CY9509 Oblea de silicio tipo P (100) Dia. 4 pulgadas, SSP

Oblea de silicio tipo P (100) Dia. 4 pulgadas, SSP Descripción

La oblea de silicio tipo P (100) Dia. 4 pulgadas, SSP es un sustrato tipo p, dopado con boro, con una orientación (100) bien definida. Su diámetro de 4 pulgadas está optimizado para su integración en equipos estándar de procesamiento de semiconductores. La cristalografía controlada de la oblea y la mínima densidad de defectos garantizan un rendimiento eléctrico constante y una reproducción fiable del proceso durante la fabricación del dispositivo.

Oblea de silicio Tipo P (100) Dia. 4 pulgadas, SSP Aplicaciones

Aplicaciones electrónicas y de semiconductores
- Utilizado como sustrato en la fabricación de microchips para conseguir perfiles de dopaje uniformes aprovechando su orientación (100).
- Se utiliza en la fabricación de sensores para garantizar un comportamiento eléctrico uniforme gracias a su cristalinidad controlada.

Aplicaciones industriales
- Empleado como plataforma para pruebas de circuitos integrados para facilitar el análisis de defectos utilizando su preciso acabado superficial.

Investigación y desarrollo
- Sirve de base para la experimentación con semiconductores a fin de evaluar las variaciones del proceso aprovechando su procesamiento SSP normalizado.

Oblea de silicio Tipo P (100) Dia. 4 pulgadas, embalaje SSP

La oblea se sella individualmente en un contenedor antiestático forrado de espuma y se coloca en una bolsa libre de polvo para evitar la tensión mecánica y la contaminación. Se recomienda controlar la temperatura y la humedad durante el almacenamiento y el transporte. Los clientes pueden solicitar opciones de envasado personalizadas, como el sellado al vacío o la compartimentación, para evitar aún más la contaminación.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué pruebas de control de calidad se realizan durante la producción de obleas?
R1: SAM utiliza la difracción de rayos X y la inspección óptica para evaluar la orientación cristalográfica y la integridad de la superficie. De este modo se garantiza que la oblea mantenga unos perfiles de dopaje uniformes y una densidad de defectos mínima, aspectos críticos para la fabricación de dispositivos semiconductores.

P2: ¿Cómo beneficia la orientación (100) al procesamiento de semiconductores?
A2: La orientación (100) favorece el dopaje uniforme y reduce la variabilidad del grabado durante la creación de patrones de dispositivos. Estas propiedades simplifican la integración del proceso con equipos estándar, al tiempo que mejoran la reproducibilidad de las características eléctricas.

P3: ¿Qué condiciones de almacenamiento son necesarias para estas obleas?
A3: Las obleas deben almacenarse en un entorno controlado de baja humedad con un embalaje antiestático. Esto evita la contaminación y los daños físicos durante el transporte, garantizando que la oblea conserve sus propiedades eléctricas y estructurales especificadas.

Información adicional

Las obleas de silicio son el material básico en la fabricación de semiconductores, donde la distribución controlada de dopantes y la orientación cristalográfica son fundamentales. Los métodos de caracterización detallada, como la difracción de rayos X y la microscopía electrónica, permiten evaluar las propiedades de las obleas, como la resistividad y la uniformidad de la superficie, que son esenciales para el rendimiento fiable de los dispositivos.

Los avances en el crecimiento del cristal y las técnicas de procesamiento siguen perfeccionando la calidad y el control dimensional de las obleas de silicio. Estas mejoras no sólo aumentan la consistencia de los dispositivos semiconductores, sino que también permiten una mayor miniaturización y optimización del rendimiento en la investigación y producción de microelectrónica.