SC8590 Oblea de silicio sobre aislante Oblea SOI (110) Dia. 4 pulgadas

Oblea de silicio sobre aislante Oblea SOI (110) Dia. 4 pulgadas Descripción

Innove sus procesos de fabricación de semiconductores con nuestra oblea de silicio sobre aislante (SOI) de 4 pulgadas (100 mm), que presenta una orientación de cristal (110) para mejorar el rendimiento del dispositivo. La estructura cuidadosamente diseñada comprende una capa superior de silicio, una capa de óxido aislante y una oblea de mango de alta resistividad, lo que da como resultado una capacitancia parásita reducida y una conductividad térmica mejorada. Esta base única permite un aislamiento superior del dispositivo y minimiza las fugas fuera de estado, garantizando la fiabilidad en aplicaciones electrónicas de alto rendimiento.

Fabricadas bajo estrictas normas de calidad, nuestras obleas SOI se someten a rigurosas inspecciones para cumplir las especificaciones SEMI establecidas por la industria. El grosor uniforme, el acabado liso de la superficie y el control preciso del dopaje favorecen el desarrollo de circuitos CMOS avanzados, dispositivos de potencia y sensores basados en MEMS. Confíe en nuestra oblea SOI de orientación (110) para obtener la consistencia y reproducibilidad necesarias para los avances en semiconductores de próxima generación.

Oblea de silicio sobre aislante Oblea SOI (110) Dia. 4 pulgadas Aplicaciones

Esta oblea de silicio sobre aislante (SOI) con orientación de cristal (110) y diámetro de 4 pulgadas está diseñada específicamente para microelectrónica avanzada y otras aplicaciones de alto rendimiento. Su estructura en capas ofrece un aislamiento eléctrico superior, una capacitancia parásita reducida y una gestión térmica mejorada. Estas propiedades únicas lo convierten en un sustrato ideal para producir dispositivos de última generación en sectores como la sanidad, las telecomunicaciones y la electrónica de consumo.

1. Fabricación de electrónica y semiconductores

-Aplicación 1: Fabricación de circuitos integrados de alta velocidad con efectos parásitos minimizados.

-Aplicación 2: Desarrollo de sensores y actuadores avanzados para sistemas de control precisos

2. Medicina y asistencia sanitaria

-Aplicación 1: Creación de dispositivos de diagnóstico lab-on-a-chip para pruebas rápidas y precisas

-Aplicación 2: Producción de sensores de imagen biocompatibles para equipos médicos

3. Telecomunicaciones y electrónica de consumo

-Aplicación 1: Integración de componentes fotónicos de bajas pérdidas para redes de comunicaciones ópticas

-Aplicación 2: ensamblaje de dispositivos de radiofrecuencia que ofrecen una integridad de señal mejorada para productos de electrónica de consumo

Oblea de silicio sobre aislante Oblea SOI (110) Dia. 4 pulgadas Embalaje

Cada oblea de silicio sobre aislante se sella individualmente en una funda antiestática de grado sala limpia con inserciones acolchadas para evitar la tensión mecánica y la contaminación. A continuación, el paquete sellado se coloca en un soporte protector rígido que garantiza una entrada mínima de partículas durante el transporte. Para un almacenamiento prolongado, mantenga las obleas en un entorno de baja humedad y temperatura estable. Se dispone de etiquetado opcional, materiales de embalaje especializados y soportes personalizados para adaptarse a los requisitos específicos de manipulación y envío.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Oblea de silicio sobre aislante Oblea SOI (110) Dia. 4 pulgadas Preguntas frecuentes

Q1: ¿Cuáles son las principales propiedades del material de la oblea de silicio sobre aislante SOI (110) Dia. 4 pulgadas?

R1: Las obleas de silicio sobre aislante (SOI) con orientación (110) y diámetro de 4 pulgadas suelen presentar una fina capa de silicio unida a una capa aislante de dióxido de silicio, lo que permite reducir la capacitancia parásita y minimizar las corrientes de fuga. La orientación (110) ofrece unas características únicas de grabado anisotrópico y una movilidad de agujeros favorable, lo que resulta beneficioso para aplicaciones de dispositivos especializados. Estas obleas también presentan una baja densidad de defectos, un grosor constante de la cara posterior y una excelente conductividad térmica, lo que las hace adecuadas para la fabricación de CMOS y MEMS de alto rendimiento.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: Debido a la naturaleza delicada de la fina capa del dispositivo y del óxido aislante, estas obleas SOI requieren una manipulación cuidadosa con guantes de sala limpia y un contacto directo mínimo en las superficies activas. Deben transportarse en soportes para obleas o casetes diseñados para obleas de 4 pulgadas para evitar tensiones mecánicas. Las condiciones de almacenamiento deben ser limpias, con humedad controlada y sin contaminantes en el aire. Mantenerlas selladas hasta su procesamiento reduce el riesgo de acumulación de partículas.

P3: ¿Qué normas y certificaciones de calidad se aplican a las obleas de silicio sobre aislante SOI Wafer (110) Dia. 4 pulgadas?

A3: Estas obleas SOI suelen cumplir las normas SEMI M1, que establecen las especificaciones para las dimensiones de las obleas de silicio, la orientación cristalográfica y la calidad de la superficie. Los fabricantes suelen contar con la certificación ISO 9001 para garantizar métodos de producción coherentes y resultados de alta calidad. Además, muchos proveedores cumplen las normas de gestión medioambiental ISO 14001 para minimizar el impacto ecológico negativo. Los clientes suelen exigir la certificación de limpieza, uniformidad de grosor y planitud para cumplir los estrictos requisitos de rendimiento y fiabilidad de los dispositivos.

Información relacionada

1. Proceso de fabricación

Se emplean técnicas sofisticadas para crear la oblea de silicio sobre aislante (110) Dia. 4 pulgadas, garantizando una estructura en capas que proporciona un alto grado de aislamiento eléctrico. En primer lugar, los sustratos de silicio de primera calidad se someten a un esmerilado y pulido precisos para conseguir el grosor y el acabado superficial deseados. A continuación, métodos de unión especializados fusionan la capa del dispositivo con una barrera de óxido, lo que mejora el rendimiento y las prestaciones del dispositivo. Esta combinación de unión de obleas y tratamientos térmicos perfeccionados da como resultado una plataforma que presenta corrientes de fuga reducidas, lo que permite una producción eficiente de transistores y otros dispositivos microelectrónicos.

En cada fase de la producción se realizan minuciosos controles de calidad, aplicando herramientas avanzadas de litografía e inspección para identificar defectos y medir la uniformidad. En las etapas finales, los parámetros de pulido y los protocolos de limpieza se adaptan meticulosamente a la orientación cristalográfica (110), que presenta propiedades mecánicas y eléctricas distintas a las de otras orientaciones. Este cuidadoso enfoque garantiza que cada oblea SOI de 4 pulgadas suministrada al mercado cumpla sistemáticamente los elevados requisitos de la fabricación de dispositivos modernos.

2. Aplicaciones en la industria avanzada

En la microelectrónica de alto rendimiento, la oblea SOI de 4 pulgadas con orientación (110) es la preferida por su capacidad para proporcionar un mayor rendimiento de los transistores, reducir la capacitancia parásita y mejorar la gestión térmica. Además, la orientación cristalina (110) optimiza la movilidad de los agujeros, lo que acelera la velocidad de conmutación de los dispositivos, un factor crítico en la electrónica de consumo y la maquinaria especializada.

Diversos sectores confían en las especificaciones particulares de esta oblea para aplicaciones innovadoras en matrices de sensores, dispositivos IoT y componentes optoelectrónicos. Los sistemas aeroespaciales a menudo se benefician de la tolerancia mejorada a la radiación de la oblea, lo que permite que el hardware mantenga un funcionamiento fiable en condiciones ambientales adversas. El control constante del grosor y el aislamiento uniforme de los diodos son esenciales para lograr altos rendimientos y un rendimiento superior de los dispositivos en entornos de fabricación avanzados.