SC9901 Placa de carburo de silicio recristalizado

Descripción de la placa de carburo de silicio recristalizado

La placa de carburo de silicio recristalizado se fabrica a partir de SiC de gran pureza (≥99%) y mantiene una densidad constante de aproximadamente 2,7 g/cm³. Su forma de placa es adecuada para la integración con sistemas industriales estándar y equipos de procesamiento a alta temperatura. El proceso de recristalización controlada minimiza los defectos microestructurales y mejora el rendimiento térmico, lo que resulta crítico en aplicaciones que requieren una disipación eficaz del calor y estabilidad estructural en condiciones extremas.

Aplicaciones de las placas de carburo de silicio recristalizado

Electrónica
- Se utiliza como sustrato en módulos de sensores de alta temperatura para conseguir una tensión térmica reducida aprovechando la estabilidad térmica del SiC.
- Se aplica como barrera protectora en equipos de procesamiento de semiconductores para mantener la integridad de los componentes bajo temperaturas elevadas utilizando su microestructura recristalizada.

Equipos industriales
- Sirve como esparcidor térmico en revestimientos de hornos para lograr una distribución uniforme del calor aprovechando su alta capacidad de temperatura de funcionamiento.
- Se utiliza como elemento de soporte en reactores de alta temperatura para mitigar la deformación inducida por el calor aprovechando su uniformidad estructural y densidad.

Empaquetadura de placas de carburo de silicio recristalizado

Las unidades de placas de carburo de silicio recristalizado se embalan en bolsas antiestáticas resistentes a la humedad y se fijan en contenedores acolchados hechos a medida. Se recomienda el almacenamiento en instalaciones con temperatura controlada para evitar los ciclos térmicos y la contaminación. El embalaje sellado minimiza la entrada de polvo y ofrece opciones de etiquetado y compartimentación para adaptarse a requisitos de manipulación específicos y mantener la integridad del producto durante el transporte.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta el proceso de recristalización al rendimiento térmico de la plancha?
R1: El proceso de recristalización refina la microestructura del SiC y minimiza los defectos de los límites de grano, lo que mejora la conductividad térmica y la estabilidad. El resultado es un mejor rendimiento durante el funcionamiento prolongado a altas temperaturas.

P2: ¿Qué medidas de control de calidad se utilizan durante la fabricación?
A2: La producción se somete a evaluación mediante microscopía electrónica de barrido y difracción de rayos X para verificar la uniformidad microestructural y la precisión dimensional. Estos controles ayudan a mantener la consistencia de los parámetros de rendimiento a alta temperatura.

P3: ¿Pueden adaptarse las dimensiones de las placas a los requisitos específicos de los equipos?
A3: Sí, el producto permite dimensiones personalizadas. Los ingenieros pueden especificar los requisitos de tamaño para garantizar una integración óptima con los sistemas de alta temperatura existentes, mejorando así la compatibilidad general de los componentes.

Información adicional

El carburo de silicio (SiC) se valora en la ciencia de materiales por su alta conductividad térmica, dureza y estabilidad a temperaturas elevadas. Su estructura cristalina, conseguida mediante recristalización controlada, proporciona un rendimiento mejorado en entornos exigentes. Comprender estas propiedades intrínsecas del material es esencial para desarrollar componentes que satisfagan las rigurosas exigencias de los sistemas industriales modernos.

Los avances en las técnicas de procesamiento cerámico han mejorado el control sobre la microestructura del SiC, reduciendo la densidad de defectos y garantizando un rendimiento repetible bajo estrés térmico. Estas mejoras contribuyen a ampliar las aplicaciones en electrónica de alta temperatura, procesamiento industrial y sistemas de gestión térmica de precisión.