CY8544 Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada

Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada Descripción

Descubra una calidad y fiabilidad excepcionales con nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (111), diseñado con un diámetro de 1 pulgada para aplicaciones microelectrónicas y optoelectrónicas de precisión. Diseñados mediante procesos avanzados de crecimiento monocristalino, estos sustratos ofrecen una red cristalina muy uniforme y niveles de pureza superiores, lo que garantiza defectos mínimos y una excelente movilidad de portadores. La orientación (111) proporciona características eléctricas y mecánicas distintivas, por lo que es ideal para laboratorios de investigación, fabricación de semiconductores y desarrollo de dispositivos de vanguardia.

Cada sustrato cumple las estrictas normas del sector en cuanto a planitud de la superficie y densidad de defectos, lo que permite un rendimiento constante y una variación reducida en la fabricación de dispositivos. Tanto si necesita crear prototipos para nanotecnología innovadora como circuitos integrados robustos, nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (111) ofrece una calidad, estabilidad y reproducibilidad fiables para respaldar sus esfuerzos de fabricación e investigación.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada Aplicaciones

El sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada es apreciado por su precisa estructura molecular y su excelente conductividad térmica. Este robusto sustrato puede adaptarse a diversas configuraciones, lo que lo hace indispensable para las industrias que requieren componentes de alto rendimiento. Su superficie uniforme, combinada con unas características mecánicas fiables, permite la fabricación de dispositivos de vanguardia, mientras que la orientación (111) mejora el crecimiento de cristales y los procesos de deposición en múltiples aplicaciones.

1. Aplicaciones industriales

-Fabricación de dispositivos microelectrónicos de alta frecuencia, en los que la orientación (111) favorece la estratificación de precisión y mejora el rendimiento.

-Fabricación de sensores MEMS, aprovechando la excepcional estabilidad térmica y mecánica del sustrato para un funcionamiento fiable del sensor.

2. Aplicaciones de investigación

-Estudios avanzados de crecimiento epitaxial, utilizando la orientación cristalina constante para explorar nuevos materiales semiconductores.

-Experimentos fundamentales de ciencia de materiales, centrados en perfiles de dopaje e ingeniería de red cristalina para la electrónica de próxima generación.

3. Aplicaciones comerciales

-Tecnología de imágenes de alta resolución, que se beneficia de la uniformidad y la conductividad superior del sustrato para mejorar la eficiencia de los sensores.

-Componentes de electrónica de consumo, que proporcionan una plataforma estable para circuitos integrados en teléfonos inteligentes y otros dispositivos portátiles.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada Embalaje

Cada sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada está acolchado individualmente dentro de un inserto de espuma antiestática y sellado en una bolsa de grado sala limpia con barrera contra la humedad. El paquete se almacena a temperatura y humedad controladas para minimizar la oxidación y la acumulación de partículas. Una caja exterior proporciona una mayor protección contra los golpes y evita la contaminación durante el transporte. La personalización opcional incluye la personalización de la marca y el etiquetado con código de barras, lo que garantiza una trazabilidad precisa para aplicaciones especializadas.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada Preguntas frecuentes

Q1: ¿Cuáles son las principales propiedades del material del sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada?

R1: El sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 inch se caracteriza típicamente por una orientación cristalina que favorece una elevada movilidad de los electrones, mínimos defectos de red y una excelente uniformidad. Con un bandgap de aproximadamente 1,12 eV, ofrece una buena conductividad térmica y una resistencia mecánica estable. La orientación 111 del sustrato es especialmente útil para el crecimiento epitaxial avanzado y la fabricación de dispositivos, ya que garantiza un grosor de capa uniforme, un bajo alabeo de la oblea y un control preciso del dopaje.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: Una manipulación adecuada requiere el uso de guantes de sala limpia y pinzas no metálicas para evitar la contaminación. Almacene el sustrato en un entorno de baja humedad, libre de polvo y a temperatura ambiente estable, idealmente en un contenedor antiestático para obleas. Evite el contacto directo con la piel o la exposición a productos químicos agresivos. Inspeccione periódicamente la superficie en busca de daños o acumulación de partículas. Manipule los bordes únicamente para mantener la superficie cristalina prístina necesaria para un rendimiento fiable del dispositivo y la precisión de las mediciones.

P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada?

R3: Estos sustratos suelen cumplir las normas SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) sobre tolerancias dimensionales, uniformidad del grosor y densidad de defectos. También pueden cumplir la norma ISO 9001 de gestión de la calidad para garantizar la coherencia y fiabilidad de la producción. Otras certificaciones pueden incluir la conformidad con REACH y RoHS, que garantizan el cumplimiento de la normativa medioambiental y de seguridad. Los fabricantes someten cada lote de sustratos a rigurosos protocolos de inspección para garantizar su pureza, precisión de orientación y baja contaminación por partículas.

Información relacionada

1. Propiedades y ventajas del material

Adaptado a las exigentes demandas de los semiconductores, el sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. 1 pulgada ofrece una excepcional estabilidad mecánica y uniformidad en toda su superficie. Con una estructura cristalina estrechamente controlada, presenta una conductividad térmica superior y parámetros de red consistentes, lo que lo convierte en una base fiable para aplicaciones microelectrónicas de precisión.

Fabricado para cumplir las normas de alta pureza, la orientación (111) de este sustrato proporciona un plano ideal para el crecimiento epitaxial complejo y la estratificación de dispositivos. Al minimizar las dislocaciones y las densidades de defectos, la oblea garantiza un rendimiento eléctrico optimizado en componentes críticos como dispositivos de potencia, sensores y circuitos integrados avanzados.

2. Aplicaciones en industrias avanzadas

Caracterizado por su alineación cristalina superior, el sustrato de cristal de silicio (Si) (111) Dia. Su estructura precisa y sus propiedades electrónicas estables permiten a investigadores y fabricantes diseñar dispositivos innovadores que exigen especificaciones exactas de los materiales.

La integración de este sustrato en tecnologías de nueva generación permite aumentar la sensibilidad de los sensores, mejorar la fiabilidad de las aplicaciones de alto voltaje y aumentar la eficiencia de la energía fotovoltaica. Sus cualidades cristalográficas únicas, combinadas con un estricto control dimensional, aportan la precisión necesaria para las innovaciones a escala de oblea y las soluciones emergentes de alto rendimiento.