CY9493 Oblea de silicio con tipo P de plata de 50 nm, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor

Oblea de silicio con tipo P de plata de 50 nm, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor Descripción

La oblea de silicio con plata tipo P de 50 nm, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de espesor es un sustrato de silicio tipo p que presenta una capa de plata de 50 nm depositada uniformemente. El diámetro de 4 pulgadas y el grosor de 525 μm son dimensiones estándar compatibles con los equipos de procesamiento de semiconductores. La capa de plata sirve para mejorar la conductividad localizada y las características de la interfaz, garantizando la difusión controlada de dopantes durante la fabricación del dispositivo, al tiempo que admite técnicas de integración avanzadas.

Oblea de silicio con tipo P de plata de 50 nm, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor Aplicaciones

Electrónica y fabricación de semiconductores
- Utilizado como sustrato en circuitos integrados para lograr un rendimiento eléctrico preciso aprovechando el recubrimiento de plata controlado.
- Aplicado en el ensamblaje de dispositivos fotovoltaicos para mejorar la formación de contactos y la conductividad uniforme utilizando las propiedades del tipo p.

Procesamiento industrial
- Se emplea en la fabricación de sensores para mejorar la precisión de la respuesta gracias a la consistencia de las propiedades del material, mejorando así la integridad de la señal en los sistemas de monitorización industrial.

Oblea de silicio con plata tipo P de 50 nm, Dia. 4 pulgadas x 525 μm de grosor Embalaje

La oblea se embala en un soporte rígido antiestático con acolchado de espuma para reducir la tensión mecánica y la contaminación. Se sella en una bolsa de barrera contra la humedad con insertos desecantes y se coloca en un contenedor amortiguador. El envase permite el etiquetado personalizado y la compartimentación para cumplir los requisitos de manipulación y almacenamiento. Las condiciones de almacenamiento controladas y las medidas anticontaminación estandarizadas garantizan que el sustrato se mantenga impoluto hasta su procesamiento.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta el recubrimiento de plata de 50 nm a las características de procesamiento de la oblea?
R1: La capa uniforme de plata de 50 nm ayuda a establecer una difusión controlada del dopante durante los procesos térmicos. Proporciona una interfaz uniforme que puede influir en la resistencia de contacto y la conductividad, aspectos esenciales durante la fabricación de dispositivos.

P2: ¿Qué consideraciones hay que tener en cuenta para manipular una oblea de 4 pulgadas y 525 μm de grosor durante el procesamiento?
A2: Las dimensiones de la oblea requieren compatibilidad con las herramientas de manipulación de obleas estándar, y su delgadez inherente exige una manipulación cuidadosa para evitar fracturas. Se recomiendan herramientas de alineación de precisión y medidas antiestáticas.

P3: ¿Cómo verifica SAM la calidad de la deposición de plata y del sustrato en general?
R3: SAM emplea la metrología de superficie y el análisis de composición, incluidas la microscopía electrónica y la difracción de rayos X, para confirmar un espesor uniforme de la plata y una estructura cristalográfica clara. Estos pasos ayudan a identificar desviaciones de los parámetros especificados en una fase temprana del ciclo de producción.

Información adicional

Las obleas de silicio son la columna vertebral de la fabricación de dispositivos semiconductores. Sus propiedades, como el dopaje controlado y la uniformidad de la superficie, son fundamentales para el rendimiento de los circuitos integrados y las células fotovoltaicas. La tecnología avanzada de obleas de silicio evoluciona continuamente para responder a los exigentes requisitos de la microelectrónica moderna.

La integración de una fina capa de plata en las obleas de silicio introduce un control adicional del proceso, lo que permite unas características electrónicas más predecibles. La investigación en este campo suele centrarse en la optimización de las técnicas de deposición y en garantizar la uniformidad entre lotes, lo que resulta crucial para los entornos de fabricación de alto rendimiento.