Descripción:
El silicio es un metaloide y posee las propiedades típicas de los metales y los no metales. Es extremadamente inerte e insoluble en agua y ácidos. Sin embargo, puede disolverse en silicatos mediante lejías alcalinas calientes. El silicio puro forma cristales grises oscuros, metálicos y brillantes. El silicio posee también una excelente conductividad térmica, que -en el silicio puro- va acompañada de una conductividad eléctrica extremadamente baja. Cuando se alea con aluminio, aumenta la resistencia y reduce el peso.
Los materiales de evaporación de alta pureza desempeñan un papel fundamental en los procesos de deposición para garantizar la alta calidad de la película depositada. Stanford Advanced Materials (SAM) se especializa en la producción de materiales de evaporación de silicio de hasta un 99,999% de pureza mediante procesos de aseguramiento de la calidad para garantizar la fiabilidad del producto.

Especificación
Material
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Silicio
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Peso atómico
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28.0855
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Color/Apariencia
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Gris oscuro con un matiz azulado, semimetálico
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Conductividad térmica
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150 W/m.K
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Punto de fusión (°C)
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1,410
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Resistividad aparente
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0,005-0,020 OHM-CM
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Coeficiente de expansión térmica
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2,6 x 10-6/K
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Densidad teórica (g/cc)
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2.32
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Relación Z
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0.712
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Temp. (°C) para vapor dado Press. (Torr)
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10^-8: 992 10^-6: 1,147 10^-4: 1,337
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Aplicaciones
1. Recubrimientos ópticos: Los materiales de evaporación de silicio no dopado se utilizan a menudo en la deposición de recubrimientos ópticos. Estos recubrimientos pueden mejorar las propiedades ópticas de las superficies, como la reflectividad, la transmitancia o la absorción, dependiendo de la aplicación deseada. Los recubrimientos de silicio son especialmente útiles en sistemas ópticos, láseres y otros dispositivos en los que es crucial un control preciso de la interacción de la luz.
2. Transistores de película fina: En la producción de transistores de película fina (TFT), se emplean materiales de evaporación de silicio sin dopar para depositar películas de silicio sobre sustratos. Los TFT se utilizan ampliamente en pantallas, como las de cristal líquido (LCD) y las de diodos orgánicos emisores de luz (OLED), donde controlan el flujo de corriente a través de los píxeles de la pantalla.
3. Fabricación de dispositivos semiconductores: Aunque el silicio no dopado no se utiliza directamente para el dopaje en la fabricación de dispositivos semiconductores, puede servir como material base para procesos de dopaje posteriores. También puede utilizarse para depositar capas aislantes o como recubrimiento protector en dispositivos semiconductores.
4. Fabricación de células solares: Aunque el silicio dopado se utiliza normalmente en la producción de células solares, los materiales de evaporación de silicio sin dopar pueden seguir desempeñando un papel importante. Pueden utilizarse para depositar películas finas o capas que sirvan como recubrimientos protectores, recubrimientos antirreflectantes o como parte de la estructura de la célula solar.
5. 5. Investigación y desarrollo: En entornos de investigación y desarrollo, los materiales de evaporación de silicio sin dopar tienen un valor incalculable. Los científicos e ingenieros pueden utilizarlos para explorar nuevas propiedades de los materiales, desarrollar nuevas estructuras de dispositivos e investigar fenómenos físicos fundamentales relacionados con el silicio.
Envasado:
Nuestros materiales de evaporación se manipulan cuidadosamente para evitar daños durante el almacenamiento y el transporte y para preservar la calidad de nuestros productos en su estado original.