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ST11189 Cátodos para sputtering de sulfuro de galio, cátodos Ga2S3

Catálogo No. ST11189
Composición Ga2S3
Pureza ≥99,9%, o personalizado
Formulario Objetivo
Forma Rectangular, Redondo
Dimensiones Personalizado

El cátodo para sputtering de sulfuro de galio Ga2S3 es un compuesto de Ga2S3 de gran pureza diseñado para aplicaciones de deposición física de vapor. Fabricado por Stanford Advanced Materials (SAM), el cátodo se somete a ajustes controlados de composición y verificación microestructural mediante métodos como la difracción de rayos X y la espectroscopia de dispersión de energía. Este régimen técnico ayuda a mantener un estricto control de calidad, garantizando que el cátodo cumpla los requisitos de uniformidad y rendimiento necesarios para la fabricación de dispositivos semiconductores.

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FAQ

¿Cómo influye la microestructura del cátodo para sputtering de sulfuro de galio en los procesos de deposición por sputtering?

La microestructura del cátodo afecta a la estabilidad del plasma y a la uniformidad de la película. Una distribución controlada del tamaño de grano minimiza la dispersión de partículas y garantiza una transferencia de energía uniforme, lo que repercute directamente en la adherencia y uniformidad de la película durante la deposición.

¿Qué métodos de procesamiento se utilizan para conseguir las dimensiones personalizadas del objetivo?

El cátodo se fabrica mediante mecanizado de precisión y procesos de sinterización controlados. Estos métodos permiten adaptar las dimensiones del cátodo para integrarlo en configuraciones específicas del sistema de sputtering, manteniendo al mismo tiempo la integridad del sustrato.

¿Cómo influyen las propiedades del material Ga2S3 en la adherencia de la película durante la deposición?

La composición química controlada y la estabilidad térmica inherente del Ga2S3 proporcionan una superficie uniforme, lo que favorece una distribución uniforme del plasma y una mejor adherencia de la película. Esto minimiza los defectos y mejora la eficacia de la deposición en diversos procesos de semiconductores.

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