CY10333 Deposición química en fase vapor por microondas Sustrato monocristalino de diamante (100) 10x10x0,4 mm

Deposición química en fase vapor por microondas Sustrato de diamante de un solo cristal (100) 10x10x0,4 mm Descripción

El sustrato monocristalino de diamante (100) 10x10x0,4 mm de deposición química en fase vapor por plasma para microondas se fabrica a partir de carbono elemental mediante un proceso de deposición asistida por plasma. Las dimensiones de 10x10 mm cumplen los requisitos de los equipos de procesamiento estándar, mientras que el grosor de 0,4 mm proporciona rigidez estructural bajo ciclos térmicos. La orientación cristalográfica (100) favorece la compatibilidad reticular con las capas epitaxiales, reduciendo las tensiones interfaciales durante la integración del dispositivo. Su inercia química minimiza los riesgos de contaminación en los pasos de procesamiento posteriores.

Aplicaciones del sustrato monocristalino de diamante (100) 10x10x0,4 mm de deposición química en fase vapor por plasma de microondas

1.
Electrónica
- Se utiliza como sustrato en dispositivos semiconductores para hacer frente a los retos de disipación de calor aprovechando la eficiente conductividad térmica del diamante, reduciendo así los gradientes térmicos durante el funcionamiento.

2.
Fotónica
- Aplicado como base de componentes ópticos en sistemas láser para lograr una propagación controlada de la luz aprovechando la estructura cristalina uniforme del sustrato, minimizando así los efectos de dispersión.

3.
3. Investigación y desarrollo
- Sirve como plataforma en experimentos de ciencia de materiales para reducir la variabilidad experimental aprovechando su orientación controlada (100), garantizando una integración coherente con estructuras de dispositivos en capas.

Deposición química en fase vapor por microondas Sustrato de diamante monocristalino (100) 10x10x0,4 mm Embalaje

El sustrato se embala en un contenedor antiestático de grado sala limpia con inserciones de espuma acolchada para evitar daños mecánicos. Está sellado dentro de una bolsa a prueba de polvo en condiciones de humedad controlada. Se recomienda el almacenamiento en un entorno de temperatura regulada para mantener la integridad del cristal. Se dispone de opciones de etiquetado y embalaje personalizadas para satisfacer requisitos específicos de manipulación y transporte.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué aspectos del proceso de plasma microondas influyen en la uniformidad del cristal?
R1: Los parámetros clave de deposición, como la densidad del plasma, el caudal de gas y la temperatura del sustrato, se controlan continuamente. SAM emplea técnicas interferométricas para evaluar la uniformidad de la película y la densidad de defectos, lo que ayuda a mantener una microestructura consistente durante todo el proceso de crecimiento.

P2: ¿Cómo afecta la orientación cristalográfica (100) a la integración de las capas posteriores?
A2: La orientación (100) favorece la alineación de la red con muchas películas semiconductoras. Esta alineación ayuda a reducir las tensiones interfaciales durante el crecimiento epitaxial y minimiza la introducción de defectos, facilitando una mejor integración de las capas posteriores en la fabricación de dispositivos.

P3: ¿Se pueden modificar las dimensiones del sustrato?
A3: Sí, las dimensiones de los sustratos pueden adaptarse a los requisitos específicos de los equipos y procesos. Los ajustes se realizan tras evaluar la compatibilidad de los materiales para garantizar que las propiedades cristalinas permanezcan intactas durante todo el proceso.

Información adicional

Los sustratos de diamante producidos mediante deposición química en fase vapor por plasma de microondas forman parte integral de la investigación en sistemas electrónicos y fotónicos avanzados. El proceso de crecimiento controlado permite la formación de monocristales con orientaciones específicas, lo que es importante para reducir los desajustes interfaciales en los dispositivos de capas. El control detallado del proceso y el análisis microestructural son fundamentales para lograr la consistencia de estos sustratos.

Estudios científicos recientes subrayan la importancia de una orientación cristalográfica precisa en el rendimiento de los sustratos. La intersección de la ciencia de los materiales y la ingeniería de dispositivos sigue impulsando mejoras en los procesos de fabricación de sustratos, aumentando la precisión y la eficacia de los sistemas experimentales y de producción en diversos campos tecnológicos.