CY8536 Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm Descripción

Nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5×5 mm está meticulosamente diseñado para garantizar una pureza y una calidad cristalográfica excepcionales. Fabricado a partir de silicio monocristalino para que coincida con la orientación (100), cada sustrato ofrece una superficie uniforme y sin defectos que resulta ideal para la investigación avanzada y la fabricación de dispositivos. La alta perfección cristalina y la estructura reticular consistente permiten un control preciso de la difusión de dopantes, la deposición de películas y otros procesos semiconductores críticos.

Estos sustratos, que cumplen estrictas normas industriales, se someten a rigurosos controles de calidad para mantener una baja rugosidad superficial y minimizar la contaminación. Se utilizan ampliamente en aplicaciones microelectrónicas, fotovoltaicas y de sensores, donde el rendimiento fiable y la escalabilidad son primordiales. Ya sea para la creación de prototipos o para la producción, nuestro sustrato de cristal de silicio (Si) (100) ayuda a obtener resultados consistentes, apoyando nuevos descubrimientos y el desarrollo de productos innovadores.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm Aplicaciones

El sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm destaca por su gran pureza, orientación cristalográfica y excelente conductividad térmica. Este sustrato de pequeño formato se adapta a una amplia gama de aplicaciones microelectrónicas y fotónicas, proporcionando una plataforma estable para el crecimiento de películas finas y la fabricación de dispositivos. Además, la calidad uniforme de su superficie garantiza resultados precisos en aplicaciones complejas, permitiendo tanto la investigación como los avances comerciales.

1. Aplicaciones industriales

-Aplicación 1: La orientación (100) agiliza el procesamiento de obleas, permitiendo un grabado preciso para dispositivos MEMS y microfluídicos.

-Aplicación 2: Su alta conductividad térmica lo hace ideal para la electrónica de potencia, garantizando una disipación eficaz del calor en la fabricación a gran escala.

2. Aplicaciones de investigación

-Aplicación 1: Proporciona un entorno controlado para investigar componentes avanzados de computación cuántica que requieren defectos superficiales mínimos.

-Aplicación 2: Ofrece la uniformidad esencial para experimentos de deposición de películas finas, mejorando la reproducibilidad y la precisión de los datos en entornos académicos y de laboratorio.

3. Aplicaciones comerciales

-Aplicación 1: mejora el rendimiento en dispositivos de consumo, incluidos sensores y pantallas, gracias a unas características estructurales fiables.

-Aplicación 2: Ofrece una calidad constante y un menor índice de fallos a las empresas que desarrollan circuitos integrados y electrónica de nueva generación.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) Embalaje de 5x5 mm

Cada sustrato de cristal de silicio (Si) de 5x5 mm (100) se embala en una bolsa antiestática sellada con inserciones de espuma reforzada para protegerlo de golpes e impactos. Los artículos se almacenan en condiciones de humedad controlada para mantener la pureza, mientras que el sellado al vacío evita la contaminación. Para la personalización, se dispone de etiquetado a medida e inserciones personalizadas. Todos los componentes del embalaje se seleccionan cuidadosamente para salvaguardar la integridad del sustrato, garantizando un rendimiento constante y de alta calidad a su llegada.

Envasado: Sellado al vacío, caja de madera o personalizado.

Sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuáles son las principales propiedades del material del sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm?

R1: Los sustratos de cristal de silicio (Si) con orientación (100) presentan una gran pureza, cristalinidad uniforme y excelente conductividad térmica. Normalmente poseen un rango de resistividad adaptado a los niveles de dopaje, lo que permite un ajuste preciso de las propiedades eléctricas. Su constante de red es de aproximadamente 5,43 Å y presentan una brecha de banda cercana a 1,12 eV. Estos sustratos también ofrecen una planitud de superficie superior y defectos mínimos para aplicaciones de semiconductores de precisión.

P2: ¿Cómo debe manipularse y almacenarse este producto?

A2: Dada su fragilidad y sus estrictos requisitos de superficie, los sustratos de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm deben manipularse con pinzas o varillas de vacío para evitar la contaminación y los daños mecánicos. Deben utilizarse guantes para evitar la introducción de aceites o partículas. Las superficies pueden protegerse con películas protectoras especializadas y almacenarse en recipientes limpios y secos. Deben minimizarse las fluctuaciones de temperatura para preservar la estabilidad dimensional y reducir los riesgos de oxidación.

P3: ¿Qué normas de calidad y certificaciones se aplican al sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm?

R3: Los principales sustratos de silicio para semiconductores cumplen normas rigurosas, como las especificaciones SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International), que garantizan una tolerancia de grosor definida, la limpieza de la superficie y la precisión de la orientación de los cristales. La certificación ISO 9001 suele regir la calidad general de la fabricación, mientras que la ISO 14001 se ocupa de la gestión medioambiental. Puede exigirse el cumplimiento adicional de la directiva RoHS (Restricción de Sustancias Peligrosas). Los proveedores suelen realizar pruebas exhaustivas a nivel de oblea para comprobar la densidad de defectos, la resistividad y la uniformidad del dopaje, con el fin de mantener un rendimiento constante del producto.

Información relacionada

1. Propiedades y ventajas del material

Diseñado para ofrecer una uniformidad excepcional, el sustrato de cristal de silicio (Si) (100) 5x5 mm es conocido por su estructura reticular definida con precisión. Esta uniformidad es fundamental para optimizar el rendimiento de los dispositivos electrónicos, ya que garantiza una conductividad constante en todo el sustrato. Además, la orientación del cristal (100) proporciona una plataforma estable para el crecimiento epitaxial, lo que permite a los diseñadores desarrollar interfaces de alta calidad y minimizar las densidades de defectos.

En comparación con otros materiales de sustrato, esta rebanada de cristal de silicio demuestra una estabilidad térmica superior, por lo que es capaz de soportar duras condiciones de procesamiento sin comprometer la integridad estructural. El moderado coeficiente de expansión térmica del silicio limita aún más las tensiones durante las fluctuaciones de temperatura, preservando así la planitud del sustrato y la fiabilidad mecánica general. Al integrar estas ventajas, los investigadores pueden aprovechar con confianza las sólidas propiedades del sustrato para perfeccionar las configuraciones de dispositivos avanzados.

2. Aplicaciones en la industria avanzada

Este sustrato de cristal de silicio (Si) de 5x5 mm (100) desempeña un papel esencial en campos de vanguardia que exigen un control preciso de la orientación del cristal y la calidad de la superficie. Los fabricantes de dispositivos médicos utilizan estos sustratos cuando desarrollan módulos sensores, aprovechando la red cristalina consistente para mejorar la precisión y repetibilidad de la detección. Las empresas de semiconductores también incorporan estos sustratos a la fabricación de microprocesadores y chips de memoria, beneficiándose de una plataforma fiable para el escalado de transistores y la eficiencia energética.

Dado que el sustrato cumple estrictos requisitos de pureza y planitud de la superficie, también se utiliza en la investigación de la computación cuántica, donde incluso las imperfecciones más sutiles pueden comprometer la estabilidad de los qubits. Los sectores aeroespacial y de defensa adoptan estas láminas cristalinas para dispositivos fotónicos avanzados, en apoyo de los sistemas de comunicación de nueva generación que dependen de la transmisión de señales de alta velocidad y bajas pérdidas. Al destacar en múltiples ámbitos especializados, este sustrato de silicio subraya su papel fundamental en el impulso del progreso tecnológico.