AL10311 Nitruro de aluminio no dopado Plantilla AlN en 2 pulgadas Silicio pulgada x 200 nm

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre silicio de 2 pulgadas x 200 nm Descripción

El material se compone de nitruro de aluminio y silicio, formando un sustrato dedicado para aplicaciones de semiconductores. El tamaño de 2 pulgadas por 2 pulgadas garantiza la compatibilidad con equipos de procesamiento estándar. El grosor de la película de 200 nm desempeña un papel fundamental en la gestión de los gradientes térmicos y el aislamiento eléctrico. La interfaz definida AlN/Si favorece la integración en dispositivos que requieren propiedades dieléctricas controladas y una densidad de defectos minimizada para la electrónica sensible.

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 2 pulgadas x 200 nm Aplicaciones

1.Aplicaciones electrónicas
- Se utiliza como capa dieléctrica en dispositivos semiconductores para conseguir un mejor aislamiento eléctrico aprovechando las propiedades controladas de la película de AlN.
- Aplicado como sustrato en matrices de sensores para conseguir niveles de señal estables mediante alineaciones cristalinas bien definidas.

2.Aplicaciones industriales
- Se utiliza como base de circuitos integrados en entornos de alta temperatura para minimizar el desajuste térmico aprovechando la conductividad térmica del material cerámico.
- Se utiliza con frecuencia en embalajes microelectrónicos para reducir las corrientes de fuga aprovechando la aguda interfaz entre el AlN y el silicio.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado en un embalaje de 2 pulgadas de silicio x 200 nm

El sustrato se embala en un contenedor antiestático revestido de espuma para evitar la tensión mecánica y la contaminación. Se sella en atmósfera inerte dentro de una bolsa impermeable, garantizando una exposición mínima a la humedad o a las partículas. Las instrucciones de almacenamiento recomiendan un entorno controlado, con baja humedad y a temperatura ambiente. Se pueden solicitar envases personalizados, con inserciones protectoras adicionales y etiquetado especializado.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué métodos de control de calidad se utilizan para supervisar la uniformidad de la película?
R1: SAM emplea microscopía electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X (XRD) para evaluar la uniformidad de la película y confirmar la orientación cristalográfica, reduciendo la densidad de defectos y garantizando el correcto desarrollo de la interfaz.

P2: ¿Cómo afecta la interfaz AlN/Si del sustrato al rendimiento del dispositivo semiconductor?
A2: Una interfaz bien definida minimiza las fugas eléctricas y mejora el aislamiento, lo que es fundamental para la estabilidad del dispositivo durante el procesamiento y el funcionamiento a altas temperaturas.

P3: ¿Qué prácticas de almacenamiento ayudan a mantener las propiedades del sustrato?
R3: Se aconseja mantener el sustrato en un entorno de baja humedad y temperatura controlada utilizando un embalaje antiestático para evitar la contaminación y preservar la integridad de la película de AlN.

Información adicional

El nitruro de aluminio (AlN) es un material cerámico conocido por su importante conductividad térmica y sus características dieléctricas. Cuando se combina con silicio, el sustrato resultante requiere técnicas de deposición meticulosas para garantizar que la interfaz y la uniformidad de la película cumplan las normas del proceso de semiconductores. Comprender las interacciones entre el AlN y el silicio es crucial para optimizar el rendimiento del material.

Los avances en la fabricación de sustratos cerámicos han puesto de relieve la importancia de la deposición controlada y la caracterización de la superficie. La interacción entre la expansión térmica, las propiedades dieléctricas y la calidad de la interfaz sigue impulsando la investigación y el desarrollo en el envasado electrónico y la integración de sensores, garantizando que los sustratos funcionen según lo previsto en diversas aplicaciones de alta demanda.