Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 4 pulgadas Descripción
Estos sustratos de cristal de silicio (Si) de gran pureza presentan una orientación (110) y un diámetro de 4 pulgadas, lo que los hace ideales para la investigación y producción de semiconductores avanzados. Fabricados a partir de silicio monocristalino con un perfil de dopaje uniformemente controlado, presentan una excelente uniformidad cristalográfica, baja densidad de defectos y una conductividad térmica superior. La orientación (110) facilita unas propiedades electrónicas únicas deseables en dispositivos MEMS especializados y arquitecturas de transistores, permitiendo un grabado preciso y procesos de micromecanizado detallados.
Fabricadas bajo estrictas normas de calidad, cada oblea cumple o supera las directrices SEMI en cuanto a rugosidad superficial, planitud y control de defectos. Los rigurosos procedimientos de inspección garantizan un grosor uniforme y una calidad superficial óptima, proporcionando la fiabilidad necesaria para la investigación de materiales de vanguardia y la fabricación de dispositivos. Confíe en estos sustratos de Si orientado (110) para obtener un alto rendimiento en una amplia gama de aplicaciones científicas e industriales.
Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 4 pulgadas Aplicaciones
El sustrato de cristal de silicio (Si) (110), de 4 pulgadas de diámetro, proporciona una plataforma robusta y orientada con precisión, crucial para numerosas innovaciones de alta tecnología. Ya se trate de dispositivos semiconductores avanzados o de instrumentos de precisión, este sustrato satisface de forma fiable los estrictos requisitos de rendimiento de la tecnología moderna.
1. Aplicaciones industriales
-Electrónica y semiconductores: Permite circuitos integrados y conjuntos de sensores fiables, aprovechando la excelente movilidad de los portadores de carga.
-Sensores de precisión para automoción: Proporciona propiedades mecánicas consistentes para detectores de movimiento avanzados, mejorando la seguridad de los vehículos.
-Equipos de procesamiento químico: Resiste entornos difíciles y garantiza un rendimiento estable en reactores a escala industrial.
2. Aplicaciones de investigación
-Prototipos de dispositivos biomédicos: Ofrece una base biocompatible y estable para el desarrollo de herramientas de diagnóstico de nueva generación.
-Estudios de deposición de capas finas: Facilita la experimentación precisa en ciencia de materiales, gracias a su orientación cristalina bien definida.
-Investigaciones ópticas y fotónicas: Admite estudios precisos de guías de ondas y láser gracias a sus propiedades de refracción consistentes.
3. Aplicaciones comerciales
-Componentes de telecomunicaciones: Ofrece un rendimiento de alta frecuencia crítico para los sistemas de red y el procesamiento de señales.
-Soluciones para energías renovables: Sirve de base para el desarrollo de células solares, mejorando su eficiencia y durabilidad.
-Producción de electrónica de consumo: Garantiza materiales de sustrato fiables y de alta calidad para pantallas planas y sensores.
Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. Embalaje de 4 pulgadas
Cada sustrato de cristal de silicio (110) de 4 pulgadas está sellado individualmente en una bolsa antiestática, rodeada de insertos de espuma para protegerlo de los golpes y la contaminación. Deben almacenarse en un entorno limpio y de baja humedad, idealmente entre 15°C y 25°C, para preservar la integridad de la superficie. Una capa protectora adicional evita la acumulación de partículas. Se pueden solicitar etiquetados personalizados, marcas especializadas o configuraciones de envasado exclusivas para satisfacer requisitos operativos o de manipulación específicos.
Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.
Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 4 pulgadas Preguntas frecuentes
P1: ¿Cuáles son las principales propiedades de los materiales del sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 4 pulgadas?
R1: Los sustratos de cristal de silicio (Si) con orientación (110) son conocidos por su estructura cristalina uniforme, lo que los hace valiosos para aplicaciones avanzadas de semiconductores. Normalmente, las obleas de 4 pulgadas de diámetro tienen un grosor muy controlado (por ejemplo, 525 ± 25 µm) y un rango de resistividad que depende del dopaje. Presentan una alta conductividad térmica (aproximadamente 149 W/m-K) y bajas densidades de defectos. Su orientación (110) admite ciertos diseños de dispositivos especializados, proporcionando propiedades mecánicas y eléctricas distintas.
P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?
A2: Estas obleas deben manipularse en un entorno de sala blanca con aire filtrado y libre de partículas. Debe evitarse el contacto directo con la piel desnuda; en su lugar, deben utilizarse guantes antiestáticos o varillas de vacío. Las obleas suelen almacenarse en soportes o casetes que protegen las superficies de arañazos. Mantener un entorno estable de baja humedad (alrededor del 40% de humedad relativa) y temperatura moderada (aproximadamente 20-25°C) ayuda a prevenir la contaminación, la oxidación y los daños mecánicos.
P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 4 pulgadas?
R3: La producción de obleas de silicio se rige generalmente por las normas SEMI M1, que regulan el grosor, el diámetro y la planitud de las obleas. Muchos proveedores también cuentan con la certificación ISO 9001 de gestión de calidad, que garantiza estrictos controles de procesos y trazabilidad en cada fase de fabricación. Otras normas, como la ISO 14001, pueden aplicarse a la gestión medioambiental. El cumplimiento de estos requisitos garantiza la calidad constante de las obleas, unos defectos mínimos y un rendimiento fiable para su uso en la fabricación de dispositivos semiconductores o en aplicaciones de investigación.
Información relacionada
1. Aplicaciones en industrias avanzadas
Los dispositivos semiconductores especializados y los sensores avanzados dependen con frecuencia del sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 4 pulgadas para lograr un rendimiento superior. La orientación cristalina (110) ofrece propiedades eléctricas y mecánicas distintas, lo que la hace especialmente adecuada para componentes que requieren un procesamiento de señales a alta velocidad. Dado que la oblea tiene un diámetro de 4 pulgadas, es lo suficientemente grande como para dar cabida a diversos diseños intrincados, pero sigue siendo compatible con una amplia gama de equipos de fabricación existentes en los sectores tecnológicos de vanguardia.
Muchos campos punteros, como la fabricación de células solares de alta eficiencia y la electrónica de potencia, se benefician de la robustez de este sustrato específico. Su estructura cristalina favorece una mayor conductividad eléctrica en aplicaciones en las que son fundamentales un flujo de corriente constante y una pérdida de energía reducida. Esto ha posicionado a la oblea de silicio (110) como la solución preferida para las tecnologías emergentes que exigen estabilidad, miniaturización y alta fiabilidad.
2. Investigación y desarrollo
Las instituciones de investigación exploran continuamente nuevos métodos y materiales para mejorar la funcionalidad de los sustratos de silicio (110). Este trabajo en curso incluye la optimización del proceso de dopaje para lograr concentraciones precisas de portadores, así como la investigación de nuevas formas de mejorar la suavidad de la superficie y reducir las impurezas. Gracias a estos esfuerzos, laboratorios de todo el mundo amplían los límites del rendimiento en una gran variedad de aplicaciones que se benefician de las propiedades eléctricas y mecánicas únicas del silicio.
Los experimentos de vanguardia suelen incluir la modificación del grosor y la orientación de las obleas para evaluar su impacto en la eficiencia de los dispositivos. El silicio orientado (110), en particular, es cada vez más interesante porque puede adaptarse a métodos especializados de unión de obleas para microsistemas avanzados y matrices de sensores. Estas innovaciones no sólo allanan el camino a dispositivos de última generación, sino que también contribuyen a aumentar el rendimiento y la productividad en múltiples entornos de investigación e industriales.
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