CY10350 Tantalato potásico Niobato KTN Sustrato cristalino (100) 10x10x0,5 mm

Tantalato de potasio Niobato KTN Sustrato de cristal (100) 10x10x0,5 mm Descripción

El sustrato de cristal de niobato de tantalato de potasio KTN (100) 10x10x0,5 mm es un material monocristalino basado en la composición KTa1-XNbXO3. Su orientación cristalográfica (100) admite estructuras de dominio predecibles y propiedades dieléctricas sintonizables. Las dimensiones de 10x10x0,5 mm garantizan la compatibilidad con los equipos de procesamiento estándar utilizados en la investigación electrónica y fotónica. La uniformidad del sustrato y su microestructura controlada favorecen la reproducibilidad experimental en las mediciones de propiedades.

Sustrato de cristal de tantalato potásico niobato KTN (100) 10x10x0,5 mm Aplicaciones

1.
Electrónica y fotónica
- Utilizado como capa dieléctrica en resonadores sintonizables para lograr el ajuste de frecuencia aprovechando su constante dieléctrica variable.
- Aplicado como elemento activo en moduladores electro-ópticos para controlar la intensidad de la luz aprovechando la variación de su índice de refracción.

2.
Investigación y caracterización de materiales
- Sirve como sustrato de prueba en estudios cristalográficos para verificar la alineación de dominios aprovechando su orientación precisa (100).
- Se utiliza con frecuencia en montajes experimentales para mediciones de propiedades dieléctricas para apoyar la calibración de materiales y análisis comparativos.

Tantalato potásico Niobato KTN Sustrato cristalino (100) 10x10x0,5 mm Embalaje

El sustrato se embala individualmente en una bolsa antiestática y se asegura dentro de un contenedor forrado de espuma para evitar daños mecánicos y contaminación. Se almacena en condiciones de temperatura controlada para mantener sus características dieléctricas. Se dispone de embalajes personalizados adicionales, incluido el sellado en atmósfera inerte y la compartimentación, para satisfacer requisitos específicos de manipulación y almacenamiento.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué técnicas de medición se recomiendan para verificar la calidad superficial?
R1: La calidad de la superficie puede verificarse mediante microscopía electrónica de barrido y microscopía de fuerza atómica. Estos métodos permiten una inspección detallada de la orientación cristalográfica y la densidad de defectos, garantizando que el sustrato cumple criterios microestructurales específicos.

P2: ¿Cómo afecta la orientación (100) a su integración en arquitecturas de dispositivos?
A2: La orientación (100) ofrece estructuras de dominio predecibles que facilitan la integración en circuitos de alta frecuencia y dispositivos electroópticos. Esta orientación controlada favorece un comportamiento uniforme del material y propiedades dieléctricas uniformes en todo el sustrato.

P3: ¿Cuáles son las prácticas adecuadas de manipulación y almacenamiento de este sustrato?
R3: El sustrato debe manipularse con herramientas antiestáticas en un entorno de sala limpia. Debe almacenarse en un entorno de temperatura controlada y baja humedad para evitar la degradación de las propiedades dieléctricas, y envasarse en materiales protectores para evitar tensiones mecánicas.

Información adicional

Los sustratos de niobato de tantalato de potasio (KTN) pertenecen a la clase de materiales de perovskita conocidos por sus propiedades dieléctricas y electroópticas sintonizables. Estos sustratos se estudian ampliamente en la ciencia de materiales por su comportamiento de transición de fase y su sintonizabilidad dieléctrica, que pueden modularse mediante ajustes controlados de la composición. Estas características son esenciales para las aplicaciones que requieren un control dinámico de las propiedades eléctricas.

En la investigación académica e industrial, los materiales KTN apoyan las investigaciones sobre dispositivos ferroeléctricos y fotónicos. Su orientación cristalográfica predecible y su microestructura uniforme proporcionan una plataforma fiable para la validación experimental y el desarrollo de nuevas arquitecturas de dispositivos.