CY9492 100 mm N Type (P-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 0.001-0.01 ohm-cm

100 mm N Type (P-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 0.001-0.01 ohm-cm Descripción

La oblea se fabrica a partir de silicio de gran pureza con una orientación de grado primario (100), lo que garantiza unas propiedades cristalográficas óptimas para la integración de dispositivos. El dopaje de tipo N con incorporación controlada de P produce un rango de resistividad de 0,001-0,01 ohm-cm, crítico para un comportamiento electrónico preciso. El acabado SSP ofrece una superficie lisa y sin defectos, propicia para el procesamiento de semiconductores de alto rendimiento. La distribución uniforme del dopante y los bajos niveles de contaminación proporcionan un rendimiento eléctrico constante en toda la oblea.

Sustrato de oblea de silicio tipo N (dopado con P) de 100 mm, calidad Prime (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Aplicaciones

Electrónica
- Utilizado como sustrato para circuitos integrados en dispositivos semiconductores para conseguir perfiles de dopante controlados aprovechando su orientación definida (100) y su acabado SSP.
- Aplicado como material base en la fabricación de transistores de alta velocidad para conseguir una baja pérdida de señal utilizando su rango de resistividad especificado.

Industrial
- Se utiliza en matrices de sensores para garantizar unas características eléctricas estables aprovechando el dopado P uniforme, que minimiza la variabilidad en condiciones ambientales variables.
- Se aplica como capa base en sistemas microelectromecánicos para garantizar un comportamiento electrónico preciso mediante la orientación controlada del cristal.

Sustrato de oblea de silicio tipo N (dopado con P) de 100 mm, grado Prime (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Embalaje

Las obleas se fijan individualmente en soportes antiestáticos con acolchado de espuma y se sellan en bolsas con barrera contra la humedad para evitar la contaminación y los daños mecánicos. Deben almacenarse en un entorno limpio y con temperatura controlada para evitar el estrés térmico y la oxidación. Existen opciones de envasado personalizadas, incluido el sellado al vacío y los entornos de gas inerte, para satisfacer requisitos de almacenamiento especializados.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo se garantiza la planitud de las obleas y la minimización de defectos durante la producción?
R1: SAM emplea un procesamiento químico preciso e inspecciones SEM de alta resolución para controlar la uniformidad de la superficie y la densidad de defectos. Este proceso evalúa las variaciones de grosor entre obleas y minimiza los microdefectos, garantizando una planitud constante de las obleas para aplicaciones de semiconductores.

P2: ¿Qué condiciones de almacenamiento se recomiendan para estas obleas de silicio?
A2: Almacene las obleas en un entorno controlado, con baja humedad y a temperatura ambiente estable. Utilice embalajes antiestáticos y resistentes a la humedad para evitar la contaminación y el estrés mecánico durante la manipulación y el transporte.

P3: ¿Cómo mantiene el proceso de producción el rango de resistividad especificado?
R3: El proceso de fabricación incorpora un dopaje de P controlado con control de la resistividad durante el proceso. Esto garantiza que cada oblea se mantenga dentro del intervalo de 0,001-0,01 ohm-cm, lo que permite un rendimiento eléctrico constante necesario para la fabricación de dispositivos semiconductores avanzados.

Información adicional

Las obleas de silicio son el material básico de la tecnología de semiconductores, en la que es vital un control preciso de la distribución de dopantes y la orientación cristalográfica. La combinación de propiedades eléctricas bien definidas y la calidad de la superficie influye directamente en el rendimiento del dispositivo y en la complejidad de la integración. La metrología detallada y las condiciones de procesamiento controladas son esenciales para conseguir las características matizadas de los materiales que requieren los sistemas electrónicos modernos.

Los avances en las técnicas de dopaje y los métodos de tratamiento de superficies siguen mejorando el rendimiento de las obleas. Estos avances no sólo aumentan la fiabilidad de los dispositivos semiconductores, sino que también permiten una mayor miniaturización e integración en diversas industrias de alta tecnología.