CY9484 Sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B) de 200 mm, calidad Prime (100), SSP, 1-50 ohm-cm

200 mm P Type (B-doped) Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, 1-50 ohm-cm Descripción

El sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B) de 200 mm de grado primario (100), SSP, 1-50 ohm-cm es un sustrato de silicio diseñado con dopaje de boro controlado y orientación (100). La designación SSP indica pulido por una sola cara para mejorar la suavidad de la superficie. El ajuste preciso de la resistividad eléctrica (1-50 ohm-cm) hace que este sustrato sea adecuado para circuitos integrados y otros dispositivos semiconductores, garantizando un rendimiento constante en entornos de proceso sensibles a los dopantes.

Sustrato para obleas de silicio de 200 mm, tipo P (dopado con B), grado Prime (100), SSP, 1-50 ohm-cm Aplicaciones

1. Electrónica y fabricación de semiconductores
- Utilizado como sustrato base en la fabricación de circuitos integrados para conseguir características eléctricas uniformes aprovechando su dopaje controlado con boro.
- Se aplica como plataforma para dispositivos sensores en sistemas semiconductores para conseguir una modulación precisa de la señal gracias a su orientación cristalográfica (100).

2. Dispositivos optoelectrónicos y fotovoltaicos
- Empleado como capa activa en fotodetectores para mejorar la consistencia del portador de carga utilizando su rango de resistividad definido.
- Se utiliza en la producción de células solares para mejorar la eficacia de captación de portadores aprovechando su elevada uniformidad superficial y su acabado pulido por una sola cara.

Sustrato de oblea de silicio tipo P (dopado con B) de 200 mm, grado Prime (100), SSP, 1-50 ohm-cm Embalaje

Cada oblea se sujeta en un soporte antiestático y se amortigua con inserciones de espuma para minimizar la tensión mecánica y la contaminación de la superficie. Los sustratos se introducen en un embalaje resistente a la humedad con atmósfera inerte y se etiquetan para su seguimiento. Deben almacenarse en un entorno de sala blanca con temperatura controlada para preservar sus características eléctricas y superficiales. Existen configuraciones de embalaje personalizadas para adaptarse a requisitos de fabricación específicos.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta el dopaje controlado del boro a la integración del proceso?
R1: La concentración controlada de boro garantiza que la resistividad eléctrica se mantenga dentro del rango de 1-50 ohm-cm, lo que facilita un rendimiento predecible durante la fabricación del dispositivo y mejora la integración con el equipo de procesamiento de semiconductores estándar.

P2: ¿Qué precauciones de manipulación se recomiendan para mantener la integridad del sustrato?
A2: Se aconseja utilizar procedimientos de sala blanca con herramientas de manipulación antiestáticas y llevar prendas de control de la contaminación adecuadas. De este modo se minimizan los daños superficiales y la contaminación por partículas, manteniendo así el rendimiento del sustrato.

P3: ¿Qué técnicas de inspección son las mejores para evaluar la uniformidad del sustrato?
R3: Se recomienda la microscopía óptica de alta resolución y la perfilometría de superficie para evaluar la distribución del dopante y la calidad del pulido superficial. Estas técnicas proporcionan datos precisos sobre la uniformidad y la densidad de defectos para el control del proceso.

Información adicional

Los sustratos de obleas de silicio son elementos fundamentales en la fabricación de dispositivos semiconductores. El control detallado del dopaje y la orientación de los cristales es esencial para optimizar el rendimiento de los dispositivos, ya que pequeñas variaciones pueden afectar al comportamiento eléctrico y al rendimiento. Comprender las propiedades de los materiales y las técnicas de procesamiento es clave para los ingenieros de I+D y los especialistas en adquisiciones que pretenden incorporar estos sustratos a las líneas de producción avanzadas.

El papel de los materiales de sustrato se extiende a numerosas aplicaciones dentro de la electrónica y la optoelectrónica. El empleo de métodos de control de calidad específicos, como la inspección de alta resolución y el análisis preciso de dopantes, ayuda a mitigar los defectos y mejorar la uniformidad de los dispositivos. Este conocimiento técnico beneficia a las partes interesadas al alinear las propiedades de los materiales con las capacidades del proceso en la fabricación moderna de semiconductores.