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CY11153 Oblea de silicio recubierta de paladio (Pd)

Catálogo No. CY11153
Material Paladio, Silicio
Pureza Pd: ≥99,95%.
Formulario Sustrato

La oblea de silicio recubierta de paladio (Pd) está diseñada con una fina capa de paladio depositada por pulverización catódica sobre un sustrato de silicio para hacer frente a problemas específicos de los procesos de semiconductores. Stanford Advanced Materials (SAM) emplea técnicas de deposición precisas e inspecciones en línea de la calidad de la superficie mediante herramientas avanzadas de metrología. Este enfoque minimiza los defectos superficiales y garantiza la uniformidad, proporcionando una interfaz eficaz para los pasos de procesamiento posteriores, al tiempo que se mantienen estrictos controles del proceso.

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FAQ

¿Cómo influye el recubrimiento de paladio en el rendimiento de la oblea en el procesamiento de semiconductores?

El revestimiento de paladio actúa como barrera de difusión durante el procesamiento térmico, reduciendo la migración de metales y los riesgos de oxidación. Esta interfaz controlada mejora la estabilidad y consistencia del proceso en entornos de microfabricación.

¿Cuáles son los procedimientos de limpieza recomendados antes de integrar estas obleas en los procesos de semiconductores?

Se aconsejan los protocolos estándar de limpieza de semiconductores mediante procedimientos RCA. Estos procedimientos eliminan los contaminantes orgánicos e inorgánicos sin comprometer la integridad estructural de la capa de paladio.

¿Puede integrarse la oblea en los procesos de silicio existentes sin modificaciones adicionales?

Sí, la compatibilidad del sustrato con los equipos de procesamiento estándar permite su integración en los flujos de proceso de silicio existentes. Es posible que se necesiten pequeños ajustes para tener en cuenta la influencia del revestimiento metálico durante los ciclos térmicos. Si desea más información, póngase en contacto con nosotros.

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