CY9494 Oblea de silicio con tipo P de plata de 50 nm, Dia. 2 pulgadas x 525 μm de grosor

Oblea de silicio con tipo P de plata de 50 nm, Dia. 2 pulgadas x 525 μm de grosor Descripción.

La oblea de silicio incorpora una capa de plata de 50 nm de tipo P, con un diámetro de 2 pulgadas y un grosor de 525 μm. La capa de plata mejora la conectividad eléctrica, mientras que el dopaje controlado favorece la integración de circuitos específicos. Las dimensiones estándar garantizan la compatibilidad con las herramientas convencionales de procesamiento de semiconductores. Las medidas de control de calidad, incluida la inspección de la superficie y el mapeo de defectos, ayudan a conseguir el rendimiento eléctrico constante necesario para la creación de prototipos de dispositivos y las aplicaciones de investigación.

Oblea de silicio con tipo P de plata de 50 nm, Dia. 2 pulgadas x 525 μm de grosor Aplicaciones

Electrónica
- Utilizado como sustrato activo en células fotovoltaicas para mejorar la dinámica de los portadores de carga aprovechando el dopaje uniforme con plata.
- Se aplica como capa fundamental en circuitos integrados para lograr una conductividad controlada aprovechando la tolerancia de espesor precisa.

Industrial
- Se utiliza como sustrato en sensores semiconductores para lograr una modulación precisa de la señal aprovechando el dopaje uniforme y las normas de fabricación.

Investigación
- Se emplea como muestra de prueba en el desarrollo de procesos semiconductores para evaluar la eficacia del dopaje aprovechando la deposición controlada de plata.

Oblea de silicio con plata tipo P de 50 nm, Dia. 2 pulgadas x 525 μm de grosor Embalaje

Las obleas se fijan individualmente en soportes disipadores de estática y se introducen en contenedores sellados para evitar la contaminación. Los insertos de espuma a medida amortiguan las obleas contra golpes mecánicos durante el transporte. Se recomienda almacenar el producto en un entorno seco y a temperatura controlada. Se dispone de configuraciones de etiquetado y embalaje personalizadas para cumplir protocolos de manipulación específicos para aplicaciones de investigación sensibles.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo se verifica la capa de plata de 50 nm?
R1: La capa de plata de 50 nm se verifica mediante técnicas de metrología de superficie, como la microscopía electrónica de barrido (SEM) y la elipsometría, calibradas según las normas del sector para garantizar una deposición uniforme en toda la oblea.

P2: ¿Cómo contribuye la oblea a la fabricación de dispositivos semiconductores?
A2: Las dimensiones precisas y el dopaje controlado de tipo P facilitan la integración en los procesos de semiconductores. La compatibilidad con los equipos de procesamiento estándar garantiza unas características eléctricas reproducibles y un rendimiento optimizado de los dispositivos durante la fabricación.

P3: ¿Cuáles son las mejores prácticas para almacenar estas obleas?
R3: Las obleas deben almacenarse a temperatura controlada y en condiciones de baja humedad dentro de contenedores sin estática. Esto minimiza el riesgo de daños físicos o electrostáticos y mantiene la integridad de la superficie para su posterior procesamiento.

Información adicional

Las obleas de silicio son componentes fundamentales en la fabricación de semiconductores, sirviendo de base para circuitos integrados y diversos dispositivos electrónicos. La integración de un recubrimiento de plata como dopante modifica las propiedades eléctricas, lo que resulta crítico para adaptar el rendimiento de los dispositivos. Estas modificaciones exigen un control preciso de los parámetros de deposición y un análisis exhaustivo de los defectos, para garantizar que la oblea cumpla las estrictas normas de investigación y desarrollo.

Las últimas tendencias en el procesamiento de semiconductores se han centrado en lograr una uniformidad a escala nanométrica en los recubrimientos metálicos y el dopaje, lo que resulta esencial para avanzar en el rendimiento de la microelectrónica. Los ingenieros incorporan rigurosos procesos de control de calidad, incluidas inspecciones ópticas en línea y metrología avanzada, para mantener la uniformidad necesaria para la fabricación de alto rendimiento y las aplicaciones de investigación.