CY11155 Oblea de silicio recubierta de iridio (Ir)

Oblea de silicio recubierta de iridio (Ir) Descripción

La oblea de silicio recubierta de iridio (Ir) es un sustrato de silicio con una capa de iridio aplicada mediante técnicas de deposición física de vapor. La fina película metálica sirve como barrera de difusión, evitando la oxidación durante el procesamiento a alta temperatura. Las dimensiones estándar de las obleas garantizan la compatibilidad con los equipos habituales de fabricación de semiconductores. La presencia de iridio mejora la estabilidad térmica y minimiza los riesgos de contaminación durante la fabricación del dispositivo.

Características de las obleas de silicio recubiertas de iridio (Ir)

*La información del producto anterior se basa en datos teóricos y es sólo de referencia. Las especificaciones reales pueden variar.

Aplicaciones de obleas de silicio recubiertas de iridio (Ir)

Electrónica y semiconductores
- Utilizado como barrera de difusión en el procesamiento CMOS para limitar la oxidación aprovechando la película de iridio; esto mantiene la integridad del sustrato durante los tratamientos térmicos.
- Se aplica como sustrato en la fabricación de sensores microelectrónicos para garantizar la estabilidad de la superficie; el revestimiento minimiza los riesgos de contaminación y favorece unos resultados de proceso uniformes.

Investigación y desarrollo
- Utilizado para investigar las propiedades de películas finas en montajes experimentales ofreciendo un revestimiento uniforme; esto facilita el análisis reproducible y preciso de la superficie.
- Se utiliza con frecuencia en estudios de ciencia de materiales para evaluar las interfaces metal-semiconductor, lo que contribuye a mejorar el diseño de los dispositivos semiconductores.

Empaquetadura de oblea de silicio recubierta de iridio (Ir)

Las obleas de silicio recubiertas de iridio (Ir) se sellan individualmente en bolsas antiestáticas y se fijan dentro de soportes de espuma rígida para reducir los choques mecánicos y la contaminación por partículas. Se almacenan en entornos con temperatura y humedad controladas para mantener la integridad del revestimiento. Existen opciones de embalaje personalizadas, como bandejas compartimentadas y etiquetado específico, para adaptarse a los requisitos de manipulación específicos del proceso.

Información adicional

Las obleas de silicio constituyen la piedra angular de la fabricación moderna de semiconductores, sirviendo como sustratos primarios para circuitos integrados y componentes electrónicos avanzados. La aplicación de finos revestimientos metálicos, como el iridio, mejora estos sustratos al proporcionar barreras críticas contra la difusión y la oxidación durante el procesamiento a alta temperatura. Esta integración de películas metálicas y sustratos de silicio es un aspecto fundamental de la ciencia de materiales en la fabricación de semiconductores.

La investigación en la deposición de películas finas sigue evolucionando, con técnicas como la deposición por pulverización catódica que ofrecen un control preciso de las características de las películas. Estos avances contribuyen a mejorar el rendimiento y la escalabilidad de los dispositivos en diversas aplicaciones industriales, lo que subraya la importancia de la compatibilidad de materiales y la optimización de procesos en la electrónica y la ingeniería de materiales.