CY9496 Oblea de silicio ultraplana tipo P, Dia. 6 pulgadas x 675 μm de grosor

Oblea de silicio ultraplana tipo P, Dia. 6 pulgadas x 675 μm de grosor Descripción

La oblea de silicio ultraplana de tipo P, Dia. 6 pulgadas x 675 μm de espesor es un sustrato de silicio diseñado para aplicaciones de semiconductores y microelectrónica. Su diámetro de 6 pulgadas y su grosor de 675 μm cumplen las normas establecidas para los equipos, mientras que el dopaje controlado de tipo P optimiza la concentración de portadores de carga. La oblea se procesa mediante una combinación de planarización química y mecánica para minimizar la rugosidad de la superficie. Su superficie lisa facilita la creación de patrones litográficos precisos y la integración de procesos en la fabricación de dispositivos.

Oblea de silicio ultraplana tipo P, Dia. 6 pulgadas x 675 μm de grosor Aplicaciones

Electrónica y fabricación de semiconductores
- Se utiliza como sustrato en la fabricación de circuitos integrados para lograr un patrón preciso aprovechando su superficie ultra plana.
- Se aplica como material base en la producción de células solares para garantizar una conversión fotovoltaica eficaz gracias a su dopaje controlado.

Investigación y desarrollo
- Empleado en experimentos de ciencia de materiales para analizar propiedades electrónicas aprovechando su superficie uniforme.
- Utilizado en la fabricación de sensores para obtener respuestas electromecánicas precisas aprovechando su perfil de dopaje estable.

Oblea de silicio ultraplana tipo P, Dia. 6 pulgadas x 675 μm de grosor Embalaje

La oblea se embala en un contenedor disipador de estática con un inserto de espuma para protegerla de los golpes físicos y la contaminación. Va dentro de una bolsa antiestática y sellada en un paquete resistente a la humedad. Se recomienda el almacenamiento a temperatura controlada para preservar la integridad del material. Las opciones de envasado personalizadas, como contenedores compatibles con salas limpias y requisitos específicos de etiquetado, pueden organizarse previa solicitud.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué pasos del proceso garantizan la planitud de la superficie de la oblea?
R1: La oblea se somete a un pulido químico-mecánico seguido de una inspección interferométrica. Estos pasos minimizan las microrrugosidades y garantizan que la superficie cumpla los estrictos requisitos de planitud necesarios para la litografía de semiconductores y la integración de dispositivos.

P2: ¿Cómo influye el dopaje de tipo P en el rendimiento eléctrico?
A2: El dopaje controlado de tipo P ajusta la concentración de portadores, que es crucial para conseguir las propiedades eléctricas deseadas en los dispositivos semiconductores. Este ajuste ayuda a reducir las corrientes de fuga y favorece un rendimiento constante en diversas condiciones de procesamiento.

P3: ¿Cuáles son las condiciones de almacenamiento recomendadas para la oblea de silicio?
R3: La oblea debe almacenarse en un entorno de temperatura controlada y baja humedad, utilizando un embalaje sin electricidad estática y películas de barrera contra la humedad. Un almacenamiento adecuado minimiza la contaminación y preserva las características precisas de la superficie necesarias para el procesamiento posterior.

Información adicional

Los sustratos de silicio son esenciales para la fabricación de dispositivos semiconductores avanzados debido a su estabilidad cristalina y a sus propiedades electrónicas bien conocidas. La uniformidad de la estructura cristalina del silicio favorece la integración de alta densidad y un rendimiento fiable en diversos procesos de fabricación.

Los avances en las técnicas de planarización y dopaje siguen mejorando la planitud de las obleas y la uniformidad eléctrica. Estas mejoras son fundamentales a medida que los fabricantes avanzan hacia nodos de proceso más pequeños y arquitecturas de dispositivos más complejas. El continuo perfeccionamiento de los métodos de fabricación ayuda a la investigación y el desarrollo, permitiendo simulaciones más precisas y validaciones experimentales en la ciencia de los materiales.