CY8574 Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 6 en 4H tipo SEMI (HPSI)

Oblea de Carburo de Silicio Sustrato SiC 6 en 4H tipo SEMI (HPSI) Descripción

La oblea de carburo de silicio de 6 pulgadas 4H (HPSI) ofrece unas propiedades de material excepcionales que la hacen indispensable en aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas avanzadas. Su estructura semiaislante de gran pureza y su conductividad térmica superior ayudan a reducir las pérdidas de energía, mejoran la eficiencia de los dispositivos y permiten un funcionamiento fiable a altas tensiones y temperaturas extremas. El amplio bandgap del 4H-SiC permite además un rendimiento robusto y una disipación de potencia mínima.

Meticulosamente diseñado para cumplir las estrictas normas SEMI, este sustrato mantiene una gran uniformidad de grosor y una densidad de defectos mínima. Cada oblea se somete a rigurosos controles de calidad para garantizar una planitud uniforme y un acabado superficial impecable, lo que facilita la fabricación de dispositivos de alto rendimiento. Gracias a sus características de vanguardia y a su fiabilidad demostrada, la oblea de SiC 4H de 6 pulgadas (HPSI) es la elección idónea para dispositivos de potencia de última generación, componentes de microondas y circuitos de alta frecuencia.

Sustrato de oblea de carburo de silicio SiC de 6 en 4 pulgadas tipo SEMI (HPSI) Aplicaciones

El sustrato de oblea de carburo de silicio (SiC) 6 en 4H tipo SEMI (HPSI) destaca por su amplio bandgap, su excepcional estabilidad química y su excelente conductividad térmica, lo que lo convierte en una elección de primera en una gran variedad de aplicaciones avanzadas. Sus sólidas características eléctricas soportan altas tensiones y temperaturas, lo que permite mejorar su rendimiento en entornos complejos. Estas propiedades superiores aumentan la fiabilidad, reducen el consumo de energía y prolongan la vida útil.

1. Aplicaciones electrónicas y de semiconductores

-Aplicación 1: transistores de alta frecuencia para infraestructuras 5G y otros sistemas de comunicación, que permiten menores pérdidas de potencia y un rendimiento fiable.

-Aplicación 2: módulos de potencia en inversores de energías renovables, que permiten una conmutación eficiente y un manejo térmico mejorado.

2. Aplicaciones médicas y sanitarias

-Aplicación 1: Biosensores y dispositivos de diagnóstico que requieren superficies ultralimpias y biocompatibles con una fuerte estabilidad química.

-Aplicación 2: instrumentos quirúrgicos de precisión que se benefician de la tolerancia a altas temperaturas y la durabilidad de las obleas.

3. Aplicaciones industriales y de automoción

-Aplicación 1: convertidores de alta potencia en transmisiones de vehículos eléctricos para mejorar la eficiencia y reducir la generación de calor.

-Aplicación 2: robustos sensores de control de procesos en la fabricación de productos químicos, donde los entornos adversos exigen una resistencia superior del material.

Oblea de carburo de silicio Sustrato SiC 6 en envase 4H tipo SEMI (HPSI)

Cada oblea de carburo de silicio Sustrato de SiC 6" 4H tipo SEMI (HPSI) está sellada individualmente en fundas disipadoras de estática de grado sala limpia para protegerla de la contaminación por partículas. A continuación, las obleas se acolchan en soportes forrados de espuma para evitar tensiones mecánicas y garantizar un transporte seguro. Almacénelas en un entorno de baja humedad y temperatura controlada entre 15 °C y 25 °C. Si lo desea, disponemos de bolsas de barrera adicionales para mejorar el control de la contaminación. También se ofrecen opciones de envasado personalizadas, como sellado al vacío o etiquetado especializado.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de oblea de carburo de silicio SiC 6 en 4H tipo SEMI (HPSI) Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales propiedades del material de la oblea de carburo de silicio SiC sustrato 6 en 4H tipo SEMI (HPSI)?

R1: Esta oblea presenta un ancho bandgap (aproximadamente 3,26 eV), una alta conductividad térmica (en el rango de 3-4 W/cm-K) y una dureza mecánica excepcional. Presenta una excelente estabilidad química, bajas densidades de defectos (incluida una densidad mínima de micropipeta) y una intensidad de campo de ruptura superior. La estructura de tipo 4H garantiza una movilidad eficiente de los portadores y suele ser la preferida para aplicaciones de semiconductores de potencia. Su alta resistividad también permite minimizar las corrientes parásitas en diseños de dispositivos avanzados.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: Manipule la oblea con guantes o pinzas adecuados para salas limpias a fin de evitar la contaminación por aceites o partículas. Almacénelo en un entorno específico con humedad controlada, vibraciones mínimas y temperaturas estables. Utilice embalajes antiestáticos o contenedores diseñados para obleas semiconductoras. Evite apilar obleas sin protección para evitar tensiones mecánicas o daños en la superficie. Se aconseja un etiquetado y una trazabilidad adecuados para mantener la calidad durante toda su vida de almacenamiento.

P3: ¿Qué normas y certificaciones de calidad se aplican al sustrato de oblea de carburo de silicio SiC 6 en 4H tipo SEMI (HPSI)?

R3: La mayoría de los fabricantes mantienen sistemas de gestión de la calidad con certificación ISO 9001 para garantizar una producción coherente y controles rigurosos de los procesos. También pueden aplicarse certificaciones adicionales específicas para semiconductores, como la IATF 16949 para requisitos de automoción. El cumplimiento de las normas SEMI M55 para dimensiones y tolerancias de obleas de SiC es fundamental. Algunos proveedores someten sus obleas a programas de inspección exhaustivos, en los que se definen parámetros como la densidad de micropipeta y la calidad de la superficie, para cumplir las directrices específicas del sector y del cliente.

Información relacionada

1. Propiedades y ventajas de los materiales

En medio del panorama de los semiconductores en rápida evolución, el sustrato de carburo de silicio para obleas SiC 6 en 4H tipo SEMI (HPSI) destaca por su notable conductividad térmica y su alta tensión de ruptura. Gracias a estas extraordinarias características, los fabricantes pueden lograr una eficiencia superior en el rendimiento de los dispositivos, lo que lo convierte en un material muy solicitado para la electrónica de potencia que funciona en condiciones extremas.

Debido a su robusta resistencia mecánica y a su amplio bandgap, esta oblea de 6 pulgadas es especialmente adecuada para aplicaciones en módulos de alta potencia, facilitando una pérdida mínima de energía. La configuración de tipo 4H permite una movilidad excepcional de los electrones, lo que aumenta aún más la fiabilidad del producto al reducir el riesgo de degradación bajo tensión y mantener una funcionalidad constante incluso a temperaturas elevadas.

2. Aplicaciones en industrias avanzadas

Las tecnologías de vanguardia en campos como el aeroespacial, las energías renovables y las telecomunicaciones dependen en gran medida de los sofisticados componentes fabricados con sustrato de carburo de silicio para obleas SiC 6 en 4H tipo SEMI (HPSI). Los innovadores convertidores de potencia utilizados en satélites e infraestructuras de carga de vehículos eléctricos se benefician en gran medida de la resistencia superior de la oblea, lo que garantiza la fiabilidad a largo plazo y la reducción de los costes de mantenimiento.

La demanda de estas obleas se extiende también a los sistemas de ultrasonidos y microondas, donde es esencial un rendimiento estable a altas frecuencias. En estos ámbitos especializados, las propiedades semiaislantes de la oblea proporcionan una baja interferencia de la señal, lo que la convierte en una elección firme para sensores, osciladores y equipos de comunicación avanzados que funcionan en amplios rangos de temperatura.