SC13997 CVD SiC Focus Ring (Anillo de control de plasma)

Catálogo No.	SC13997
Material	Carburo de silicio (SiC) CVD
Formulario	Anillo de enfoque
Densidad	~3,2 g/cm³
Pureza	≥99.999%

CVD SiC Focus Ring (Plasma Control Ring) es un componente de carburo de silicio diseñado para el control del proceso de plasma en aplicaciones de semiconductores. Stanford Advanced Materials (SAM) emplea técnicas avanzadas de CVD y una precisa metrología de superficie para controlar la microestructura y la adherencia mecánica. El proceso de producción incorpora protocolos de inspección detallados, como el análisis SEM, para reducir la incidencia de defectos. Su formulación y síntesis se controlan para lograr propiedades físicas uniformes cruciales para la estabilidad del proceso semiconductor.
Productos relacionados: Anillo de nitruro de silicio, Anillo Si3N4, Anillo cerámico de óxido de berilio, Anillo cerámico de alúmina

CONSULTA

Descripción

Especificación

Opiniones

FAQ

¿Qué consideraciones hay que tener en cuenta sobre la temperatura de funcionamiento del CVD SiC Focus Ring?

Los límites de temperatura de funcionamiento son fundamentales para garantizar la estabilidad durante el procesamiento de semiconductores. Aunque no se facilitan valores específicos, los usuarios deben evaluar el rango térmico necesario para sus sistemas de grabado por plasma, confirmando la compatibilidad con las condiciones ambientales para evitar el estrés térmico o la desviación del rendimiento.

¿Cómo beneficia la conductividad térmica del carburo de silicio a las aplicaciones de control del plasma?

La alta conductividad térmica inherente al carburo de silicio facilita la disipación eficaz del calor durante los procesos de plasma de alta energía. Esto ayuda a mantener la uniformidad de la temperatura en todo el reactor, reduciendo los gradientes térmicos y minimizando la tensión potencial del material que podría afectar a la uniformidad del proceso.

¿Qué pasos de verificación de la calidad se integran en la producción del CVD SiC Focus Ring?

El proceso de fabricación implica la obtención de imágenes de la superficie y pruebas mecánicas para verificar la uniformidad del material y la precisión dimensional. La inspección detallada mediante SEM y técnicas afines de caracterización de superficies ayuda a detectar defectos microestructurales. Si desea más información, póngase en contacto con nosotros.

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Parámetro	Valor
Material	Carburo de silicio (SiC) CVD
Forma	Anillo de enfoque
Densidad	~3,2 g/cm³
Dimensiones	Personalizado
Pureza	≥99.999%
Temperatura de trabajo	≤1700℃
Grado de resistividad	Grado HR: >10 Ω-cm Grado ELR: <0,1 Ω-cm
Dureza (HV)	~2500-3000
Conductividad térmica	300 W/m-K

Propiedad	Anillo CVD SiC	Anillo de carburo de silicio sinterizado	Anillo de nitruro de silicio (Si₃N₄)
Proceso de fabricación	Deposición química en fase vapor (CVD)	Sinterizado sin presión / por reacción	Sinterizado a presión / Prensado en caliente
Pureza	Extremadamente alta (>99.999%)	Alta (~98-99.5%)	Alta (~99%)
Densidad	~3,21 g/cm³	3,05-3,15 g/cm³	~3,2 g/cm³
Estructura del grano	Ultrafina, uniforme, sin poros	Policristalino, puede contener poros	Grano fino, denso
Dureza (HV)	Muy alta (~2500-3000)	Alta (~2200-2800)	Moderada (~1500-1800)
Resistencia	Muy alta, pero quebradiza	Alta	Resistencia a la fractura muy alta
Resistencia a la fractura	Baja	Baja-moderada	Alta (la mejor de las tres)
Conductividad térmica	Excelente (~150-200 W/m-K)	Buena (~120-180 W/m-K)	Inferior (~20-30 W/m-K)
Resistencia al choque térmico	Moderada	Buena	Excelente (la mejor)
Temperatura máxima de funcionamiento (aire)	~1600°C	~1400-1500°C	~1200-1400°C
Resistencia al plasma	Excelente (mejor)	Buena	Moderada
Resistencia a la corrosión	Excelente	Excelente	Excelente
Acabado superficial	Ultraliso, puede ser espejo	Bueno, pero menos uniforme	Bueno
Riesgo de contaminación	Ultrabajo (ideal para fabricación de obleas)	Bajo	Bajo-moderado
Aplicaciones típicas	Procesado de obleas semiconductoras (anillos de grabado, anillos de enfoque)	Industria general, piezas de soporte de semiconductores	Rodamientos, cierres mecánicos, entornos de choque térmico

Parámetro	Valor
Material	Carburo de silicio (SiC) CVD
Forma	Anillo de enfoque
Densidad	~3,2 g/cm³
Dimensiones	Personalizado
Pureza	≥99.999%
Temperatura de trabajo	≤1700℃
Grado de resistividad	Grado HR: >10 Ω-cm Grado ELR: <0,1 Ω-cm
Dureza (HV)	~2500-3000
Conductividad térmica	300 W/m-K

SC13997 CVD SiC Focus Ring (Anillo de control de plasma)

CVD SiC Focus Ring (Anillo de control de plasma) Descripción

Características del anillo de enfoque CVD SiC (anillo de control de plasma)

CVD SiC Focus Ring (Anillo de control de plasma) Aplicaciones

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¿Qué consideraciones hay que tener en cuenta sobre la temperatura de funcionamiento del CVD SiC Focus Ring?

¿Cómo beneficia la conductividad térmica del carburo de silicio a las aplicaciones de control del plasma?

¿Qué pasos de verificación de la calidad se integran en la producción del CVD SiC Focus Ring?

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