CY9491 150 mm Sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B), calidad primera (100), SSP, 10-20 ohm-cm

150 mm P Type (B-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 10-20 ohm-cm Descripción

Este sustrato se fabrica a partir de silicio de gran pureza con dopaje de boro controlado para conseguir un rango de resistividad de 10-20 ohm-cm. La orientación cristalográfica (100) proporciona una superficie uniforme ideal para procesos de circuitos integrados. El diámetro de 150 mm admite equipos estándar de fabricación de semiconductores, lo que garantiza la compatibilidad con las herramientas de procesamiento existentes. El control de calidad incluye la inspección óptica de la uniformidad de la superficie y la minimización de defectos.

Sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B) de 150 mm, grado Prime (100), SSP, 10-20 ohm-cm Aplicaciones

Electrónica y fabricación de semiconductores
- Utilizado como sustrato en circuitos integrados para conseguir una distribución uniforme del dopante aprovechando la resistividad controlada, mejorando el rendimiento del dispositivo.
- Se aplica en la fabricación de chips de memoria para garantizar unas características eléctricas uniformes mediante una alineación cristalográfica precisa.

Dispositivos optoelectrónicos
- Empleado como base en matrices de sensores para mejorar la uniformidad de la señal aprovechando la pureza del material y el acabado superficial controlado, garantizando una respuesta luminosa precisa.

Sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B) de 150 mm, grado Prime (100), SSP, 10-20 ohm-cm Embalaje

Las obleas se embalan en una bandeja acolchada antiestática colocada dentro de un contenedor sellado resistente a la humedad para evitar la contaminación por partículas y los daños mecánicos. Se recomienda almacenarlas en un entorno limpio con temperatura controlada. Existen otras opciones de personalización, como soportes etiquetados individualmente e inclusión de desecante, para satisfacer requisitos de manipulación específicos.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta el rango de resistividad especificado a las aplicaciones electrónicas?
R1: El rango de resistividad de 10-20 ohm-cm permite controlar la concentración de portadores, lo que garantiza unas características eléctricas uniformes cruciales para el rendimiento de los dispositivos en aplicaciones de semiconductores. Contribuye a un control coherente de la tensión umbral y reduce la variabilidad durante la fabricación de circuitos.

P2: ¿Qué medidas de control de calidad se aplican para verificar la planitud del sustrato?
A2: La planitud de la superficie se controla mediante perfilometría óptica, que realiza mediciones precisas para garantizar un alabeo y unos defectos mínimos. Este proceso es fundamental para mantener la consistencia de la interfaz durante los pasos posteriores de procesamiento en la fabricación de circuitos integrados.

P3: ¿Cuáles son las condiciones de almacenamiento recomendadas para estas obleas?
R3: Las obleas deben almacenarse en un entorno limpio, con temperatura controlada y baja humedad. El embalaje protector, como bandejas antiestáticas y contenedores resistentes a la humedad, es esencial para evitar la contaminación y los daños mecánicos durante el almacenamiento.

Información adicional

Las obleas de silicio son el componente fundamental en la fabricación de dispositivos semiconductores. El control preciso de los niveles de dopantes y la orientación de los cristales es fundamental para determinar las propiedades eléctricas necesarias durante el procesamiento de los dispositivos. Las obleas de tipo P, que implican dopaje con boro, se utilizan ampliamente en los procesos de semiconductores complementarios de óxido metálico (CMOS) y sirven de sustrato para numerosos componentes electrónicos.

Los avances en las técnicas de fabricación, como la deposición química de vapor y los métodos avanzados de grabado, han mejorado la calidad general y la consistencia de estos sustratos. Comprender la interacción entre la concentración de dopantes, la resistividad y la orientación cristalográfica es crucial para optimizar el rendimiento de los dispositivos en circuitos integrados de alta densidad.