CY9490 100 mm N Type (P-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm

100 mm N Type (P-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Descripción

El sustrato presenta silicio monocristalino con orientación cristalográfica (100) y resistividad entre 1 y 10 ohm-cm. Su diámetro de 100 mm cumple las normas industriales para el procesamiento de semiconductores. El dopaje P controlado y el acabado superficial uniforme reducen la densidad de defectos, lo que contribuye a un rendimiento eléctrico uniforme. Estas características permiten la fabricación de dispositivos de alta precisión en circuitos integrados y aplicaciones de sensores.

Sustrato de oblea de silicio tipo N (dopado con P) de 100 mm, calidad Prime (100), SSP, 1-10 ohm-cm Aplicaciones

Electrónica
- Utilizado como sustrato base en la fabricación de circuitos integrados para lograr una movilidad uniforme de los portadores mediante el aprovechamiento de una resistividad controlada y un dopado preciso.
- Se aplica como plataforma en la fabricación de transistores para garantizar características eléctricas estables mediante perfiles de dopante definidos.

Industrial
- Utilizado como sustrato para dispositivos de potencia en aplicaciones de conmutación para mantener unas propiedades de conducción uniformes aprovechando el restringido rango de resistividad de la oblea y la baja densidad de defectos.

Sustrato de oblea de silicio tipo N (dopado con P) de 100 mm Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Embalaje

Las obleas se fijan individualmente en soportes antiestáticos y se colocan en cajas forradas de espuma, aptas para salas blancas, para evitar daños mecánicos y contaminación. El almacenamiento en un entorno de temperatura controlada con un embalaje resistente a la humedad minimiza la exposición a partículas. Para satisfacer requisitos específicos de manipulación y almacenamiento, se dispone de opciones de embalaje personalizadas, como acolchado adicional y etiquetado especializado.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo se consigue el rango de resistividad deseado en estas obleas?
R1: El proceso controlado de dopaje con P modula la concentración de portadores de carga para conseguir una resistividad de entre 1 y 10 ohm-cm. La supervisión del proceso durante el tratamiento térmico y el procesamiento químico garantiza unas propiedades eléctricas uniformes en toda la oblea.

P2: ¿Qué métodos de inspección se emplean para mantener la calidad de la superficie?
A2: La calidad de la superficie se verifica mediante técnicas avanzadas de metrología, como la microscopía óptica y la microscopía de fuerza atómica. Estos métodos ayudan a detectar defectos superficiales y garantizan que la oblea cumpla las estrictas especificaciones de planitud y rugosidad que exigen las aplicaciones de semiconductores de alta precisión.

P3: ¿Las variaciones en las dimensiones de las obleas pueden afectar al procesamiento de semiconductores?
A3: Sí, las dimensiones precisas de las obleas de 100 mm son críticas. La precisión dimensional se confirma mediante sistemas de medición calibrados para garantizar la compatibilidad con los equipos estándar, reducir las variaciones del proceso y mejorar la integración en los pasos de fabricación posteriores.

Información adicional

Las obleas de silicio son materiales fundamentales en la fabricación de semiconductores. Sus propiedades, como la orientación cristalográfica y la concentración controlada de dopantes, influyen directamente en el rendimiento de los circuitos integrados. Los avances en las técnicas de dopaje y tratamiento de superficies han mejorado considerablemente la uniformidad de las obleas y la gestión de los defectos.

Comprender la relación entre las propiedades eléctricas del silicio y el rendimiento de los dispositivos es crucial. Los fabricantes utilizan rigurosos protocolos de metrología y control de calidad para garantizar la uniformidad de las obleas, lo que permite un control preciso de las características de los dispositivos y favorece el desarrollo de electrónica miniaturizada de alto rendimiento.