CY9448 Sustratos de cobre monocristalino Sustrato de Cu (100), Dia. 2 pulgadas x 1 mm, SSP

Sustratos de cobre monocristalino Sustrato de Cu (100), Dia. 2 pulgadas x 1 mm, SSP Descripción

Los sustratos de cobre de un solo cristal Cu Substrate (100), Dia. 2 pulgadas x 1 mm, SSP se fabrican a partir de cristal de cobre de gran pureza con orientación (100). El diámetro de 2 pulgadas y el grosor de 1 mm permiten la integración con equipos semiconductores estándar, garantizando una estructura reticular uniforme con dislocaciones mínimas. La naturaleza monocristalina intrínseca reduce la dispersión de electrones, lo que resulta beneficioso para la disipación del calor y el rendimiento eléctrico en conjuntos electrónicos de gama alta.

Sustratos de cobre monocristalino Sustrato de Cu (100), Dia. 2 pulgadas x 1 mm, SSP Aplicaciones

1.Aplicaciones electrónicas y de semiconductores
- Utilizado como sustrato en dispositivos microelectrónicos para lograr una dispersión de electrones minimizada aprovechando su orientación cristalina uniforme.
- Se aplica en placas de circuitos de alta frecuencia para mejorar la gestión térmica mediante una conductividad mejorada.

2.Aplicaciones industriales
- Sirve como capa base en plataformas de mecanizado de precisión para mantener la estabilidad dimensional utilizando su baja densidad de defectos.
- Se utiliza en procesos de metalización para favorecer la deposición uniforme de la película, mejorando así el rendimiento general del dispositivo.

Sustratos de cobre monocristalino Sustrato de Cu (100), Dia. 2 pulgadas x 1 mm, embalaje SSP

Los sustratos se embalan en recipientes antiestáticos revestidos de espuma para evitar daños mecánicos y contaminación. Cada unidad se sella en una bolsa resistente a la humedad y se almacena a temperatura ambiente controlada. El diseño del embalaje minimiza la exposición a partículas y las descargas electrostáticas. Existen opciones de embalaje personalizadas, que incluyen la compartimentación y el etiquetado, para adaptarse a protocolos específicos de almacenamiento y manipulación.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta la orientación cristalográfica (100) al rendimiento del sustrato?
R1: La orientación (100) garantiza una estructura reticular uniforme, reduciendo la densidad de dislocaciones y mejorando la conductividad eléctrica. Esta precisión beneficia a las aplicaciones que requieren un flujo constante de electrones y minimiza la variabilidad en el rendimiento de los dispositivos.

P2: ¿Qué procesos específicos de control de calidad se aplican durante la producción de sustratos?
A2: SAM aplica técnicas de análisis de superficies como el SEM y la difracción de rayos X para controlar la orientación de los cristales y detectar defectos. Estas rigurosas inspecciones verifican la planitud y pureza del sustrato, garantizando un rendimiento constante en todos los lotes de producción.

P3: ¿Cómo contribuye la especificación dimensional de 2 pulgadas x 1 mm a su integración?
A3: El diámetro de 2 pulgadas y el grosor de 1 mm proporcionan compatibilidad con los equipos semiconductores estándar. Este dimensionamiento facilita el procesamiento uniforme y la integración con las líneas de producción existentes, reduciendo los ajustes del equipo y el tiempo de preparación.

Información adicional

Los sustratos monocristalinos de cobre son esenciales en aplicaciones en las que se requieren límites de grano mínimos y una alta conductividad eléctrica. Su orientación cristalográfica uniforme contribuye a unas propiedades térmicas y eléctricas estables, lo que los hace adecuados para la investigación avanzada y el uso industrial. Comprender la interacción entre la estructura cristalina y el rendimiento del material es fundamental para desarrollar conjuntos electrónicos eficientes.

En la ciencia de los materiales, los sustratos de cobre de gran pureza también influyen en la calidad de deposición de las películas posteriores. Su uso en sistemas precisos de metalización y disipación de calor demuestra el amplio impacto de la uniformidad del sustrato en la fiabilidad y longevidad de los dispositivos.