CY8580 Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 12 en 4H tipo SEMI (HPSI)

Sustrato de carburo de silicio SiC para obleas 12 pulgadas 4H tipo SEMI (HPSI) Descripción

Nuestro sustrato de carburo de silicio (SiC) 4H de 12 pulgadas está meticulosamente diseñado para ofrecer unas propiedades de material excepcionales, esenciales para los dispositivos semiconductores de alta frecuencia y potencia de próxima generación. Con tecnología de semiaislamiento de alta pureza (HPSI), esta oblea presenta una conductividad térmica extraordinaria, una excelente estabilidad química y una movilidad de electrones superior. Estos atributos ayudan a minimizar las pérdidas de potencia y a aumentar la eficiencia en aplicaciones exigentes, por lo que resulta ideal para electrónica de potencia avanzada, amplificadores de RF y sistemas de conmutación de alto voltaje.

Todos los sustratos se fabrican de conformidad con las estrictas normas SEMI, lo que garantiza un grosor uniforme, una baja densidad de defectos y una calidad superficial excepcional. Las rigurosas inspecciones internas y los estrictos controles del proceso garantizan un rendimiento y una fiabilidad reproducibles. Al elegir nuestro sustrato de SiC 4H, tendrá acceso a un material de vanguardia diseñado para apoyar la fabricación de dispositivos de alto rendimiento y permitir avances tecnológicos en aplicaciones de semiconductores de banda prohibida ancha.

Sustrato de carburo de silicio (SiC) para obleas 12 en aplicaciones 4H tipo SEMI (HPSI)

Los sustratos de carburo de silicio (SiC) 4H tipo SEMI HPSI de 12 pulgadas destacan por su excepcional conductividad térmica, estabilidad química y capacidad de banda prohibida ancha. Estas características distintivas permiten un rendimiento superior en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, lo que los hace indispensables en diversas industrias civiles. Ideales para entornos hostiles, estos sustratos constituyen la base de la electrónica de nueva generación, los sistemas de energías renovables y otros proyectos comerciales de vanguardia.

1. Aplicaciones electrónicas y de semiconductores

-Aplicación 1: Fabricación de diodos y transistores de alto voltaje para la gestión eficiente de la energía en circuitos electrónicos avanzados.

-Aplicación 2: fabricación de componentes de alta frecuencia en equipos de telecomunicaciones para una transmisión de datos más rápida.

2. Tecnología médica y sanitaria

-Aplicación 1: Desarrollo de sensores ultraprecisos y herramientas de diagnóstico que se benefician de la estabilidad química del sustrato.

-Aplicación 2: Creación de dispositivos de imagen compactos y de alto rendimiento diseñados para el diagnóstico preciso de pacientes

3. Energías renovables y sistemas industriales

-Aplicación 1: Integración en inversores solares y convertidores de potencia para mejorar la eficiencia y la gestión térmica.

-Aplicación 2: Uso en maquinaria de alta temperatura y equipos de procesos químicos para mejorar la durabilidad y la fiabilidad.

Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 12 en embalaje 4H tipo SEMI (HPSI)

Cada oblea de carburo de silicio de 12" 4H tipo SEMI (HPSI) se sujeta cuidadosamente en un soporte de obleas antiestático revestido de espuma para protegerla de los impactos mecánicos. Las bolsas antiestáticas de doble capa y las bolsas selladas evitan la entrada de humedad y la contaminación por partículas. Se recomienda el almacenamiento en un entorno de sala blanca, manteniendo una humedad del 40-60% y temperaturas estables. Etiquetado personalizado, código de barras, u opciones de embalaje especializado están disponibles bajo petición, asegurando el más alto nivel de protección y trazabilidad.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de oblea de carburo de silicio SiC 12 en 4H tipo SEMI (HPSI) Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales propiedades del sustrato de carburo de silicio para obleas SiC 12 en 4H tipo SEMI (HPSI)?

R1: La oblea de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas 4H tipo SEMI (HPSI) es famosa por su alta conductividad térmica, su amplio bandgap (alrededor de 3,26 eV) y su excelente estabilidad química. Su estructura cristalina hexagonal (4H) proporciona una movilidad de electrones superior, lo que la hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. Además, su baja densidad de defectos y sus propiedades semiaislantes permiten un rendimiento estable del dispositivo, una reducción de las interferencias de señal y una mayor fiabilidad general.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: Para mantener la integridad del sustrato, es fundamental manipular la oblea con guantes de sala limpia y utilizar pinzas o soportes de oblea no metálicos para minimizar la contaminación por partículas. Evite exponerla a la luz solar directa o a temperaturas extremas y guárdela en un contenedor seguro y libre de electricidad estática. Almacene la oblea en un entorno de baja humedad para evitar defectos relacionados con la humedad, garantizando una calidad de superficie constante y una viabilidad prolongada del producto.

P3: ¿Qué normas y certificaciones de calidad se aplican al sustrato de oblea de carburo de silicio SiC 12 en 4H tipo SEMI (HPSI)?

R3: El sustrato de carburo de silicio para obleas de SiC 12 en 4H tipo SEMI (HPSI) suele cumplir las normas SEMI M55, que definen parámetros como las tolerancias dimensionales, la calidad superficial y la orientación de las obleas. Los fabricantes suelen mantener la certificación ISO 9001 para garantizar las prácticas de gestión de calidad. Las pruebas adicionales pueden incluir la inspección de defectos mediante topografía de rayos X o fotoluminiscencia, lo que garantiza una densidad mínima de micropipeta y una alta uniformidad de los cristales. Estas medidas garantizan un rendimiento fiable y cumplen los requisitos específicos del sector.

Información relacionada

1. Proceso de fabricación

La fabricación de una oblea de carburo de silicio tipo SEMI (HPSI) de 12 in 4H implica un refinado procedimiento de crecimiento del cristal que garantiza unas características de alta pureza y semiaislamiento. En primer lugar, un equipo especializado se encarga de controlar los parámetros de temperatura y presión, permitiendo que el material de SiC se forme en capas uniformes. Esta técnica, a menudo facilitada por la deposición química de vapor, crea un sustrato con una densidad de defectos extremadamente baja. Como resultado, la oblea adquiere la integridad estructural necesaria para las aplicaciones electrónicas de alto rendimiento.

Durante el postcrecimiento, se aplican cuidadosamente pasos de corte y pulido de precisión para lograr el grosor y la suavidad de superficie deseados. Diferentes niveles de inspección comprueban que no haya microcristales ni irregularidades en la superficie, garantizando una tensión mínima y una durabilidad superior. Estos meticulosos procedimientos de acabado son esenciales para producir el formato de 12 pulgadas conforme a las normas SEMI, allanando así el camino para unos rendimientos constantes de los dispositivos y una mayor fiabilidad.

2. Aplicaciones en industrias avanzadas

Los sistemas avanzados de conversión de energía dependen de las sólidas propiedades eléctricas de la oblea 4H tipo SEMI (HPSI) para componentes como diodos y transistores de alto voltaje. La excelente conductividad térmica del carburo de silicio permite que estos dispositivos funcionen eficientemente bajo altas tensiones, minimizando la necesidad de voluminosos sistemas de refrigeración. Además, la mayor intensidad del campo de ruptura de la oblea permite velocidades de conmutación ultrarrápidas, algo muy valioso en los módulos de potencia de próxima generación para vehículos eléctricos y tecnologías de energías renovables.

Los sectores aeroespacial y de comunicaciones clave también emplean estas obleas de SiC de gran diámetro para lograr una transferencia de datos más rápida y una mayor estabilidad operativa. Por su resistencia inherente a la radiación, son idóneas para iniciativas de satélites y espacio profundo, donde la longevidad de los dispositivos es primordial. La mejora del rendimiento en condiciones extremas no sólo beneficia a los componentes críticos de las misiones, sino que también establece nuevos puntos de referencia en aplicaciones de investigación científica muy exigentes.