CY9495 Oblea de silicio ultraplana tipo P, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor

Oblea de silicio ultraplana tipo P, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de espesor Descripción

La oblea de silicio ultraplana de tipo P, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor se fabrica con Si (silicio) de gran pureza y se ha diseñado para ofrecer una superficie uniforme y atómicamente lisa. El diámetro de 4 pulgadas se ajusta a los equipos de procesamiento de semiconductores estándar, mientras que el grosor de 525 μm garantiza la estabilidad mecánica y la facilidad de manipulación durante los pasos de procesamiento posteriores. Su dopaje tipo p facilita la conductividad controlada para aplicaciones de dispositivos. La planitud del sustrato es fundamental para la deposición uniforme de película fina, por lo que es adecuado para la fabricación de circuitos integrados avanzados y la creación de prototipos de dispositivos.

Oblea de silicio ultraplana tipo P, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de espesor Aplicaciones

1.Electrónica
- Se utiliza como sustrato en la fabricación de circuitos integrados para lograr capas de deposición uniformes aprovechando su superficie ultraplana para un patrón fotolitográfico preciso.
- Aplicado como material base en dispositivos MEMS para conseguir estabilidad dimensional mediante un espesor controlado, mejorando así la fiabilidad del dispositivo.

2.Procesado industrial
- Se emplea como oblea portadora en la fabricación de semiconductores para minimizar las irregularidades de la superficie aprovechando su planitud y grosor controlados.
- Se utiliza en instalaciones de investigación avanzada como patrón de calibración, ofreciendo una interfaz suave que permite realizar mediciones reproducibles y crear prototipos de dispositivos.

Oblea de silicio ultraplana tipo P, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor Embalaje

La oblea se embala en un contenedor antiestático revestido de espuma para evitar daños mecánicos y contaminación. Se sella en un entorno limpio y de baja humedad para preservar la integridad de la superficie durante el transporte y el almacenamiento. El acolchado protector y los materiales de envasado inertes reducen el riesgo de contaminación por partículas. Existen opciones de envasado personalizado, como bolsas selladas al vacío y envases etiquetados, para satisfacer requisitos específicos de manipulación y medioambientales.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo se verifica la planitud de la superficie durante la producción?
R1: La planitud de la superficie se verifica mediante mediciones interferométricas y microscopía de fuerza atómica. Estas técnicas garantizan que la oblea cumpla los criterios de planitud precisos que exigen los procesos de semiconductores de alta resolución, al tiempo que detectan cualquier irregularidad superficial en una fase temprana de la producción.

P2: ¿Cuáles son las condiciones de almacenamiento recomendadas para la oblea?
A2: La oblea debe almacenarse en un entorno de temperatura controlada (aproximadamente 20-25°C) con una humedad relativa baja. Se recomienda un embalaje antiestático y condiciones controladas de sala blanca para evitar la contaminación por partículas y humedad, garantizando que las propiedades de la oblea permanezcan estables.

P3: ¿Puede integrarse esta oblea en los procesos estándar de fabricación de semiconductores?
A3: Sí, su diámetro de 4 pulgadas y su grosor de 525 μm se ajustan a los equipos estándar de la industria. La superficie ultraplana contribuye a la deposición uniforme de películas finas y a la mejora de la resolución de patrones, lo que la hace muy compatible con diversas técnicas de fabricación de semiconductores.

Información adicional

Las obleas de silicio son fundamentales para la fabricación de dispositivos semiconductores, ya que sirven de plataforma de partida para circuitos integrados y dispositivos MEMS. La naturaleza ultraplana de estas obleas minimiza los defectos durante la deposición de la película, mejorando así la uniformidad del dispositivo. Los avances en metrología y técnicas de tratamiento de superficies siguen elevando los estándares de rendimiento en la producción de obleas.

La evolución técnica de los sustratos de silicio se ha visto impulsada por la demanda de precisión en la microfabricación. La caracterización detallada de la superficie, incluidas las evaluaciones por interferometría y AFM, desempeña un papel crucial para garantizar que cada oblea ofrezca el alto grado de planitud necesario para las actividades de investigación y desarrollo del siguiente nivel en la fabricación de semiconductores.