CY11157 Oblea de silicio recubierta de nitruro de titanio (TiN)

Descripción de la oblea de silicio recubierta de nitruro de titanio (TiN)

La oblea de silicio recubierta de nitruro de titanio (TiN) es un sustrato de silicio que presenta una película de TiN depositada uniformemente mediante técnicas de pulverización catódica. La capa de TiN actúa como barrera contra la oxidación y la contaminación, al tiempo que proporciona una superficie conductora para la integración de dispositivos. El control del grosor y la homogeneidad de la película son cruciales para minimizar los defectos durante los pasos posteriores del procesamiento de semiconductores, garantizando la compatibilidad con los equipos de fabricación estándar.

Características de las obleas de silicio recubiertas de nitruro de titanio (TiN)

*La información del producto anterior se basa en datos teóricos y es sólo de referencia. Las especificaciones reales pueden variar.

Aplicaciones de las obleas de silicio recubiertas de nitruro de titanio (TiN)

1.Fabricación de electrónica y semiconductores
- Se utiliza como capa de interconexión en circuitos integrados para conseguir vías de baja resistencia aprovechando las propiedades conductoras del TiN.
- Se aplica como barrera de difusión en estructuras de metal-silicio para evitar la mezcla y la degradación durante el procesamiento a alta temperatura.

2.Protección de superficies y capas de barrera
- Sirve como revestimiento protector en sistemas microelectromecánicos (MEMS) para prolongar la vida útil de los dispositivos reduciendo la oxidación y el desgaste.
- Se utiliza en dispositivos sensores en los que la capa de TiN químicamente inerte minimiza la contaminación y aumenta la estabilidad del dispositivo.

Embalaje de obleas de silicio recubiertas de nitruro de titanio (TiN)

Las obleas se embalan en bandejas antiestáticas y se sellan dentro de bolsas laminadas con barrera a la humedad para evitar la contaminación y los daños mecánicos durante el transporte. El almacenamiento debe realizarse en un entorno limpio, seco y con temperatura controlada para mantener la integridad del revestimiento de TiN. Existen opciones de embalaje personalizadas para adaptarse a los requisitos específicos de manipulación y garantizar la protección del producto frente a las influencias medioambientales.

Información adicional

Los revestimientos de nitruro de titanio se han estudiado ampliamente por su inercia química y conductividad eléctrica en aplicaciones de semiconductores. El proceso de deposición controlada no sólo aumenta la durabilidad de la superficie, sino que también mejora la fiabilidad del contacto eléctrico. Los avances en la tecnología de recubrimientos han permitido a los investigadores ajustar con precisión las propiedades de las películas, lo que beneficia a diversos procesos de fabricación de alta tecnología.

Comprender la interacción entre la uniformidad del recubrimiento y el rendimiento del sustrato es crucial en la fabricación de semiconductores. La integración de capas de TiN con sustratos de silicio demuestra la importancia de un meticuloso control del proceso para lograr los resultados deseados en componentes de dispositivos activos y pasivos.