LM6706 Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC)

Catálogo No.	LM6706
Material	SiC
Temperatura de funcionamiento	-55℃ a 125℃
Dimensiones	Depende del modelo

Stanford Advanced Materials ofrece diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de alto rendimiento, diseñados para una eficiencia superior, tolerancia a la alta tensión y conmutación ultrarrápida. Ideales para la electrónica de potencia y los sistemas de energías renovables, nuestros diodos Schottky de SiC ofrecen una estabilidad térmica y una fiabilidad excepcionales en entornos exigentes.

Productos relacionados: Diodos Schottky de baja tensión directa, Diodos Schottky miniatura / SMD, Rectificadores Schottky de potencia

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LM6706 Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC)

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Material

SiC

Temperatura de funcionamiento

-55℃ a 125℃

Dimensiones

Depende del modelo

GR0396 Nanopolvo de grafeno C Diámetro 100nm

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Color

Negro

Pureza

>99%

APS

100 nm

M.O.Q

500 g

GR0398 Nanopolvo de grafeno C

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Color

Negro

Dimensiones

1-5 nm

Pureza

>99%

M.O.Q

500 g

GR0903 Grafeno CVD

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Característica	Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC)	Diodos Schottky estándar
Caída de tensión hacia delante (VF)	Ultrabaja (tan baja como 0,2 V-0,4 V)	Normalmente 0,3V-0,6V
Corriente de fuga (IR)	Muy baja, especialmente a altas temperaturas	Mayor fuga, especialmente bajo estrés térmico
Velocidad de conmutación	De rápida a ultrarrápida	Rápida
Rango de tensión inversa	10 V a 100 V (varía según el modelo)	Amplio, a menudo hasta 150V
Rendimiento térmico	Excelente, con diseños compactos y térmicamente optimizados	Varía según el fabricante y el encapsulado
Opciones de encapsulado	SMD compactos (SOD-323), etc.	Gama similar, pero a menudo más voluminosos con los mismos valores nominales
Aplicaciones	Optimizados para circuitos portátiles, de automoción y LED	Rectificación de uso general
Precio	Ligeramente superior, justificado por el rendimiento y el tamaño	Generalmente inferior para potencias comparables

Tipo	_VRRM	I_(AV)	_IFSM	_VF		_IR		Paquete
Tipo	V	A	A	V	_IF (A)	μA	_VR (V)	Paquete
SSC0665D	650	6	66	1.34	6	1.2	650	PDFN5*6
SSC0665-T	650	6	66	1.34	6	1.2	650	TO-220-2
Q-SSC0865-TF	650	16.1	42	1.4	10	1	650	TO-220F-2L
Q-SSC05120-T	1200	5	51	1.4	5	15	1200	TO-220AC
Q-SSC2090-T7	900	20	125	1.39	20	20	900	TO-247-2

Region & Language

North America

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LM6706 Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC)

Descripción de los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC)

Aplicaciones de los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC)

Embalaje de diodos Schottky de carburo de silicio (SiC)

Preguntas frecuentes sobre los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC)

Tabla comparativa de prestaciones con productos de la competencia

Especificación

Caso

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