CY9486 100 mm P Type (B-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm

100 mm P Type (B-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Descripción

El sustrato se fabrica a partir de silicio monocristalino de gran pureza mediante un proceso de dopado con boro diseñado para lograr una resistividad dentro de un rango de 1-10 ohm-cm. La orientación (100) de la superficie permite unas condiciones de procesamiento óptimas para la fabricación de dispositivos semiconductores. Su diámetro de 100 mm garantiza la compatibilidad con los equipos estándar de procesamiento de obleas, y el acabado SSP proporciona una superficie lisa y sin defectos, fundamental para las aplicaciones microelectrónicas avanzadas.

Sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B) de 100 mm, calidad Prime (100), SSP, 1-10 ohm-cm Aplicaciones

1. Electrónica y fabricación de semiconductores
- Utilizado como sustrato en circuitos integrados para conseguir uniformidad dimensional aprovechando la distribución controlada de dopantes.
- Se aplica como base en la fabricación de transistores para mantener unas características eléctricas predecibles, lo que permite una calibración precisa de los dispositivos.

2. Investigación y desarrollo
- Sirve como plataforma para el desarrollo de procesos en la investigación de semiconductores para probar la eficacia del dopaje aprovechando su superficie lisa y con pocos defectos.
- Se utiliza en estudios de caracterización de materiales para evaluar el impacto de los niveles de dopaje en el rendimiento eléctrico, facilitando el análisis comparativo.

Sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B) de 100 mm, grado Prime (100), SSP, 1-10 ohm-cm Embalaje

Las obleas se embalan en soportes disipadores de estática y se sellan en bandejas anticontaminación para minimizar la exposición a partículas y humedad. El almacenamiento se mantiene a temperatura ambiente constante para preservar la integridad del sustrato. Los materiales de amortiguación adicionales protegen contra los impactos mecánicos durante el transporte, y existen opciones de personalización de las configuraciones de embalaje para ajustarse a protocolos de manipulación específicos.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta el rango de resistividad de 1-10 ohm-cm a la integración del proceso semiconductor?
R1: El rango de resistividad especificado permite controlar la concentración de portadores de carga, lo que garantiza un comportamiento coherente del material durante la fabricación del dispositivo. Esto ayuda a conseguir las características eléctricas reproducibles necesarias para el procesamiento avanzado de semiconductores.

P2: ¿Qué ventajas de procesamiento ofrece la orientación cristalográfica (100)?
A2: La orientación (100) proporciona una disposición atómica uniforme que permite predecir los perfiles de grabado y dopaje. Esto mejora la precisión de la transferencia de patrones y la calidad de las arquitecturas de dispositivos en la fabricación de semiconductores.

P3: ¿Cómo se mantiene la calidad de la superficie durante la fabricación?
A3: La calidad de la superficie se garantiza mediante una limpieza meticulosa, tratamientos térmicos de precisión y verificación espectroscópica. Estos pasos reducen la densidad de defectos y mantienen una superficie lisa, esencial para las aplicaciones electrónicas de alto rendimiento.

Información adicional

Los sustratos de obleas de silicio son elementos fundamentales en la fabricación de semiconductores. Las técnicas de dopaje controlado utilizadas en estos sustratos ajustan las propiedades eléctricas, influyendo directamente en el rendimiento de los dispositivos. Comprender la interacción entre la concentración de dopante y la resistividad resultante es fundamental para optimizar el rendimiento de los procesos y la uniformidad de los dispositivos.

La orientación (100) de los sustratos de silicio es fundamental en las técnicas estándar de microfabricación, ya que proporciona una plataforma reproducible para diversos procesos de semiconductores. El conocimiento detallado de los tratamientos térmicos y de los métodos de caracterización de superficies contribuye además a alcanzar los puntos de referencia técnicos exigidos en la industria electrónica.