CY8543 Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada

Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada Descripción

Nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (110) con un diámetro de 1 pulgada está diseñado para ofrecer una calidad cristalina superior y una uniformidad estructural excepcional. La orientación (110) proporciona disposiciones atómicas únicas que son altamente favorables para aplicaciones en microelectrónica avanzada, fotovoltaica e investigación MEMS. Gracias a su elevada pureza y baja densidad de defectos, este sustrato permite un control preciso de los dopantes y unas tensiones de red mínimas, lo que garantiza un rendimiento fiable y resultados reproducibles tanto en entornos experimentales como de producción.

Fabricado bajo estrictas normas de calidad, cada sustrato se somete a una rigurosa inspección para verificar la planitud de la superficie, la uniformidad del grosor y la precisión dimensional general. Esta cuidadosa supervisión garantiza una calidad superficial óptima, adecuada para la deposición de películas finas, la fotolitografía y otros procesos de fabricación. Tanto si está explorando nuevos conceptos de dispositivos como si está ampliando la producción, nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (110) ofrece las propiedades constantes y el rendimiento fiable esenciales para los avances tecnológicos de vanguardia.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada Aplicaciones

El sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada constituye una base versátil para una amplia gama de sofisticadas metodologías. Gracias a su gran pureza, estructura cristalina uniforme y orientación precisa, permite un rendimiento constante en numerosos campos. El aprovechamiento de estas propiedades da como resultado una alta conductividad térmica, características eléctricas superiores y una robusta resistencia mecánica, lo que lo hace esencial para aplicaciones de vanguardia.

1. Aplicaciones industriales

-Electrónica de alto rendimiento: La orientación (110) garantiza un transporte eficaz de portadores, ideal para transistores de potencia.

-Disipadores de calor: Su excepcional conductividad térmica ayuda a disipar el calor en entornos industriales de alta demanda.

2. Aplicaciones de investigación

-Experimentación con semiconductores: La orientación estable del cristal permite realizar estudios avanzados de dopaje y crecimiento.

-Avances en fotónica: El grosor uniforme del sustrato ayuda a diseñar y probar componentes ópticos con precisión.

3. Aplicaciones comerciales

-Fabricación de dispositivos de consumo: La uniformidad y la robustez contribuyen a obtener productos fiables y duraderos.

-Tecnologías de sensores: La alta pureza garantiza una detección precisa de la señal y un funcionamiento estable a lo largo del tiempo.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada Embalaje

Cada sustrato de cristal de silicio (110) de 1 pulgada de diámetro está sellado individualmente en una bolsa de polietileno apta para salas blancas con inserciones de espuma para la absorción de impactos. Para obtener los mejores resultados, almacenar en un entorno controlado a 20-25°C, manteniendo la humedad por debajo del 50%. Las medidas anticontaminación incluyen el doble embolsado y una manipulación mínima. Si se solicita, se pueden organizar embalajes protectores personalizados, como sellado al vacío y cubiertas ESD. Un etiquetado claro con las especificaciones del producto garantiza la trazabilidad y una gestión eficaz del inventario.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales propiedades de los materiales del sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada?

R1: El sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada presenta normalmente una excelente resistencia mecánica, una disposición atómica precisa y parámetros de red consistentes. Con una orientación cristalográfica (110), es el preferido para sistemas microelectromecánicos (MEMS) y dispositivos electrónicos especializados que requieren un grabado direccional. La resistividad típica oscila entre 1 y 20 Ω-cm, dependiendo del tipo de dopaje, lo que garantiza una conductividad estable. Su acabado superficial es liso, con una rugosidad mínima, lo que permite la fabricación de dispositivos de alta calidad.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: La manipulación adecuada del sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 inch implica el uso de guantes de sala limpia para evitar la contaminación y sujetar el sustrato por los bordes para evitar arañazos. Debe almacenarse en un entorno limpio, libre de estática, con humedad y temperatura controladas. Evite el contacto directo con superficies duras y utilice contenedores acolchados para el transporte. Una inspección periódica y una limpieza cuidadosa con disolventes autorizados mantendrán la integridad de la superficie.

P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada?

A3: El sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada suele cumplir las normas ISO 9001 de gestión de la calidad, lo que garantiza una producción y trazabilidad uniformes. Además, muchos proveedores se adhieren a las especificaciones SEMI de geometría, planitud y precisión de orientación cristalográfica de las obleas. A menudo se certifica el cumplimiento de la directiva RoHS para confirmar que el contenido de sustancias peligrosas es mínimo. Se realizan controles de calidad y procesos de metrología periódicos para validar la uniformidad del grosor, la resistividad y la densidad de defectos antes de enviar el producto.

Información relacionada

1. Proceso de fabricación

Se emplean meticulosos métodos de crecimiento para crear el sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada, garantizando una estructura reticular uniforme y una orientación estable. Estos sustratos suelen comenzar como cristales de silicio de gran pureza cultivados mediante técnicas como el proceso Czochralski, en el que el silicio se funde y luego se extrae cuidadosamente para formar un lingote. La orientación (110) se mantiene con precisión durante todo este procedimiento, lo que contribuye a que el sustrato tenga propiedades uniformes y precisión dimensional.

A continuación se llevan a cabo procedimientos avanzados de corte y pulido, en los que las obleas se cortan del lingote y se pulen a máquina para conseguir una suavidad óptima. Durante el pulido, se elimina a fondo cualquier irregularidad o contaminante para obtener una superficie similar a un espejo con estrictos requisitos de planitud. Esta atención al detalle es vital para conseguir defectos mínimos, lo que resulta crítico cuando el sustrato se somete a los pasos posteriores de fabricación de dispositivos en entornos comerciales y de investigación.

2. Aplicaciones en la industria avanzada

El sólido rendimiento de los sistemas microelectromecánicos (MEMS), los láseres semiconductores y la fabricación de microprocesadores hacen que el sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada de valor incalculable. Su orientación cristalina bien definida proporciona características consistentes en la gestión térmica, la conductividad eléctrica y la distribución de tensiones, todas ellas esenciales para los delicados dispositivos electrónicos. El diámetro de una pulgada del sustrato lo hace especialmente adecuado para entornos de fabricación especializados o experimentos a escala piloto centrados en la ingeniería de dispositivos innovadores.

Su utilización en sectores punteros, como la optoelectrónica y el desarrollo de sensores, se debe a la considerable fiabilidad y precisión dimensional de este sustrato. Su capacidad para mantener la estabilidad cristalina en diversas condiciones ayuda a los investigadores y fabricantes a agilizar su proceso de producción, reducir el desperdicio de material y aumentar la calidad de los resultados. Esta versatilidad sitúa al sustrato de cristal de silicio (Si) (110) Dia. 1 pulgada como componente fundamental para impulsar las tecnologías de nueva generación en múltiples campos de la alta tecnología.