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ST11210 Cátodos para sputtering planares de carburo de silicio (SiC)

Catálogo No. ST11210
Composición SiC
Pureza ≥99,9%, o personalizado
Formulario Objetivo
Forma Rectangular
Dimensiones Personalizado

El cátodo planar de carburo de silicio, SiC Target, está diseñado para aplicaciones de sputtering que requieren estabilidad del material a temperaturas elevadas. Stanford Advanced Materials (SAM) utiliza procesos de síntesis controlados e inspecciones de microscopía electrónica de barrido para verificar la uniformidad de la microestructura y los niveles de impurezas. La geometría plana del cátodo y sus dimensiones personalizables facilitan la integración en sistemas de sputtering, garantizando la consistencia del material en entornos de procesos cerámicos y de semiconductores.

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Composición
SiC
Pureza
≥99,9%, o personalizado
Formulario
Objetivo
Forma
Rectangular
Dimensiones
Personalizado
 
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Material
Carburo de silicio
Pureza
99.9999%
Tamaño de las partículas
Malla 200~25000
Color
Negro/Verde
Formulario
Polvo
Sinónimos
Polvo de carburo de silicio de gran pureza, polvo de SiC de gran pureza
 
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Material
Cerámica de carburo de silicio
Pureza
97%~99%
Densidad
3,05~3,15 g/cm3
Formulario
Cojinete SiC
Temperatura de funcionamiento
1400℃
 
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Material
Cerámica SiC
Pureza
97%~99%
Densidad
3,05~3,15 g/cm3
Apariencia
Negro
Punto de fusión
2,730 ℃
Temperatura de funcionamiento
1600℃
Sinónimos
Anillo de sellado de carburo de silicio, Anillo de sellado de SiC

FAQ

¿Qué ventajas técnicas ofrece el carburo de silicio como cátodo para sputtering?

La inercia química y el alto punto de fusión del carburo de silicio favorecen un comportamiento estable del sputtering. Estas propiedades minimizan la degradación del blanco y mantienen una deposición uniforme de la película, lo que resulta esencial para procesos de fabricación precisos en aplicaciones de semiconductores y cerámica.

¿Cómo afectan las dimensiones personalizadas a la integración del blanco de SiC en los sistemas de sputtering?

Las dimensiones personalizadas garantizan que el cátodo se ajuste con precisión a los distintos diseños de cámaras de sputtering. Este ajuste a medida optimiza la distribución de la energía y la uniformidad de la deposición, reduciendo la variabilidad del proceso y mejorando el rendimiento general del sputtering.

¿Qué medidas de control de calidad se aplican durante la producción del blanco de SiC?

Las medidas de control de calidad incluyen inspecciones por microscopía electrónica de barrido (SEM) y análisis del nivel de impurezas. Estos métodos verifican la consistencia microestructural y el acabado superficial, garantizando que el cátodo cumple los estrictos requisitos de los procesos de deposición por sputtering.

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