Número CAS
12033-89-5
Fórmula química
Si3N4
Tamaño de las partículas
Personalizado
Apariencia
Polvo blanco grisáceo
Pureza
≥99%
Sinónimos
Nitruro de silicio en polvo, Si3N4 en polvo
 
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Número CAS
12033-89-5
APS
~100 nm
Formulario
Polvo blanco grisáceo
Pureza
99.9%
Sinónimos
Nanopolvo de nitruro de silicio, nanopolvo Si3N4

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